查塔姆南海岸 – 任务 1:替代方案总体审查 2020 年 11 月 11 日 简介 查塔姆南海岸评估的初始阶段旨在全面审查可能实现海岸线可持续性这一既定目标的侵蚀控制替代方案。作为此次总体评估的一部分,我们总结了之前对沿海过程的定量评估结果,以描述一般的泥沙输送模式,以及现有沿海结构对海岸线稳定性的影响(例如,米尔溪防波堤和森林海滩沿岸的一系列防波堤)。此外,还评估了潜在的海岸稳定概念,评估内容包括其减少海滩沙子流失的可能性、对近岸和下沉区域的潜在影响、一般建设成本(高/中/低)、获得有利的环境监管审查的可能性(即“可许可性”),以及维护成本/频率。支持泥沙输送评估的主要信息来源是之前为查塔姆镇(镇)和美国陆军工程兵团进行的研究(见参考资料)。由于自然和人为的演变,过去 60 多年来,楠塔基特湾海岸线大部分地区的海滩系统遭到严重侵蚀,主要原因是沿岸沉积物不足。过去二十年来,该镇定期在 Cockle Cove 附近进行海滩养护,并在 Forest Beach、Pleasant Street Beach 和 Hardings Beach 进行较少的养护,以向整个海滩系统提供沉积物。尽管做出了这些努力,许多地区的海岸线仍然持续衰退,该镇正在进行更好地维护这部分海岸线所需的长期努力。这些潜在的努力将考虑不同的养护方案,包括有和没有海岸工程结构,以及作为独立替代方案的海岸工程结构。本次评估的海岸线从红河入口的哈里奇镇线延伸至 Stage Harbor 入口。过去 60 多年来建造的海岸线结构有助于维持高地发展;然而,科德角南部沙质海岸沿线大量设置了垂直于海岸的防波堤和堤坝,阻止了沉积物向查塔姆的西向东运输。在当地,这最明显的表现是沙子堆积(即沙子“捕获”了从西向东迁移的滨海沉积物),这些防波堤始于哈维奇镇线附近,一直延伸到米尔克里克。随着系统中的滨海沉积物越来越少,防波堤最终会变成“侧翼”,结构的陆地部分会与海岸线分离,结构完整性也会受到影响。一般来说,如果不在海岸线上放置额外的沙子,查塔姆南海岸的海岸线稳定性就无法实现。然而,通过旨在“优化”海滩稳定性的结构改造,可以延长沿海海滩的寿命,而不会对下流海滩的沉积物供应产生不利影响。
冠状病毒大流行和可能随之而来的前所未有的经济危机,引发了人们对北约将如何应对保护其东部侧翼和防止与俄罗斯发生任何不必要的武装对抗的挑战的质疑。在许多北约成员国越来越需要重新评估其财政支出并实施各种削减和节约政策的时候,国防开支似乎落后于支持其下滑经济所必需的其他优先事项。因此,一些国家可能会决定通过延长甚至取消正在进行的采购或技术现代化计划来寻求节约,这些计划旨在增强其武装部队的作战能力并对欧洲急剧变化的安全环境做出反应。中欧和东欧国家似乎特别需要实施这种节约,这会影响到他们有时装备不均衡、发展不足的武装部队的现代化。尽管中东欧地区受疫情影响不像西欧那么严重,但与欧盟老成员国相比,经济成熟度较低的国家更容易受到全球甚至区域范围内自由贸易或企业增长机会中断的影响。捷克共和国是一个已经对日益严重的经济危机威胁做出反应的国家,宣布可能大幅推迟甚至取消正在进行的 210 辆履带式步兵战车采购计划,而武装部队迫切需要这些战车来取代过时的苏联时代 BVP-2。捷克的声明令人惊讶,尤其是考虑到新的步兵战车应该在当地生产,捷克国防工业将大量参与,创造新的工作场所并增加税收。然而,这项投资估计成本为 180 亿捷克克朗(6.61 亿欧元),被认为过于昂贵,尤其是在该国努力抗击疫情并为即将到来的危机做准备的时候。邻国斯洛伐克还必须就一些采购项目的未来做出最终决定,特别是收购 81 辆 VYDRA 8×8 轮式装甲车,计划在芬兰公司 Patria 的大力协助下在当地制造。波兰发生了更为重大的转变,直到最近,波兰还是中东欧地区军事现代化的前沿国家。波兰海军似乎将受到最严重的打击,因为它的许多项目将被削减或已经被削减。波兰国防部已经宣布将推迟或取消一些采购或现代化项目。这还不包括一些代表波兰国防能力突破的重大收购,例如 F-35A LIGHTNING II 多用途战斗机、基于 PATRIOT 的中程防空反导系统或 HIMARS 火箭炮系统。在后疫情时代,波兰海军不会获得新的海防舰艇或下一代小型攻击艇,甚至不会获得该国急需的常规潜艇。波罗的海国家(爱沙尼亚、拉脱维亚和立陶宛)的情况似乎略好一些,因为到目前为止,各自的国防当局都不太愿意宣布大幅削减国防开支。相反,已经宣布了新的采购和现代化计划,例如与芬兰合作设计新型轮式装甲车的多国泛区域项目。考虑到他们与俄罗斯的距离以及从乌克兰吸取的教训,这并不奇怪。目前,预测大流行和随后的经济危机将如何影响北约东翼的安全以及特定成员国如何应对其东部边界日益增长的不稳定局势是不合理的。限制国防开支似乎是不可避免的,但问题是,限制到什么程度?这些限制将在多大程度上损害正在进行的现代化装备和增强联盟内部作战互操作性和能力的努力?
一年前,即2022年2月24日,普京入侵乌克兰。这场违反国际法的侵略战争不仅使乌克兰的主权和生存受到质疑。这也对欧洲和平架构构成了严重威胁。经过数十年的和平、自由和安全之后,欧洲再次爆发战争。这改变了一切。对于德国联邦国防军来说尤其如此。保卫国家和联盟(再次)是德国联邦国防军的核心任务。 2014年普京非法吞并克里米亚之后,这在很长一段时间里只是一种灰色理论,如今已成为残酷的现实和迫切的需要。我们的士兵很快且直接地感受到了这意味着什么。在很短的时间内,北约大规模加强了其东部侧翼,以威慑俄罗斯,并表明与我们的盟友和伙伴的团结。德国联邦国防军为此做出了杰出贡献:向立陶宛派出了步兵,向斯洛伐克派出了爱国者导弹,向爱沙尼亚和罗马尼亚派出了欧洲战斗机,向波罗的海派出了几乎整个海上海军。这种令人印象深刻的作战准备和冷启动能力是我们 183,000 名士兵的成就。他们以高度的专业精神来应对新情况。您意识到事情随时可能变得严重,而且有时会发生得非常快。这种态度和方法值得效仿。乌克兰战争向我们展示了德国联邦国防军的服务意味着什么:在紧急情况下,我们的士兵为了我们的和平与自由献出自己的生命。当兵不同于其他任何职业。这场战争也清楚地表明了我们需要德国联邦国防军,以及我们需要它来做什么。人们对于军队、安全和国防政策的关注度以前很少如此高。德国联邦国防军需要进行全面现代化建设,这是社会罕见的广泛共识。令人痛心的是,我们花了一场可怕的战争才获得这一领悟。 2022 年 2 月 27 日,德国总理奥拉夫·朔尔茨在德国联邦议院发表历史性演讲时将这场战争描述为欧洲历史的转折点——也是德国联邦国防军历史的转折点。于是,德国联邦议院以绝对多数票设立了1000亿欧元的专项基金,用于保障德国联邦国防军的全面战备状态。这是正确且必要的。但这还不够。首批项目正在进行中。但到2022年,这笔专项资金还没有一分钱到达我们士兵的手中。采购系统过于迟缓。部队的库存账簿越来越满,但服装库、弹药库、备件仓库却没有。此外,当谈到作战准备时,重点往往集中在特殊资产和材料上。承诺的意义远不止于此。作战准备意味着德国联邦国防军拥有充足的人员。作战准备意味着现代化的基础设施。承诺意味着清晰的结构和精益的流程,从而加速而不是减慢速度。最后但同样重要的一点是,承诺意味着做出和执行决定的勇气和责任感。这适用于民事和军事各个层面。因此,该专项基金只能作为德国联邦国防军实现冷启动、全面运作和装备精良的中间步骤。这份年报也明确了这一点。年度报告不是专项基金的进度报告。这也不是一份关于有多少辆坦克在行驶、有多少架欧洲战斗机在飞行、有多少艘护卫舰在游泳的报告。年度报告的内容远不止这些。它从多样性和广度审视德国联邦国防军,以及大大小小的部队所面临的担忧、需求和挑战。他指出,对我们的士兵来说,伤口的伤害往往比丢失或无法使用的大型装备更大。
DOI:https://doi.org/10.22271/j.ento.2020.v8.i6n.7968 摘要 成簇的规律间隔的短回文重复序列 (CRISPR)-Cas 系统是一种序列特异性的适应性免疫策略,广泛存在于原核生物系统中,赋予针对各种噬菌体和其他 MGE(如质粒、基因组岛、整合和接合元件)的先天免疫力。即使存在如此复杂的机制,细菌也并非总是能完全战胜噬菌体。这是由于噬菌体和其他 MGE 产生的抗 CRISPR 蛋白。自 2013 年发现以来,迄今为止已鉴定出 60 多个 Acr 家族,还有更多家族尚待发现。研究揭示了 Acrs 采用的多种机制,通过这些机制介导对 CRISPR 防御系统的控制。随着该领域的发展,Acrs 可作为 CRISPR-Cas 技术的潜在控制策略。在本综述中,我们重点介绍了各种抗 CRISPR 蛋白的发现、它们对抗细菌 CRISPR-Cas 系统的作用机制,以及 Acrs 在基因编辑和基因治疗技术中的潜在应用。 关键词:抗 CRISPR、噬菌体、Cas 蛋白、CRISPR、基因组编辑 简介 噬菌体和细菌已经战争了数百万年,噬菌体控制着细菌种群的数量和组成。为了对抗来自噬菌体的这种持续威胁,细菌进化出了非常多样化的防御策略,将检查点设置在噬菌体生命周期的各个阶段。这包括阻断噬菌体附着、抑制 DNA 进入、开发限制-修饰系统、流产感染系统 (Abi) 和干扰噬菌体组装 [1] 。除了上述策略外,细菌还进化出了一种称为 CRISPR Cas 的序列特异性适应性免疫策略 [2] 。 CRISPR 阵列是有关先前感染细菌细胞的噬菌体的数据仓库。Cas 蛋白与 CRISPR 阵列一起构成了这种 RNA 引导的核酸酶复合物。宿主细胞借助称为原间隔区相邻部分 (PAM) 的短序列区分自身 DNA 和入侵的外来移动遗传元件的 DNA [3] 。作为适应性免疫的一部分,所有系统都通过三个主要阶段发挥作用:适应或间隔区获取、表达或生物发生以及干扰阶段。在第一阶段,Cas1-Cas2 复合物识别 PAM 并切除目标 DNA 的一小部分(称为原间隔区),然后将其作为间隔区序列整合到 CRISPR 基因座中。其他辅助因子(如 Cas4、Cas1、Csn2 和逆转录酶 (RT))也可以参与获取阶段。在下一个阶段,CRISPR 基因座转录为单个前 crRNA,然后加工成成熟的 CRISPR RNA (crRNA) [4] 。每个 crRNA 包含部分侧翼重复序列和间隔序列。在干扰阶段,crRNA 与 Cas 蛋白一起被招募以形成核糖核蛋白复合物,该复合物继续在细胞中寻找与 crRNA 间隔序列的任何匹配。如果发现,则根据 CRISPR Cas 系统的类别,通过招募新蛋白质或在复合物本身内激活来启动核酸酶活性。CRISPR-Cas 系统分为两类、六种类型和 30 多个亚型 [5, 6, 7]。第 1 类 CRISPR Cas 系统包括 I、III 和 IV 型,并使用多亚基 Cas 效应分子形成级联复合物。而在第 2 类系统(II、V 和 VI 型)中,靶标识别、结合和切割功能由单个效应蛋白执行。由于这种高度多样化和高效的机制,CRISPR Cas 系统不仅可以保护细菌免受噬菌体的侵害,还可以保护细菌免受其他移动遗传元件 (MGE) 的侵害,如质粒、基因组岛、整合元件和接合元件 [8]。
研究重点介绍了尼古丁消耗的基础和行为研究多摩变和多种物种的荟萃分析Palmer RHC,Benca-Bachman CE,Huggett SB,Bubier JA,McGeary JE,McGeary JE,Ramgiri JE,Ramgiri N,Srijeyanthan J,Srijeyanthan J,Srijeyanthan J,Yang J,Yang J,Visscher pm,yang Jang jj,knepik jopik vs and Knopik vs and Knopik vs and Knopik vs。翻译精神病学。2021; 11(1):98。缺乏人类基因组分析的跨物种翻译方法。本研究使用一个综合框架来研究模型生物中与尼古丁使用相关的基因如何有助于人类烟草消耗的遗传结构。首先,我们通过从五个尼古丁暴露的动物模型(RNA表达变化)中收集结果,然后测试了这些基因的相关性,并使用每天的人类烟(英国生物群n 123,844; aster of Europ ober ofer ober acestry)测试了这些基因的相关性和侧翼遗传变异。We tested three hypotheses: (1) DNA variation in, or around, the ‘model organism geneset' will contribute to the heritability to human tobacco consumption, (2) that the model organism genes will be enriched for genes associated with human tobacco consumption, and (3) that a polygenic score based off our model organism geneset will predict tobacco consumption in the AddHealth sample (N = 1667;所有欧洲血统)。总的来说,这些发现突出了使用多种物种证据来分离遗传因素以更好地了解烟草和其他尼古丁消耗的病因复杂性的优势。非侵入性脑刺激可挽救可卡因诱导的前额叶性不足性,并恢复了柔性行为西E,Niedringhaus M,Ortega HK,Frohlich F和Carelli RM。我们的结果表明:(1)模型有机基因占人类烟草消费中观察到的SNP遗传力的约5-36%(丰富:1.60–31.45),(2)基于基因的基因,但不是基于基因的基因,而不是基于基因的基因(Magma,smag,smag,smag,smagma,smagma punchiect),而不是负面的控制基因基于我们的模型生物体基因组在独立样本中每天预测香烟。生物精神病学。2021; 89(10):1001-1011。要获得理想的目标,个人必须预测特定选择的结果,使用该信息来指导适当的动作,并在不断变化的环境中相应地调整行为(行为灵活性)。物质使用障碍的标志是行为柔韧性障碍以及降低的前额叶皮质功能,从而限制了治疗策略的功效。理想情况下,恢复前额叶性低血液不稳定是改善柔性行为和治疗结果的有趣目标。与电生理学,光遗传学和新型大鼠经颅交替刺激(TACS)结合使用,在长鹰性男性大鼠(n = 97)中使用了行为柔韧性任务。功能障碍。光遗传学失活表明,PRL-NAC核心电路对于学习弹性转移行为的能力是必要的。可卡因自我管理历史引起了异常的PRL-NAC核心神经编码和灵活性缺陷。在学习之前有选择地激活PRL-NAC核心途径的光遗传学救出可卡因诱导的认知灵活性缺陷。非常明显的是,在了解任务之前,TAC在PRL-NAC电路中重新建立了自适应信号,并以相对无创和频率特定的方式恢复了柔性行为。我们在行为柔韧性中建立了NAC核心核心注射PRL神经元的作用,并在大鼠中提供了一种新型的无创脑刺激方法至
放松复制起源和DNA解旋酶的负载是染色体复制的启动。在大肠杆菌中,最小起源oric包含一个双链放松元素(欠款)区域和结合起始蛋白DNAA的三个(左,中和右)区域。左/右区域带有一组DNAA结合序列,构成了左/右DNAA子复合物,而中间区域具有一个单个DNAA结合位点,该位点刺激了左/右DNAA亚复合物的锻炼。此外,群集元素(tattaaaaagaa)位于最小oric区域外。左DNAA子复合物促进了由于暴露TT [A/G] T(T)序列的放松,然后结合到左DNAA亚复合物,稳定DNAB Helicase载荷所需的未能状态。然而,右DNAA亚复合物的作用在很大程度上不清楚。在这里,我们表明,左/右DNAA子复合物的应有的放松,而不是仅由左DNAA子复合物,这是由应有的末端次区域刺激的。一致地,我们发现了右DNAA子复合物 - 绑定的单链应育成区域和群集区域。此外,左/右DNAA子复合物独立地结合了DNAB解旋酶。仅对于左DNAA子复合物,我们表明该群集对于DNAB加载至关重要。体内数据进一步支持了右DNAA子复合物的Unwound DNA结合的作用。综上所述,我们提出了一个模型,其中右DNAA子复杂与UNWOUND应变动态相互作用,有助于适当的放松和有效的DNAB解旋酶负载,而在没有Right-DNAA子复杂性的情况下,在这些过程中没有在这些过程中进行群集的辅助,以支持重复的鲁棒性。
《八月炮声》是普利策奖得主芭芭拉·W·塔奇曼撰写的一本历史非虚构书籍。这部经典著作探讨了第一次世界大战前夕和战后初期,深入探讨了复杂的政治网络和目睹冲突的平民所处的现实。本书探讨了战争宣言、德国入侵比利时以及法国、英国和俄罗斯的反应。它还探讨了战争后果,包括随后的堑壕战。塔奇曼关注战争的发展和对普通公民的影响,追溯了从爱德华七世国王的葬礼到战后和平谈判的战争对当地人的影响。她比较了盟军和俄罗斯/德国的军事领导,强调了德国使用恐怖战术和俄罗斯对完美的要求。盟军不情愿地战斗,优先考虑尊严和人性。通过详细的分析和评论,塔奇曼呈现了第一次世界大战历史的互动式叙述,使事件从多个视角生动地呈现。作为一名非小说类作家,她通过强调真实事件的吸引力来吸引读者。本书讨论了第一次世界大战前夕的事件,包括德国、法国、英国和俄罗斯之间的外交紧张局势。它解释了每个国家的军事战略,例如德国的施利芬计划和法国的第十七计划。本书还涵盖了战争前夕的事件,包括 1914 年 8 月 1 日至 4 日的事件,当时德国下令动员,比利时拒绝了最后通牒。“战役”部分详细介绍了西线、东普鲁士战线和海上战线的战斗,包括边境战役和第一次马恩河战役。第 10 章进一步探讨了英国、德国和美国三大海军力量(第 18 章)的战略,以及对第一次马恩河战役的后记分析。尽管盟军最终成功拯救了巴黎,但最初的战斗未能起到决定性作用,导致消耗战。结果很大程度上取决于 1914 年 8 月发生的事件。1910 年 5 月,德皇威廉二世对他叔叔爱德华七世的外交努力持有矛盾的看法,私下里蔑视他支持英国从孤立转向与法国和俄罗斯结盟。这些内部紧张局势反映了德国崛起的更广泛的两极分化,正如两本有影响力的书籍所表明的那样:诺曼·安吉尔的《大幻觉》和冯·伯恩哈迪将军的《德国与下一场战争》。为了防止两线作战,施利芬主张在 1910 年通过比利时进攻法国。他认为这将使德国能够在六周内击败法国,然后再转向俄罗斯。然而,他的计划被毛奇削弱了,毛奇于 1906 年继任,并进行了进一步的调整,直到 1914 年 6 月。尽管做出了这些努力,法国军队还是在 1870 年在色当遭遇了惨败,这使得法国得以保卫法国长达四十年。战争委员会最终通过了第十七号计划,这是一项由约瑟夫·霞飞将军制定的进攻性战争计划,他强调了进攻和适应环境的重要性。这标志着法国军事理论的转变,为他们最终成功拯救巴黎铺平了道路。在坎贝尔-班纳曼的授权下,威尔逊被允许与法国同行开始非正式会谈,这导致了初步的军事合作。然而,这种合作在第一次摩洛哥危机平息后逐渐减弱,直到 1910 年威尔逊利用他作为军事行动总监的新职位恢复联合作战计划时才重新出现。这些计划在 1914 年春天以“W 计划”的形式提出。与此同时,俄罗斯军队被德国搞得心神不宁,但向其三国协约盟友法国和英国保证了安全。尽管在克里米亚和满洲等地遭遇挫折,俄罗斯军队仍拥有 650 万人。然而,内部问题阻碍了战争部长苏霍姆利诺夫领导下的现代化努力,他冻结了进度,到 1914 年已六次更换总参谋长。俄罗斯计划以 80 万大军入侵东普鲁士,但德国决心保住这片领土。预计德国的战术是撤退或正面攻击马祖里湖周围的俄罗斯军队。弗朗茨·斐迪南大公遇刺导致奥地利在德国的支持下寻求吞并塞尔维亚,这升级为奥地利和塞尔维亚之间的战争。在贝尔格莱德遭到轰炸后,俄罗斯于 7 月 30 日动员起来捍卫斯拉夫的利益和声望。德国于 7 月 31 日向俄罗斯发出最后通牒,加剧了危机。然而,威廉皇帝收到了利希诺夫斯基大使的电报,称如果德国不攻击法国,英国将保持中立,这促使德皇考虑改变战争计划,只关注俄罗斯。尽管有这样的考虑,毛奇将军还是反对任何改变,并主张严格遵守原计划。海军上将冯·提尔皮茨质疑如果德国不打算攻击俄罗斯,向俄罗斯发出最后通牒是否明智,但外交礼仪却要求采取不同的行动,这进一步加剧了局势的复杂化。法国动员的决定:外交和国家利益的复杂交织 7 月 30 日,法国做出了一项历史性决定,从边境撤军,以避免与德国发生冲突。这一举措引起了德国和俄罗斯的关注,他们要求澄清法国在战争中的立场。法国对德国提议的回应导致了两国之间的一系列外交交流。与此同时,英国内阁内部的紧张局势也很高,自由帝国主义者主张支持法国,而小英格兰人则对外国纠葛表示保留。7 月 31 日,德国向俄罗斯发出最后通牒,而法国外交官则继续通过复杂的外交渠道。第二天,法国下令总动员,标志着导致战争的连锁反应的开始。当英国努力在不断演变的危机中调和自己的国家利益时,丘吉尔在为战争做准备方面发挥了关键作用。与此同时,德国的策略旨在挑起法国的进攻,从而引发比利时的回应,并可能引发更大的冲突。随着德国、比利时和法国之间的紧张局势加剧,阿尔伯特仍然坚决拒绝遵守德国的要求。尽管没有明确的战争战略,比利时官员仍在起草回应时,德国政府突然改变方针,担心他们的行动计划会受到干扰。由于担心法国入侵,贝洛访问了外交部,利用飞艇轰炸纽伦堡的假新闻向比利时施压,迫使其屈服。然而,比利时在 8 月 3 日坚决拒绝了德国的要求,决心击退任何袭击。当晚,阿尔伯特下令摧毁桥梁和隧道,以阻止德国的进攻。8 月 4 日,德国向法国宣战并入侵比利时,促使英国领导人要求德国作出回应。在政治方面,格雷透露了与法国的非正式军事会谈,敦促法国不要对比利时中立的侵犯袖手旁观。下议院以掌声回应。国王阿尔伯特问议会是否致力于捍卫国家主权,议会响起了“是的!”的响亮回应。在柏林,德皇宣布从那时起他只承认德国人,而贝特曼-霍尔维格公开承认德国入侵比利时违反了国际法。在军事方面,德国以有组织的敌对行为和法国轰炸纽伦堡为由向法国宣战。维维亚尼断然否认了这些说法。德国在格梅里希入侵比利时,促使英国发出最后通牒,要求在午夜前作出回应。德皇告诉撤退的部队,他们将在树叶掉落之前回家,但霞飞、毛奇和基奇纳预见到至少持续三年的长期冲突。盟军海军的战争努力集中在地中海寻找德国战列巡洋舰戈本号,最终导致其在达达尼尔海峡避难,促使土耳其参战。这一发展阻碍了俄罗斯的进出口,导致了灾难性的加里波利战役。当德国军队越过比利时边境时,他们在列日遭到比利时军队的抵抗,而五支法国军队在法国东部与他们交战,四个英国师在蒙斯进行了艰苦的战斗。8 月,双方根据战前战略部署了武装部队。战争委员会于 8 月 5 日召开会议,批准总参谋部的作战计划,但基钦纳勋爵打断了会议进程,预测这将是一场漫长而代价高昂的战争。尽管他反对,但委员会还是同意向法国派遣六个英国远征军师,第二天将数量减少到四个。基钦纳斥责威尔逊透露英国远征军登船时间,导致双方关系紧张,这对他们的合作造成了持久的压力。8 月 12 日,在交战前的最后一次战争委员会上,基钦纳试图转移英国远征军的集中点,但最终还是让步了。英国远征军于 8 月 9 日登船,在法国受到了热烈的欢迎。法国最高统帅部对德国军队大规模进攻的初步反应不足,这在很大程度上是由于查尔斯·朗雷扎克的决定,他及时将部队从不稳定的位置撤出,并重新部署到更有利的位置。这防止了法国防线被包围和崩溃。东普鲁士入侵始于 8 月 12 日,古尔科将军向因斯特堡隘口推进,而萨姆索诺夫的第二集团军向南推进,完成钳形攻势。然而,两支俄罗斯军队之间协调不力、加密通信问题以及弹药短缺阻碍了他们的努力。与此同时,德国军队也面临着自己的挑战,包括缺乏领导力和沟通不畅,最终导致冯·普里特维茨将军于 8 月 21 日被解职。德国人对入侵的反应是一系列错误和糟糕的计划。从西部调动军队抵御“俄罗斯蒸汽压路机”的代价高昂,而东线的惨痛损失也十分惨重。比利时的战斗也成为讨论德国行动及其在冲突中的作用的背景。德国人对他们的目标和愿望的看法得到了介绍,包括托马斯·曼的断言,即目标是在历史上确立“德国理念”。美国记者欧文·S·科布认为,德国的战争努力被视为其历史使命的重要组成部分。一位德国科学家也持同样的观点,他认为,一旦战争结束,德国的文化将启迪世界,带来一个新的和平时代。一位商人也持有类似的观点,他表示,战争将给欧洲带来一幅以德国为中心的新地图。然而,这种咄咄逼人的立场只会巩固对德国的反对,正如萧伯纳和赫伯特·乔治·威尔斯的谴责所见。德国军队在比利时,特别是在鲁汶的暴行是第 17 章的重点。军方使用 Schrecklichkeit 或恐怖的概念来为他们的残酷行为辩护。为了镇压 franc-tireur,数百名平民在附近城镇被处决,突显了德国军队对普通民众报复的残酷性。鲁汶大学图书馆被故意焚烧,这更增加了英国人的愤怒,也增加了他们谴责德国及其人民的正当理由。第 18 章强调了英国人担心德国海军会通过针对其海外进口产品来破坏其国际贸易。尽管英国海军在舰船和经验方面都更胜一筹,但德国公海舰队仍驻扎在港口,使英国皇家海军控制着世界航道。围绕美国中立角色的外交政治迅速加剧。华盛顿正式要求欧洲同意 1908 年《伦敦宣言》,该宣言支持中立国的贸易权,反对交战国的封锁权。德国同意了,而英国“说是但意味着不”,并于 8 月 20 日补充了枢密院令。尽管国际法的意图是公平的,但英国试图从美国获得补给,同时通过海军封锁拒绝向德国提供补给。伍德罗·威尔逊建议美国人不仅在名义上保持中立,而且在事实上保持中立,在思想和行动上不偏不倚,这样他们才能成为调解人,为交战国带来正义和人道的标准。战争期间,美国与英国和法国的贸易增长了近四倍,最终导致美国参加了第一次世界大战。8 月 25 日,霞飞发布命令,组建第六军团,运往亚眠支援英法军队。第二天,英国远征军损失了 8,000 多人,但还是在勒卡托战役中守住了阵地。原文德国人。朗勒扎克指挥的法国第五军团在撤退、重组和建立防线时遇到了很大困难;混乱和与陆军元帅弗伦奇的沟通不畅使情况变得更糟。到 8 月 28 日,像冯·克鲁克这样的德国指挥官专注于包围英法军队。到 9 月 2 日,法国军队已经从 8 月 24 日的位置撤退了 150 英里;士兵们筋疲力尽、饥肠辘辘,他们行军经过德国人第二天将要占领的家园。8 月 29 日和 30 日对法军来说是关键的日子。29 日,朗勒扎克在吉斯桥抵抗了德军的进攻。然而,霞飞只能眼睁睁地看着他的第五和第六军团陷入困境,而英国军队则节节败退。在这个“法国历史上最悲惨的时期”,霞飞命令阿马德将军和朗勒扎克将军撤退并摧毁索姆河和瓦兹河上的桥梁。第二天带来了坏消息:俄罗斯第二军团在坦能堡被击败,70,000 名士兵被俘。另一份报告给了他希望:毛奇计划将两个德国军团(70,000 名士兵)从西向东移动。英国也在本土和战场上取得了进展。8 月 30 日,审查员 FE Smith 敦促《泰晤士报》发表 Arthur Moore 的亚眠快报,详细介绍了德国的进展。这种强有力的宣传有助于塑造公众舆论,自 8 月 27 日以来,公众舆论一直受到有关 70,000 名俄罗斯军队被派往援助法国军队的谣言的影响。这些士兵并不存在,但英国公众却坚信这会影响法国和德国。在军事方面,约翰·弗伦奇爵士于 8 月 29 日通知基奇纳勋爵,他计划将英国远征军撤回塞纳河后方,因为他对法国军队失去了信心;这让基奇纳感到惊讶,他认为这是背叛和“灾难性”的行为。他说服弗伦奇继续与法国军队交战。英国表现不错,但德国军队现在离巴黎足够近,很快就会颁发刻有“德国军队进入巴黎 - 1871-1914”的奖章。克卢克改变了他的战略,瞄准东南方向,包抄兰勒扎克并缩小与比洛的差距;他需要更多的军队,但毛奇犹豫不决。毛奇的犹豫让位于克卢克的果断行动,导致德军于 8 月 31 日转向东南。这一决定是为了切断法国第五集团军的撤退并确保战略优势。然而,克卢克的侵略性最终导致了他的垮台,因为他追击英国远征军而不是撤退,浪费了宝贵的时间。毛奇批准了这一改变,旨在解决部队之间的差距并保持巴黎时间表。与此同时,尽管克卢克不断推进,霞飞仍在为法国的反击做准备。法国人意识到克卢克已经离开巴黎,并开始根据这一情报采取行动。勒皮克上尉发现两个德军纵队朝着贡比涅而不是巴黎前进,促使他于 9 月 2 日发布第 4 号将军命令,指示第三、第四和第五集团军向塞纳河和奥布河撤退。法国人继续缩减兵力,加利埃尼命令莫努里摧毁瓦兹河上的桥梁,并建议从巴黎撤退到波尔多。 9 月 3 日,克莱热里将军和吉罗东上校高声宣布,德军纵队正在向东移动,侧翼已经暴露。由于克拉克的军队与卢森堡之间的通讯问题,毛奇直到 9 月 4 日才意识到克拉克已经越过马恩河。尽管有这种延误,毛奇还是考虑从左翼调出增援部队来应对克拉克暴露的侧翼。然而,他遭到了德皇的拒绝,德皇拒绝削弱可以占领南锡的军队。9 月 3 日,霞飞接替朗勒扎克,任命弗朗歇·德斯佩雷指挥第五军团。霞飞随后决定于 9 月 7 日率领弗朗歇·德斯佩雷、福煦、加利埃尼和法国军队发动进攻。然而,最后这两位将军打乱了他的计划,他们向莫努里发出了准备在 9 月 4 日进军的初步命令,迫使霞飞将进攻提前到 9 月 6 日。在收到毛奇撤退的命令后,德国指挥官冯·克卢克于 9 月 5 日渡过了大莫兰河,尽管最初无视上级的指示。直到有证据表明法国人正准备攻击他的侧翼时,克拉克才最终屈服并撤退。与此同时,盟军一直在敦促约翰·弗伦奇加入对德国人的反攻。随着法国军队迅速动员,德国防线出现了一个缺口,由于英国远征军行动太慢,盟军未能利用这个缺口。德国的失败归因于法国士兵出人意料的坚韧和德国军队犯下的六个战略错误,包括从西线调动部队并计划穿越比利时进行长途行军,最终导致英国参战。“马恩河奇迹”之后的僵局导致双方伤亡惨重,仅 1914 年 8 月,法国就损失了 30 多万士兵。这种僵局将决定战争的进程及其结果,使各国陷入无法逃脱的冲突循环。塔奇曼女士的写作风格清晰、聪明、机智,使她成为一位引人入胜的历史学家。她客观的道德判断避免了说教和责备,而是利用怀疑态度来传达一种人类愚蠢的感觉。在《八月炮声》中,塔奇曼巧妙地将 400 多个历史人物的观点交织在一起,使 1914 年的事件既扣人心弦又真实可信。她最大的优势之一是她能够悬置读者的知识,让故事以意想不到的曲折展开。她专注于具体的细节和性格特征,让读者能够生动地了解每个人。例如,塔奇曼对约瑟夫·乔弗雷和约翰·弗伦奇爵士的描述让这些人物栩栩如生,通过微妙的观察揭示了他们复杂的个性。塔奇曼的方法既全面又细致入微,提供了丰富的历史视角。她使用特定的轶事和关键人物的名言为叙述增添了深度和真实性。第一次世界大战前夕的关键人物包括各国著名的军事将领和政治家。法国代表有奥古斯丁·杜拜尔、阿道夫·梅西米、雷蒙·庞加莱、诺埃尔·德·卡斯特尔诺、米歇尔-约瑟夫·莫努里和费尔南·德·朗格勒·德·卡里;德国代表有埃里克·鲁登道夫、阿尔弗雷德·冯·施利芬、马克斯·霍夫曼、弗里德里希·冯·伯恩哈迪、亚历山大·冯·克拉克、鲁普雷希特王储、威廉王储、保罗·冯·兴登堡、马克西米利安·冯·普里特维茨和赫尔曼·冯·弗朗索瓦。英国代表有杰基·费舍尔、爱德华·格雷爵士、亨利·威尔逊爵士和恩内斯特·特鲁布里奇;俄罗斯代表有尼古拉大公、尼古拉二世和亚历山大·萨姆索诺夫;比利时国王为阿尔伯特。 《八月炮声》第一章《葬礼》的引言段落,芭芭拉·塔奇曼花了八个小时才完成,成为她全部作品中最著名的段落。加拿大历史学家玛格丽特·麦克米伦被她精彩的第一句话深深吸引:1910 年 5 月的一个早晨,九位国王骑马参加英国国王爱德华七世的葬礼,场面如此壮观,身着黑衣、肃穆等待的人群不禁赞叹不已。其中一件关键事件发生在 8 月 1 日。柏林五点刚过,外交部的电话响了。毛奇想知道事情是否可以开始。就在这时,驻伦敦大使利希诺夫斯基亲王发来电报,报告了一项英国提议,据利希诺夫斯基理解,即如果他们不攻打法国,英国将保持中立并保证法国的中立。德皇抓住利希诺夫斯基的护照,开始了单线作战。时间紧迫。动员已经不可阻挡地向法国边境涌去。第一次敌对行动计划在一小时内发生。必须停止,立即停止。但是他们是如何做到的?毛奇在哪里?塔克曼认为,错误和误解导致了第一次世界大战中堑壕战的悲剧。主要错误包括: - 经济失算:欧洲知识分子和领导人高估了自由贸易的力量,认为它能阻止一场席卷整个大陆的战争。 - 毫无根据地相信速战速决:大多数领导人都认为战争会很快取胜,尽管基钦纳勋爵等政治家警告说,战争将是一场长期冲突。 - 过度依赖士气和进攻:领导人的理念建立在士气、不断进攻和保持主动权的基础上,而忽略了被证明无效的防御战略。 - 未能考虑政治反弹:战争策划者忽视了他们行动对条约的后果,导致德国入侵比利时,从而迫使英国参战。 - 未能考虑不利的社会道德影响:德国领导人忽视了军事行动对平民和士气的更广泛影响,例如洗劫鲁汶,这导致了公众的愤怒和美国的介入。 - 过时的战时礼仪:领导人期望被占领地区的平民能够合作,这加剧了国家之间的怨恨。第一次世界大战期间,德国将军夺取了平民的房屋和物资,他们的日记揭示了一个反复出现的主题:他们无法理解为什么业主拒绝充分合作。一段幽默的文字引用了一位将军的批评,他批评比利时房主未能与他共进晚餐,尽管德国人占领并摧毁了他的财产。潜艇和空战中也出现了类似的问题。塔奇曼认为,所有主要参战国都希望战争短暂,没有人希望战争持续下去。即使是像第一次马恩河战役这样的胜利,也主要是在军事领导或战略不佳的情况下取得的意外胜利。一本关于这一事件的书可以解释为什么两位学术评论家称这一章“冗长而有些尴尬”和“脱离背景”。塔奇曼将传统的学术历史方法与实地考察等新闻方法相结合,撰写了《八月炮声》。为了研究她的书,她阅读了来自纽约公共图书馆和大英图书馆等各个图书馆的信件、日记、内阁文件和其他原始材料。她还驾驶雷诺汽车进行了实地考察,参观了比利时和法国的战场。1988 年,塔奇曼回忆起她的书于 1962 年首次出版时获得的评论是多么积极。由于当时她相对不为人知,这本书受到了热烈的欢迎,而不是受到批评。克利夫顿·法迪曼 (Clifton Fadiman) 的一篇评论称赞塔奇曼的写作风格“几乎是修昔底德式的”,并指出她有能力描绘人类和事件。《出版商周刊》在 1962 年预测她的书将成为最畅销的新非小说类书籍,事实证明这是真的。学术历史学家指出了塔奇曼论文中的一些缺陷,特别是她僵化、确定性的历史观和反德偏见。然而,所有评论家都对她的叙事风格赞不绝口。多年来,一些历史学家指出,塔克曼让过去事件鲜活起来的能力是她写作的一大优势。芭芭拉·塔克曼的《八月炮声》得到了历史学家的批评性评论,他们称赞她的叙事风格和让历史栩栩如生的能力。美国历史学家小塞缪尔·R·威廉姆森称赞了她的写作,说它让读者对事件有一种亲近感。加拿大历史学家玛格丽特·麦克米伦称这本书“华丽”,并称赞塔克曼使用确凿细节的能力和她的“尖刻的智慧”。麦克米伦也欣赏书中的人物素描。然而,其他历史学家批评了塔克曼的决定论,认为它过于简单化了历史事件。奥伦·J·黑尔教授指出,塔克曼的论文以一种似乎可疑的方式将几年来的事件联系起来。他认为,17号计划和施利芬计划的失败并不是战争结果的唯一原因。玛格丽特·麦克米伦后来也同意这一观点,并表示她关于纠缠不清的联盟是战争的关键因素的主要论点已不再被历史学家广泛接受。许多历史学家批评芭芭拉·塔奇曼的书只关注第一次世界大战,忽视了四十年的历史研究。戈登、特朗普和黑尔教授指出,她严重依赖政治家和士兵的回顾性作品,而不是参考可靠的总参谋部作战历史或利用德国政府档案等主要资料。这种不平衡明显体现在她对巴尔干半岛和奥俄战线的关键外交和军事事件的处理很少,而过分强调地中海的海战。具体来说,塔奇曼忽视了三个关键的发展:加利西亚战线、奥地利战争计划和战争本身的爆发。她对时间框架的僵化提出了质疑,黑尔指出,1914 年 9 月在加利西亚的大规模俄奥交战与法国或东普鲁士的交战一样具有决定性,伤亡人数也相当。特鲁姆纳怀疑,将这些战役视为单纯的旁观者是否会掩盖关键问题。此外,塔奇曼对战争爆发的处理是零散的,忽视了战争在巴尔干半岛的起源以及通过奥地利和俄罗斯的行动发展成为欧洲全面战争的当地危机。相比之下,她关于格洛斯特追逐格本号和布雷斯劳号的章节过于冗长、不充分,充斥着不准确和过于简单化的内容,反映出她过分关注德国的邪恶行为,而忽略了民族主义、帝国主义、贸易竞争和军国主义等普遍起作用的力量在造成战争局势方面的作用。威廉姆森教授指出,塔奇曼的作品淡化了与军民关系、联盟结构和军事规划相关的问题。公众舆论的作用只是被简要提及,而对战争的经济准备却很少关注。特朗普纳教授批评塔奇曼对德意志帝国的描述是片面的,将德国人描绘成野蛮人。根据特朗普纳的说法,塔奇曼把德国人民变成了一个令人不快、歇斯底里或野蛮的民族。作者还将德国军队描绘成像“掠食蚂蚁”一样穿越比利时,并强调了普鲁士军官团的所谓残暴行为。戈登教授赞同特朗普纳的评价,认为塔奇曼将战争描述为德国邪恶性格和德皇无能的结果。戈登还指出,塔奇曼忽略了关键的发展,例如俄罗斯同意不对德国发动动员以及随后的违反。麦克米伦教授批评塔奇曼对德国人的负面先入为主的看法,称她容易夸大其词。麦克米伦将塔奇曼的反德偏见归因于她认为德国人试图将自己的文化强加给世界的观点,反映了当时西方与苏联集团之间的意识形态斗争。《八月炮声》于 1962 年出版,恰逢美国战略地位的转变,核导弹的兴起和古巴危机。这引发了人们对分析 1914 年问题所在广泛的兴趣。这本书成为畅销书,在畅销书排行榜上停留了 40 多周。此后,它被翻译成至少 19 种语言,包括保加利亚语、中文、捷克语、荷兰语、爱沙尼亚语、芬兰语、法语、德语、希伯来语、意大利语、日语和波斯语。这本书立即成为畅销书,并连续 42 周登上《纽约时报》畅销书排行榜。尽管它获得了普利策奖提名,由于约瑟夫·普利策的遗嘱,该书未能获得历史奖,因为该书关注的是欧洲历史而不是美国历史。塔奇曼获得了普利策非虚构类文学奖。这本书给约翰·肯尼迪总统留下了深刻印象,他将其分享给了内阁和军事顾问,甚至要求每一位美国陆军军官都阅读它。本文遵循了作者关于拼写和使用惯例的注释,这意味着像 Franchet d'Esperey 这样的名字的拼写与书中出现的一样,不使用变音符号。文本不使用第三人称叙述,并包含书中引用材料的页码。这些规则在文章的其他地方有所放宽,除了引用文本需要提供页码。作者芭芭拉·塔奇曼关注的是德国和法国之间的战争,但忽略了奥地利和俄罗斯或奥地利和塞尔维亚之间的冲突,除非它们对地中海有直接影响。在她的作者注中,她解释说,涵盖巴尔干半岛的复杂性需要太多细节,会损害这本书的统一性。此外,塔奇曼对苏霍姆利诺夫的描述也有错误,苏霍姆利诺夫实际上是在 1909 年而不是 1914 年被任命为战争部长。芭芭拉·W·塔奇曼的《八月炮声》一书在 1962 年出版后广受好评。在各种学术期刊上都可以找到值得注意的评论和分析,包括《军事事务》、《美国历史评论》和《现代史杂志》。这本书还受到了著名历史学家和学者的关注,例如乌尔里希·特朗普纳和奥伦·J·黑尔。约翰·肯尼迪总统对这本书印象特别深刻,经常在公开场合引用它并鼓励他的助手阅读它。他甚至将副本寄给了世界各地的每个美国军事基地。塔奇曼于 1963 年获得普利策奖,巩固了这本书在文学史上的地位。此后,这本书被公认为该领域的经典之作,出现在各种纪录片和关于历史事件的书籍中,包括迈克尔·多布斯的《午夜前一分钟》和罗伯特·麦克纳马拉的《回顾》。这本书的主题是外交紧张局势和第一次世界大战前夕,至今仍引起读者的共鸣。塔奇曼自己关于这一主题的作品受到广泛赞誉,许多该领域的专家称她的书是对战争前事件的开创性研究。这本书的文学价值也得到了认可,获得了 Shortform 读者的 4.7 星评价,并出现在 AFI 故事片目录中。总体而言,《八月炮声》仍然是历史分析领域极具影响力和广泛研究的作品,继续揭示现代历史上最关键的时刻之一。许多人低估了即将到来的冲突的严重性和持续时间。随着战斗的开始,一些人的假设被推翻了——英勇的进攻无法与现代枪支相抗衡。堡垒被巨大的大炮摧毁。此外,通讯和信息收集方面的问题也导致了混乱和失败。
海报 ID 标题 口头报告轨道 作者 组织(第一作者) 国家 1252 光电子气溶胶喷射印刷封装:线形态研究 先进的光电子学和 MEMS 封装 Siah, Kok Siong (1); Basu, Robin (2); Distler, Andreas (2); Häußler, Felix (1); Franke, Jörg (1); Brabec, Christoph J. (2,3,4); Egelhaaf, Hans-Joachim (2,3,4) 埃尔朗根-纽伦堡弗里德里希-亚历山大大学 德国 1341 量子级联激光器与中红外光子集成电路集成用于各种传感应用 先进的光电子学和 MEMS 封装 Kannojia, Harindra Kumar (1); Zhai, Tingting (1); Maulini, Richard (2); Gachet, David (2); Kuyken, Bart (1); Van Steenberge, Geert (1) Imec BE 1328 使用 SnAg 焊料在光子集成电路上进行 III-V 激光二极管倒装芯片键合 先进的光电子学和 MEMS 封装 Chi, Ting Ta (1); Ser Choong, Chong (1); Lee, Wen (1); Yuan, Xiaojun (2) 新加坡微电子研究所(IME) SG 1154 MEMS 腔体封装的芯片粘接材料选择 先进的光电子学和 MEMS 封装 Shaw, Mark; Simoncini, Daniele; Duca, Roseanne; Falorni, Luca; Carulli, Paola; Fedeli, Patrick; Brignoli, Davide STMicroelectronics IT 1262 使用高分辨率感光聚合物进行 500nm RDL 的双大马士革工艺 先进封装 1 Gerets, Carine Helena; Pinho, Nelson; Tseng, Wen Hung; Paulus, Tinneke; Labyedh, Nouha; Beyer, Gerald; Miller, Andy; Beyne, Eric Imec BE 1342 基于 ECC 的助焊剂清洁监控以提高先进封装产品的可靠性 先进封装 1 Wang, Yusheng; Huang, Baron; Lin, Wen-Yi; Zou, Zhihua; Kuo, Chien-Li TSMC TW 1256 先进封装中的助焊剂清洗:关键工艺考虑因素和解决方案 先进封装 1 Parthasarathy, Ravi ZESTRON Americas US 1357 根据 ICP 溅射蚀刻条件和关键设计尺寸调查 UBM/RDL 接触电阻 先进封装 2 Carazzetti, Patrik (1); Drechsel, Carl (1); Haertl, Nico (1); Weichart, Jürgen (1); Viehweger, Kay (2); Strolz, Ewald (1) Evatec AG CH 1389 使用薄蚀刻停止层在法布里-珀罗滤波器中实现精确的波长控制 先进封装 2 Babu Shylaja, Tina; Tack, Klaas; Sabuncuoglu Tezcan, Deniz Imec BE 1348 模块中亚太赫兹天线的封装技术 先进封装 2 Murayama, Kei (1); Taneda, Hiroshi (1); Tsukahara, Makoto (1); Hasaba, Ryosuke (2); Morishita, Yohei (2); Nakabayashi, Yoko (1) Shinko Electric Industries Co.,Ltd. JP 1230 55nm 代码低 k 晶圆组装和制造技术的多光束激光开槽工艺和芯片强度研究 1 Xia, Mingyue; Wang, Jianhong; Xu, Sean; Li, guangming; Liu, haiyan; Zhu, lingyan NXP Semiconductor CN 1215 批量微波等离子体对超宽引线框架尺寸的优化研究,以实现与分层组装和制造技术的稳健结果 1 LOO, Shei Meng; LEONE, Federico; CAICEDO,Nohora STMicroelectronics SG 1351 解决超薄芯片封装制造中的关键问题 组装与制造技术 1 Talledo, Jefferson; Tabiera, Michael; Graycochea Jr, Edwin STMicroelectronics PH 1175 系统级封装模块组装与制造技术中的成型空洞问题调查 2 Yang, Chaoran; Tang, Oscar; Song, Fubin Amazon CN 1172 利用倒装芯片铜柱高密度互连组装与制造技术增强 Cu OSP 表面粘性助焊剂的 DI 水清洁性 2 Lip Huei, Yam; Risson Olakkankal, Edrina; Balasubramanian, Senthil KUmar Heraeous SG 1326 通过组件设计改进薄膜辅助成型性能 装配和制造技术 2 Law, Hong Cheng;Lim, Fui Yee;Low, Boon Yew;Pang, Zi Jian;Bharatham, Logendran;Yusof, Azaharudin;Ismail, Rima Syafida;Lim, Denyse Shyn Yee;Lim, Shea Hu NXP 半导体 MY 1224 对不同引线框架材料进行等离子清洗以研究超大引线框架上氧化与分层的影响 装配和制造技术 2 CHUA, Yeechong; CHUA, Boowei; LEONE, Federico; LOO, Shei Meng STMicroelectronics SG 1185 在低温系统中为射频传输线寻找最佳材料选择 装配和制造技术 3 Lau, Daniel (1); Bhaskar, Vignesh Shanmugam (1); Ng, Yong Chyn (1); Zhang, Yiyu (2); Goh, Kuan Eng Johnson (2); Li, Hongyu (1) 新加坡微电子研究院 (IME) SG 1346 探索直接激光回流技术以在半导体基板上形成稳定可靠的焊料凸点界面 装配与制造技术 3 Fisch, Anne; PacTech US 1366 通过改进工艺和工具设计消除陶瓷 MEMS 封装上的受损引线键合 装配与制造技术 3 Bamba, Behra Esposo;Tabiera, Michael Tabiera;Gomez, Frederick Ray Gomez STMicroelectronics PH 1255 原位表征等离子体种类以优化和改进工艺 装配与制造技术 3 Capellaro, Laurence; STMicroelectronics PH 1234 高度集成的 AiP 设计,适用于 6G 应用 汽车和功率器件封装 WU, PO-I;Kuo, Hung-Chun;Jhong, Ming-Fong;Wang, Chen-Chao 日月光集团 TW 1298 用于自动导引车的高分辨率 MIMO 雷达模块开发的封装协同设计 汽车和功率器件封装 Tschoban, Christian;Pötter, Harald Fraunhofer IZM DE 1306 下一代汽车微控制器倒装芯片铜柱技术的稳健性方法 汽车和功率器件封装 Tan, Aik Chong;Bauer, Robert;Rau, Ingolf;Doering, Inga 英飞凌科技 SG 1387 在烧结工艺改进下商业和定制铜烧结膏的键合强度比较 汽车和功率器件封装 Meyer, Meyer;Gierth, Karl Felix Wendelin;Meier, Karsten;Bock,德累斯顿卡尔海因茨工业大学 DE 1380 用于红外激光脱粘的高温稳定临时粘接粘合剂使薄晶圆的新型工艺集成成为可能 键合与脱粘工艺 Koch, Matthew (1); kumar, Amit (1); Brandl, Elisabeth (2); Bravin, Julian (2); Urban, Peter (2); Geier, Roman (3); Siegert, Joerg (3) Brewer Science UK 1250 临时键合晶圆的分层:综合研究 键合与脱粘工艺 JEDIDI, NADER Imec BE 1192 芯片堆叠应用中临时键合和脱粘工艺相关的表面质量挑战 键合与脱粘工艺 Chaki Roy, Sangita; Vasarla, Nagendra Sekhar; Venkataraman, Nandini 微电子研究所(IME),新加坡 SG 1108 针对 UCIe 和 BOW 应用的 2.5D 基板技术上密集线通道的信号完整性分析 电气模拟和特性 1 Rotaru, Mihai Dragos 微电子研究所(IME),新加坡 SG 1161 用于无线电信应用的自互补缝隙地下结构覆盖层的设计 电气模拟和特性 1 Rong, Zihao (1); Yi, Yuantong (1); Tateishi, Eiichi (2); Kumagae, Takaya (2); Kai, Nobuhiro (2); Yamaguchi, Tatsuya (3); Kanaya, Haruichi (1) 九州大学 JP 1167 基于近场扫描的芯片等效电磁辐射模型,用于陶瓷 SiP 中的 EMI 分析 电气模拟和特性 1 liang, yaya;杜平安 电子科技大学 CN 1280 三维集成系统中高速互连传输结构设计与优化 电气仿真与特性分析 2 李存龙;李振松;苗敏 北京信息科技大学 CN 1355 基于通用 Chiplet 互连快递(UCIe)的 2.5D 先进封装互连信号完整性仿真与分析 电气仿真与特性分析 2 范宇轩(1,2);甘汉臣(1,2);周云燕(1);雷波(1);宋刚(1);王启东(1) 中国科学院微电子研究所 CN 1109 具有 5 层正面铜金属和 2 层背面铜 RDL 的硅通孔中介层(TSI)电气特性与可靠性研究 电气仿真与特性分析 2 曾雅菁;刘丹尼尔;蔡鸿明;李宏宇 新加坡微电子研究所 (IME) SG 1241 利用多层基板集成同轴线开发紧凑型宽带巴伦 电气仿真和特性 2 Sato, Takumi (1); Kanaya, Haruichi (1); Ichirizuka, Takashi (2); Yamada, Shusaku (2) 九州大学 JP 1200 一种降低 IC 封装中高速通道阻抗不连续性的新方法 电气仿真和特性 3 Luo, Jiahu (1); zheng, Boyu (1,2); Song, Xiaoyuan (1); Jiang, Bo (1); Lee, SooLim (1) 长沙安木泉智能科技有限公司Ltd CN 1201 去耦电容位置对 fcBGA 封装中 PDN 阻抗的影响 电气仿真与特性 3 宋小元 (1); 郑博宇 (1,2); 罗家虎 (1); 魏平 (1); 刘磊 (1) 长沙安木泉智能科技有限公司 CN 1162 有机基板中 Tera-Hz 电气特性探讨 电气仿真与特性 3 林和川; 赖家柱; 施天妮; 康安乐; 王宇珀 SPIL TW 1202 采用嵌入式硅扇出型 (eSiFO®) 技术的双 MOSFET 开关电路集成模块 嵌入式与扇出型封装 强文斌; 张先鸥; 孙祥宇; 邓帅荣;杨振中 中国工程物理研究院 中国成都 CN 1131 FOStrip® 技术 - 一种用于基板封装上条带级扇出的低成本解决方案 嵌入式和扇出型封装 林义雄 (1); 施孟凯 (2); 丁博瑞 (2); 楼百耀 (1); 倪汤姆 (1) 科雷半导体有限公司,鸿海科技集团 TW 1268 扇出型面板级封装(FOPLP)中铝焊盘的腐蚀行为 嵌入式和扇出型封装 余延燮 (1); 朴世允 (2); 金美阳 (2); 文泰浩 (1) 三星电子 KR 1253 全加成制造灯泡的可行性和性能 新兴技术 Ankenbrand, Markus; Piechulek, Niklas; Franke, Jörg Friedrich-Alexander-Universität Erlangen-Nürnberg DE 1377 航空用激光直接结构化机电一体化设备的创新和挑战:材料开发、组件设计和新兴技术 Piechulek, Niklas;安肯布兰德,马库斯;徐雷;弗罗利希,扬;阮香江; Franke, Jörg Lehrstuhl für Fertigungsautomatisierung und Produktionssyste DE 1128 使用深度神经网络新兴技术从芯片到自由空间耦合生成光束轮廓 Lim, Yu Dian (1); Tan, Chuan Seng (1,2) 南洋理工大学 SG 1195 SiCN 混合键合应用的 CMP 后清洁优化 混合和熔融键合 1 JI, Hongmiao (1);LEE, Chaeeun (1);TEE, Soon Fong (1);TEO, Wei Jie (1);TAN, Gee Oon (1);Venkataraman, Nandini (1);Lianto, Prayudi (2);TAN, Avery (2);LIE, Jo新加坡微电子研究所 (IME) SG 1187 混合键合中模糊对准标记的改进边缘检测算法 混合和熔融键合 1 Sugiura, Takamasa (1);Nagatomo, Daisuke (1);Kajinami, Masato (1);Ueyama, Shinji (1);Tokumiya, Takahiro (1);Oh, Seungyeol (2);Ahn, Sungmin (2);Choi, Euisun ( 三星日本公司 JP 1313 芯片到晶圆混合和熔融键合以实现先进封装应用混合和熔融键合 1 Papanu, James Stephen (2,5);Ryan, Kevin (2);Noda, Takahiro (1);Mine, Yousuke (1);Ishii, Takayuki (1);Michinaka, Satoshi (1);Yonezawa, Syuhei (4);Aoyagi,Chika Tokyo Electron Limited 美国 1283 细间距混合键合中结构参数和错位对键合强度影响的有限元分析 混合与熔融键合 1 石敬宇(1); 谭林(1); 胡杨(1); 蔡健(1,2); 王倩(1,2); 石敬宇(1) 清华大学 CN 1211 下一代热压键合设备 混合与熔融键合 2 Abdilla, Jonathan Besi NL 1316 聚对二甲苯作为晶圆和芯片键合以及晶圆级封装应用的粘合剂 混合与熔融键合 2 Selbmann, Franz (1,2); Kühn, Martin (1,2); Roscher, Frank (1); Wiemer, Maik (1); Kuhn, Harald (1,3); Joseph, Yvonne (2) 弗劳恩霍夫电子纳米系统研究所 ENAS DE 1368 芯片到晶圆混合键合与聚合物钝化混合和熔融键合的工艺开发 2 Xie, Ling 新加坡微电子研究所 (IME) SG 1221 使用经验和数值方法研究焊料凸点和接头间隙高度分布 互连技术 1 Wang, Yifan; Yeo, Alfred; CHAN, Kai Chong JCET SG 1134 焊球合金对板级可靠性的影响 热循环和振动测试增强 互连技术 1 Chen, Fa-Chuan (1); Yu, Kevin (1); Lin, Shih-Chin (1); Chu, Che-Kuan (2); Lin, Tai-Yin (2); Lin, Chien-Min (2) 联发科 TW 1295 SAC305/SnBi 混合焊料界面分析及焊料硬度与剪切力关系比较 互连技术 1 Sung, Minjae (1); Kim, Seahwan (2); Go, Yeonju (3); Jung, Seung-boo (1,2) 成均馆大学 KR 1146 使用夹子作为互连的多设备功率封装组装 互连技术 2 Wai, Leong Ching; Yeo, Yi Xuan; Soh, Jacob Jordan; Tang, Gongyue 微电子研究所 (IME),新加坡 SG 1129 存储器封装上再生金键合线的特性 互连技术 2 Chen, Yi-jing; Zou, Yung-Sheng; Chung, Min-Hua;颜崇良 Micron TW 1126 不同条件下焊料凸块电迁移行为调查 互连技术 2 罗毅基 Owen (1); 范海波 (1); 钟晨超 Nick (1); 石宇宁 (2) Nexperia HK 1168 SnBi 焊料与 ENEPIG 基板关系中 NiSn4 形成的研究 互连技术 2 王毅文; 蔡正廷; 林子仪 淡江大学 TW 1159 用于 3D 晶圆级封装中电感器和平衡不平衡变压器的感光水性碱性显影磁性材料 材料与加工 1 增田诚也; 出井弘彰; 宫田哲史; 大井翔太; Suzuki, Hiroyuki FUJIFILM Corporation JP 1118 新型芯片粘接粘合剂满足汽车 MCU 封装材料和加工的严苛性能、可靠性和成本目标 1 Kang, Jaeik; Hong, Xuan; Zhuo, Qizhuo; Yun, Howard; Shim, Kail; Rathnayake, Lahiru; Surendran, Rejoy; Trichur,Ram Henkel Corporation 美国 1173 通过在铜引线框架上进行无压烧结提高器件性能 材料与加工 1 Danila, Bayaras, Abito; Balasubramanian, Senthil KUmar Heraeous SG 1137 用于功率分立器件的新型无残留高铅焊膏 材料与加工 2 Bai, Jinjin; Li, Yanfang; Liu, Xinfang; Chen, Fen; Liu, Yan 铟泰公司 CN 1220 用于系统级封装(SiP)应用的低助焊剂残留免清洗焊膏 材料与加工 2 Liu, Xinfang; Bai, Jinjin; Chen, Fen; Liu, Yan 铟泰公司(苏州)有限公司 CN 1176 不同熔点焊料的基本性质及键合性质分析 材料与加工 2 Kim, Hui Joong; Lee, Jace; Lee, Seul Gi; Son, Jae Yeol; Won, Jong Min; Park, Ji Won; Kim, Byung Woo; Shin, Jong Jin; Lee, Tae Kyu MKE KR 1124 一种用于表征 WLCSP 封装材料和加工中 PBO 附着力的新方法 2 CHEN, Yong; CHANG, Jason; GANI, David; LUAN, Jing-en; CATTARINUZZI, Emanuele STMicroelectronics SG 1247 磁控溅射制备银及银铟固溶体薄膜微结构与力学性能研究 材料与工艺 3 赵爽 (1);林鹏荣 (2,3);张东林 (1);王泰宇 (1);刘思晨 (1);谢晓晨 (2);徐诗萌 (2);曲志波 (2);王勇 (2);赵秀 北京理工大学 CN 1206 多功能感光聚合物在与纳米晶 Cu 材料低温混合键合中的应用及工艺 3 陈忠安 (1);李嘉欣 (1);李欧翔 (2);邱伟兰 (2);张祥鸿 (2); Yu, Shih-cheng (2) Brewer Science TW 1308 闪光灯退火(FLA)方法对热处理 Cu 薄膜和低介电树脂膜的适用性材料与加工 3 NOH, JOO-HYONG (1,2); Yi, DONG-JAE (1,2); SHISHIDO, YUI (1,2); PARK, JONG-YOUNG (2,3); HONMA, HIDEO (2) 关东学院大学 JP 1286 使用无有机溶胶的 Ag 纳米多孔片在 145°C 和 175°C 下对 Au 成品 Cu 基材进行低温 Ag 烧结和驱动力材料与加工 3 Kim, YehRi (1,2); Yu, Hayoung (1); Noh, Seungjun (3); Kim, Dongjin (1) 韩国工业技术研究院 KR 1279 用于 MEMS 应用的 AlN/Mo/AlN/多晶硅堆栈中的应力补偿效应 材料与加工 4 sharma, jaibir; Qing Xin, Zhang 新加坡微电子研究所(IME) SG 1254 热循环下 RDL 聚酰亚胺与底部填充材料之间相互作用对倒装芯片互连可靠性的影响研究 材料与加工 4 Chang, Hongda (1); Soriano, Catherine (1); Chen, WenHsuan (1); Yang, HungChun (2); Lai, WeiHong (2); Chaware, Raghunandan (1) 莱迪思半导体公司 TW 1281 使用低 α 粒子焊料消除沟槽 MOSFET 中的参数偏移 材料与加工 4 Gajda, Mark A. (1); de Leon, Charles Daniel T. (2); A/P Ramalingam, Vegneswary (3);桑蒂坎,Haima (3) Nexperia UK 1218 Sn–5Ag 无铅焊料中 Bi 含量对 IMC 机械性能和形态的影响 材料与加工 4 Liu, Kuan Cheng; Li, Chuan Shun; Teng, Wen Yu; Hung, Liang Yih; Wang, Yu-Po SPIL TW 1198 流速和电流密度对通孔铜沉积的影响 材料与加工 5 Zeng, Barry; Ye, Rick; Pai, Yu-Cheng; Wang, Yu-Po SPIL TW 1156 用于 MEMS 器件的可布线可润湿侧翼 材料与加工 5 Shaw, Mark; Gritti, Alex; Ratti, Andrea; Wong, Kim-Sing; Loh, Hung-meng; Casati, Alessandra; Antilano Jr, Ernesto; Soreda, Alvin STMicroelectronics IT 1294 ENEPIG 中 Pd 层厚度对焊点形貌和可靠性的影响 材料与加工 5 Yoon, JaeJun (1); Kim, SeaHwan (1); Jin, HyeRin (1); Lee, Minji (1); Shin, Taek Soo (1,2); Jung, Seung-Boo (1) 成均馆大学 KR 1228 无翘曲扇出型封装 材料与加工 6 Schindler, Markus; Ringelstetter, Severin; Bues, Martin; Kreul, Kilian; Chian, Lim See; Königer, Tobias Delo DE 1179 用于先进 BGA 组装的创新无助焊剂焊球附着技术(FLAT) 材料与加工 6 Kim, Dongjin (1); Han, Seonghui (1,3); Han, Sang Eun (1,4); Choi, Dong-Gyu (1,5); Chung, Kwansik (2); Kim, Eunchae (2); Yoo, Sehoon (1) 韩国工业技术研究院 KR 1375 用于电子封装材料与加工的超薄 ta-C 气密封接 6 Phua, Eric Jian Rong; Lim, Song Kiat Jacob; Tan, Yik Kai; Shi, Xu 纳米膜技术 SG 1246 用于高性能汽车 BGA 封装材料与加工的掺杂 SAC 焊球合金比较 6 Capellaro, Laurence (1); STMicroelectronics FR 1324 铜平衡和晶圆级翘曲控制以及封装应力和板级温度循环焊点可靠性的影响 机械模拟与特性 1 Mandal, Rathin 微电子研究所(IME),新加坡 SG 1340 扇出型封装翘曲的材料敏感性 - 模拟与实验验证 机械模拟与特性 1 Tippabhotla, Sasi Kumar; Soon Wee, David Ho 新加坡微电子研究所 (IME) SG 1147 用于汽车存储器应用的 SACQ 焊料可靠性评估的高级预测模型 机械模拟与特性 1 Pan, Ling (1); Che, Faxing (1); Ong, Yeow Chon (1); Yu, Wei (1); Ng, Hong wan (1); Kumar, Gokul (2); Fan, Richard (3); Hsu, Pony (3) 美光半导体亚洲 SG 1245 扇出型有机 RDL 结构的低翘曲解决方案 机械模拟与特性 2 Liu, Wei Wei; Sun, Jalex; Hsu, Zander; Hsu, Brian; Wu, Jeff; Chen, YH; Chen, Jimmy; Weng, Berdy; Yeh, CK 日月光集团 TW 1205 结构参数对采用铟热界面材料的 fcBGA 封装翘曲的影响 机械模拟与特性 2 Liu, Zhen (1); Dai, Qiaobo (1);聂林杰 (1);徐兰英 (1);滕晓东 (1);郑,博宇 (1,2) 长沙安木泉智能科技有限公司 CN 1141 三点弯曲试验条件下封装翘曲对封装强度评估的影响 机械模拟与表征 2 车发星 (1); Ong, Yeow Chon (1); 余伟 (1); 潘玲 (1); Ng, Hong Wan (1); Kumar, Gokul (2); Takiar, Hem (2) 美光半导体亚洲 SG 1181 回流焊过程中 PCB 基板影响下微导孔热机械疲劳寿命评估 机械模拟与表征 2 Syed, Mujahid Abbas; 余强 横滨国立大学 JP 1121 单调四点弯曲试验设计的分析 K 因子模型 机械模拟与表征 3 Kelly, Brian (1); Tarnovetchi, Marius (2); Newman, Keith (1) 高级微设备公司 美国 1135 增强带有嵌入式细间距互连芯片的大型先进封装的机械稳健性和完整性 机械仿真与表征 3 Ji, Lin; Chai, Tai Chong 微电子研究所 (IME),新加坡 SG 1116 通过实验和模拟研究基板铜垫裂纹 机械仿真与表征 3 Yu, Wei; Che, Fa Xing; Ong, Yeow Chon; Pan, Ling; Cheong, Wee Gee 美光半导体亚洲 SG 1130 不同晶圆预薄厚度的隐形切割工艺预测数值建模 机械模拟与表征 3 Lim, Dao Kun (1,2);Vempaty, Venkata Rama Satya Pradeep (2);Shah, Ankur Harish (2);Sim, Wen How (2);Singh, Harjashan Veer (2);Lim, Yeow Kheng (1) 美光半导体亚洲 SG 1235 扇出型基板上芯片平台的细线 RDL 结构分析 机械模拟与表征 4 Lai, Chung-Hung 日月光集团 TW 1197 极高应变率下板级封装结构中互连的动态响应 机械模拟与表征 4 Long, Xu (1); Hu, Yuntao (2); Shi, Hongbin (3);苏玉泰 (2) 西北工业大学 CN 1393 用于电动汽车应用的氮化硼基功率模块基板:一种使用有限元分析机械模拟和表征的设计优化方法 4 Zainudin,Muhammad Ashraf; onsemi MY 1345 面向 AI 辅助热管理策略设计 AI 应用的封装设计和特性 REFAI-AHMED, GAMAL (1);Islam, MD Malekkul (1);Shahsavan, Martia (1);Do, Hoa (1);Kabana, Hardik (2);Davenport, John L (2);Kocheemoolayil, Joseph G (2);HAdvanced Micro Devices US 1320 用于深度学习硬件加速器的双 2 芯片堆叠模块的工艺开发 AI 应用的封装设计和特性 Ser Choong Chong 微电子研究所 (IME),新加坡 SG 1398 用于表征 AI 芯片热性能的热测试载体 AI 应用的封装设计和特性 Shangguan, Dongkai (1); Yang, Cheng (2); Hang,Yin (3) 美国热工程协会 US 1164 使用 B 型扫描声学显微镜 (B-SAM) 对高性能计算设备的 TIM 中的空洞进行无损分析 质量、可靠性和故障分析 1 Song, Mei Hui; Tang, Wai Kit; Tan, Li Yi 超威半导体 SG 1361 通过环上的纳米压痕评估芯片级断裂韧性的方法 质量、可靠性和故障分析 1 Zhu, Xintong; Rajoo, Ranjan; Nistala, Ramesh Rao; Mo, Zhi Qiang 格芯 新加坡 SG 1140 移动带电物体在不同类型电子设备盒中产生的静电感应电压 质量、可靠性和故障分析 1 Ichikawa, Norimitsu 日本工学院大学 JP 1350 使用 NanoSIMS 对半导体器件的掺杂剂和杂质进行高空间分辨率成像 质量、可靠性和故障分析 1 Sameshima, Junichiro; Nakata, Yoshihiko; Akahori, Seishi; Hashimoto, Hideki; Yoshikawa, Masanobu 东丽研究中心,公司 JP 1184 铌上铝线键合的优化用于低温封装质量、可靠性和故障分析 2 Norhanani Jaafar 微电子研究所 (IME),新加坡 SG 1182 基于超声波兰姆波静态分量的层压芯片连接中的原位微裂纹定位和成像质量、可靠性和故障分析 2 Long, Xu (1); Li, Yaxi (2); Wang, Jishuo (3); Zhao, Liang (3);袁伟锋 (3) 西北工业大学 CN 1122 采用 OSP/Cu 焊盘表面处理的 FCCSP 封装的 BLR 跌落试验研究 质量、可靠性和故障分析 2 刘金梅 NXP CN 1236 材料成分对铜铝线键合可靠性的影响 质量、可靠性和故障分析 2 Caglio, Carolina (1); STMicroelectronics IT 1362 通过 HALT 测试建立多层陶瓷电容器的寿命建模策略 质量、可靠性和故障分析 3 杨永波; 雍埃里克; 邱文 Advanced Micro Devices SG 1407 使用实验和数值方法研究铜柱凸块的电迁移 质量、可靠性和故障分析 3 赵发成; 朱丽萍; Yeo, Alfred JCET SG 1370 使用 NIR 无模型 TSOM 进行嵌入式缺陷深度估计 质量、可靠性和故障分析 3 Lee, Jun Ho (1); Joo, Ji Yong (1); Lee, Jun Sung (1); Kim, Se Jeong (1); Kwon, Oh-Hyung (2) 公州国立大学KR 1207 自适应焊盘堆栈使嵌入式扇出型中介层中的桥接芯片位置公差提高了数量级 硅中介层和加工 Sandstrom, Clifford Paul (1);Talain, John Erickson Apelado (1);San Jose, Benedict Arcena (1);Fang, Jen-Kuang (2);Yang, Ping-Feng (2);Huang, Sheng-Feng (2);Sh Deca Technologies US 1119 硅中介层用于毫米波 Ka 和 V 波段卫星应用的异构集成平台 硅中介层和加工 Sun, Mei;Ong, Javier Jun Wei;Wu, Jia Qi;Lim, Sharon Pei Siang;Ye, Yong Liang;Umralkar, Ratan Bhimrao;Lau,Boon Long;Lim, Teck Guan;Chai, Kevin Tshun Chua新加坡微电子研究所 (IME) SG 1138 大型 RDL 中介层封装的开发:RDL 优先 FOWLP 和 2.5D FO 中介层硅中介层和加工 Ho, Soon Wee David; Soh, Siew Boon; Lau, Boon Long; Hsiao, Hsiang-Yao; Lim, Pei Siang; Rao, Vempati Srinivasa 新加坡微电子研究所 (IME) SG 1209 硅集成多端深沟槽电容器技术的建模和制造硅中介层和加工 Lin, Weida (1); Song, Changming (2); Shao, Ziyuan (3); Ma, Haiyan (2); Cai, Jian (2,4); Gao, Yuan (1);王倩 (2,4) 清华大学 CN 1309 探索半导体缺陷检测的扩散模型 智能制造、设备和工具协同设计 陆康康;蔡礼乐;徐迅;帕瓦拉曼普里特;王杰;张理查德;符传胜 新加坡科技研究局信息通信研究所 (I2R) SG 1287 用于 HBM 3D 视觉检查的端到端快速分割框架 智能制造、设备和工具协同设计 王杰 (1);张理查德 (1);林明强 (2);张斯忠 (2);杨旭蕾 (1); Pahwa, Ramanpreet Singh (1) 新加坡科技研究局 (A*STAR) 信息通信研究所 (I2R) SG 1327 半导体芯片和封装协同设计和组装,用于倒装芯片和引线键合 BGA 封装智能制造、设备和工具协同设计 rongrong.jiang@nxp.com, trent.uehling@nxp.com, bihua.he@nxp.com, tingdong.zhou@nxp.com, meijiang.song@nxp.com, azham.mohdsukemi@nxp.com, taki.fan NXP CN 1113 评估带盖高性能微处理器上铟热界面材料 (TIM) 横截面方法热界面材料 Neo, Shao Ming; Song, Mei Hui; Tan, Kevin Bo Lin; Lee, Xi Wen; Oh, Zi Ying; Foo, Fang Jie 美国超微半导体公司 SG 1125 铟银合金热界面材料可靠性和覆盖率下降机制分析 热界面材料 Park, Donghyeon 安靠科技 韩国 KR 1225 金属 TIM 热界面材料的免清洗助焊剂选择 Li, Dai-Fei; Teng, Wen-Yu; Hung, Liang-Yih; Kang, Andrew; Wang, Yu-Po SPIL TW 1136 倒装芯片 GaN-on-SiC HEMT 的热设计和分析 热管理和特性 1 Feng, Huicheng; Zhou, Lin; Tang, Gongyue; Wai, Eva Leong Ching; Lim, Teck Guan 新加坡微电子研究所 (IME) SG 1163 用于高性能计算的硅基微流体冷却器封装集成 热管理和特性 1 Han, Yong; Tang, Gongyue; Lau, Boon Long 微电子研究所 (IME),新加坡 SG 1103 电源管理 IC 器件效率和热研究 热管理和特性 1 Ge, Garry; Xu, LQ; Zhang, Bruce; Zeng, Dennis NXP 半导体 CN 1274 实时评估重新分布层 (RDL) 有效热导率分布 热管理和特性 2 Liu, Jun; Li, Yangfan; Cao, Shuai; Sridhar, N.新加坡科技研究局高性能计算研究所 SG 1282 POD-ANN 热建模框架,用于 2.5D 芯片设计的快速热分析 热管理和特性 2 李扬帆;刘军;曹帅;Sridhar, Narayanaswamy 新加坡科技研究局高性能计算研究所 SG 1171 接触特性对无油脂均匀接触表面热接触阻的影响 热管理和特性 2 Aoki, Hirotoshi (1); Fushinobu, Kazuyoshi (2); Tomimura, Toshio (3) KOA corporation JP 1259 从封装热测量到材料特性:远程荧光粉老化测试 热管理和特性 3 Hegedüs, János; Takács, Dalma; Hantos, Gusztáv; Poppe, András 布达佩斯技术与经济大学 HU 1343 使用强化学习优化热感知异构 2.5D 系统中的芯片放置 热管理和特性 3 Kundu, Partha Pratim (1); Furen, Zhuang (1); Sezin, Ata Kircali (1); Yubo, Hou (1); Dutta, Rahul (2); James, Ashish (1) 新加坡科技城信息通信研究所 (I2R) SG 1354 使用贝叶斯优化进行高效的热感知平面规划:一种高效模拟方法 热管理和特性 3 Zhuang, Furen (1); Pratim Kundu, Partha (1); Kircali Sezin, Ata (1); Hou, Yubo (1); Dutta, Rahul (2); James, Ashish (1) 新加坡科技研究局 (A*STAR) 信息通信研究所 (I2R) SG 1258 大面积覆盖波长转换荧光粉的 LED 封装的热特性 热管理和特性 4 Hantos, Gusztáv;Hegedüs, János;Lipák, Gyula;Németh, Márton;Poppe, András 布达佩斯理工经济大学 HU 1199 多芯片功率 µModules 热性能增强研究 热管理和特性 4 Dai, Qiaobo (1); Liu, Zhen (1); Liao, Linjie (2); Zheng, Boyu (1,3); Liu, Zheng (1); Yuan, Sheng (1) 长沙安木泉智能科技有限公司 CN 1269 用于电源逆变器应用中直接冷却的大面积银微孔连接的耐热可靠性 热管理和特性 4 Yu, HaYoung;Kim, Seoah; Kim, Dongjin 韩国工业技术研究院 KR 1289 基于 PCM 的散热器的数值优化用于高功率密度电子产品热管理 热管理和特性 4 HU, RAN (1,2); Du, Jianyu (2); Shi, Shangyang (1,2); Lv, Peijue (1,2); Cao, Huiquan (2); Jin, Yufeng (1,2); Zhang, Chi (2,3,4); Wang, Wei (2,3,4) 北京大学 CN 1344 通过机器学习 TSV 和晶圆级封装加速细间距晶圆间混合键合中的套刻误差优化 1 James, Ashish (1); Venkataraman, Nandini (2); Miao, Ji Hong (2); Singh, Navab (2);李晓莉 (1) 新加坡微电子研究所 (IME) SG 1373 300mm 晶圆级 TSV 工艺中钌种子层直接镀铜研究 TSV 和晶圆级封装 1 Tran,Van Nhat Anh;Venkataraman, Nandini;Tseng, Ya-Ching;陈智贤 新加坡微电子研究所 (IME) SG 1227 利用小型数据库上的集成学习预测晶圆级封装的可靠性寿命 TSV 和晶圆级封装 1 苏清华 (1);袁卡德摩斯 (2);蒋国宁 (1) 国立清华大学 TW 1396 数字光刻在利用新型 PI 电介质进行 UHD FoWLP 图案化中的优势 TSV 和晶圆级封装 2 Varga, Ksenija EV Group AT 1193 芯片到晶圆和晶圆到晶圆密度估计和设计规则物理验证。TSV 和晶圆级封装 2 Mani, Raju;Dutta, Rahul;Cheemalamarri, Hemanth Kumar; Vasarla Nagendra,Sekhar 微电子研究所 (IME),新加坡 SG 1374 面板级精细图案化 RDL 中介层封装 TSV 和晶圆级封装 2 Park, Jieun;Kim, Dahee;Choi, Jaeyoung;Park, Wooseok;Choi, Younchan;Lee, Jeongho;Choi, Wonkyoung 三星电子 KR 1180 针对透模中介层 (TMI) 加工 TSV 和晶圆级封装的高深宽比铜柱制造优化 4 Peh, Cun Jue;Lau, Boon Long;Chia, Lai Yee;Ho, Soon Wee。新加坡微电子研究所(IME) SG 1405 2.5D/3D 封装的拆分工艺集成 TSV 和晶圆级封装 4 Li, Hongyu (1);Vasarla Nagendra, Sekhar (1);Schwarzenbach, Walter (2);Besnard, Guillaume (2);Lim, Sharon (1);BEN MOHAMED, Nadia (2);Nguyen, Bich-Yen (2) 新加坡微电子研究所(IME) SG 1369 通过晶圆芯片工艺中的键合序列优化实现生产率最大化 TSV 和晶圆级封装 4 Kim, Junsang (1);Yun, Hyeonjun (1);Kang, Mingu (1);Cho, Kwanghyun (1);Cho, Hansung (1);Kim, Yunha (1);Moon, Bumki (1);Rhee, Minwoo (1);Jung, Youngseok (2 三星电子 KR 1412 综合使用不同分割方法的玻璃芯片强度比较晶圆加工和特性 1 WEI, FRANK DISCO CORPORATION 美国 1388 用于微流体和 CMOS 电子扇出型 200mm 重组晶圆晶圆加工和特性 1 Wei, Wei; Zhang, Lei; Tobback, Bert; Visker, Jakob; Stakenborg, Tim; Karve, Gauri; Tezcan, Deniz Sabuncuoglu Imec BE 1332 基于衍射的对准传感器和标记设计优化,以实现与玻璃晶圆粘合的 50 微米厚 Si 晶圆的精细覆盖精度晶圆加工和特性 1 Tamaddon, Amir-Hossein (1);Jadli, Imene (1);Suhard, Samuel (1);Jourdain, Anne (1);Hsu, Alex (2);Schaap, Charles (2);De Poortere, Etienne (2);Miller, Andy (1);Ke Imec BE 1352 用于 200mm 晶圆上传感器应用的 CMOS 兼容 2D 材料集成晶圆加工和特性 2 Yoo, Tae Jin; Tezcan, Deniz Sabuncuoglu Imec BE 1384 在 200mm CMOS 图像传感器晶圆上制造高光谱组件晶圆加工和特性 2 Babu Shylaja, Tina;柳泰金;吉伦,伯特;塔克,克拉斯;萨本库奥卢·特兹坎,Deniz Imec BE 1367 在基于芯片的异构集成中,在芯片尺寸和封装参数之间进行权衡以实现最佳性价比。晶圆加工和特性 2 Zhai, Max (1); Sahoo, Krutikesh (2); Iyer, Subramanian (2) UCLA US 1390 表征键合界面处的含碳薄膜以用于背面供电网络 晶圆加工和特性 2 Kitagawa, Hayato; Sato, Ryosuke; Fuse, Junya; Yoshihara, Yuki; Inoue, Fumihiro 横滨国立大学 JP 1411 使用正性光刻胶掩模通过光刻步进机对 1µm 关键尺寸硅通孔进行图案化 晶圆加工和特性 3 Sundaram, Arvind (1); Kang, Riley (2); Bhesetti, Chandra Rao (1) 新加坡微电子研究所 (IME) SG 1410 用于多代工厂兼容超导中介层晶圆级处理的铌最后工艺晶圆加工和特性 3 Goh, Simon Chun Kiat;Ng, Yong Chyn;Ong, Javier Jun Wei;Lau, Daniel;Tseng, Ya-Ching;Jaafar, Norhanani;Yoo, Jae Ok;Liu, Liyuan;Teo, Everline Shu Yun;Chua, N 新加坡微电子研究所 (IME) SG 1331 一种使用磁和毛细管辅助自对准的新型 D2W 键合对准方案晶圆加工和特性 3 Choi, Daesan (1); Kim, Sumin (2); Hahn, Seung Ho (1); Moon, Bumki (1); Rhee, Daniel Minwoo (1) 三星电子 KR 1233 高可靠性底部端接封装侧壁电镀的新型湿化学处理 晶圆加工和特性 4 Hovestad, Arjan (1); Basu, Tarun (2) Besi NL 1285 通孔氧化铝通孔的制造:一种使用超声波加工和化学沉积的经济高效的替代方法 晶圆加工和特性 4 Pawar, Karan; Pandey, Harsh; Dixit, Pradeep 印度理工学院孟买分校 IN 1123 fcBGA 与扇出型 SiPlet 封装的电气、热学和机械性能比较 晶圆加工和特性 4 Ouyang, Eric; Ahn, Billy; Han, BJ; Han, Michael; Kang, Chen; Oh, Michael Silicon Box US 1397 用于 5G 毫米波智能手机应用的带可控波束的紧凑型 1x4 天线阵列 无线和天线封装设计 Hsieh, Sheng-Chi ASE GROUP TW 1139 开发 2.4GHz 频段 L 形圆极化缝隙天线 无线和天线封装设计 Suehiro, Kazuki; Nakashima, Kenta; Kanaya, Haruichi 九州大学 JP 1203 通过多级 Cockcroft-Walton 电路开发远程无线能量收集电路 无线和天线封装设计 Tagawa, Nobuya; Hosaka, Ryoma; Tanaka, Hayato; Goodwill, Kumar; Kanaya, Haruichi 九州大学 JP 1261 Chiplet 时代的成本性能协同优化 AI 应用的封装设计和特性 Graening, Alexander Phillip (1);Patel, Darayus Adil (2);Sisto, Giuliano (2);Lenormand, Erwan (2);Perumkunnil, Manu (2);Pantano, Nicolas (2);Kumar, Vinay BY (2);GUCLA US(2);GUCLA美国(2);GUCLA美国(2);GUCLA美国(2);GUCLA美国(2);GUCLA美国(2);GUCLA美国晶圆加工和特性 2 Zhai, Max (1); Sahoo, Krutikesh (2); Iyer, Subramanian (2) UCLA US 1390 键合界面含碳薄膜的特性分析以应用于背面功率传输网络 晶圆加工和特性 2 Kitagawa, Hayato; Sato, Ryosuke; Fuse, Junya; Yoshihara, Yuki; Inoue, Fumihiro 横滨国立大学 JP 1411 使用正性光刻胶掩模通过光刻步进机对 1µm 临界尺寸硅通孔进行图案化 晶圆加工和特性 3 Sundaram, Arvind (1); Kang, Riley (2); Bhesetti, Chandra Rao (1) 新加坡微电子研究所 (IME) SG 1410 用于多代工厂兼容超导中介层晶圆级处理的铌最后工艺晶圆加工和特性 3 Goh, Simon Chun Kiat;Ng, Yong Chyn;Ong, Javier Jun Wei;Lau, Daniel;Tseng, Ya-Ching;Jaafar, Norhanani;Yoo, Jae Ok;Liu, Liyuan;Teo, Everline Shu Yun;Chua, N 新加坡微电子研究所 (IME) SG 1331 一种使用磁和毛细管辅助自对准的新型 D2W 键合对准方案晶圆加工和特性 3 Choi, Daesan (1); Kim, Sumin (2); Hahn, Seung Ho (1); Moon, Bumki (1); Rhee, Daniel Minwoo (1) 三星电子 KR 1233 高可靠性底部端接封装侧壁电镀的新型湿化学处理 晶圆加工和特性 4 Hovestad, Arjan (1); Basu, Tarun (2) Besi NL 1285 通孔氧化铝通孔的制造:一种使用超声波加工和化学沉积的经济高效的替代方法 晶圆加工和特性 4 Pawar, Karan; Pandey, Harsh; Dixit, Pradeep 印度理工学院孟买分校 IN 1123 fcBGA 与扇出型 SiPlet 封装的电气、热学和机械性能比较 晶圆加工和特性 4 Ouyang, Eric; Ahn, Billy; Han, BJ; Han, Michael; Kang, Chen; Oh, Michael Silicon Box US 1397 用于 5G 毫米波智能手机应用的带可控波束的紧凑型 1x4 天线阵列 无线和天线封装设计 Hsieh, Sheng-Chi ASE GROUP TW 1139 开发 2.4GHz 频段 L 形圆极化缝隙天线 无线和天线封装设计 Suehiro, Kazuki; Nakashima, Kenta; Kanaya, Haruichi 九州大学 JP 1203 通过多级 Cockcroft-Walton 电路开发远程无线能量收集电路 无线和天线封装设计 Tagawa, Nobuya; Hosaka, Ryoma; Tanaka, Hayato; Goodwill, Kumar; Kanaya, Haruichi 九州大学 JP 1261 Chiplet 时代的成本性能协同优化 AI 应用的封装设计和特性 Graening, Alexander Phillip (1);Patel, Darayus Adil (2);Sisto, Giuliano (2);Lenormand, Erwan (2);Perumkunnil, Manu (2);Pantano, Nicolas (2);Kumar, Vinay BY (2);GUCLA US晶圆加工和特性 2 Zhai, Max (1); Sahoo, Krutikesh (2); Iyer, Subramanian (2) UCLA US 1390 键合界面含碳薄膜的特性分析以应用于背面功率传输网络 晶圆加工和特性 2 Kitagawa, Hayato; Sato, Ryosuke; Fuse, Junya; Yoshihara, Yuki; Inoue, Fumihiro 横滨国立大学 JP 1411 使用正性光刻胶掩模通过光刻步进机对 1µm 临界尺寸硅通孔进行图案化 晶圆加工和特性 3 Sundaram, Arvind (1); Kang, Riley (2); Bhesetti, Chandra Rao (1) 新加坡微电子研究所 (IME) SG 1410 用于多代工厂兼容超导中介层晶圆级处理的铌最后工艺晶圆加工和特性 3 Goh, Simon Chun Kiat;Ng, Yong Chyn;Ong, Javier Jun Wei;Lau, Daniel;Tseng, Ya-Ching;Jaafar, Norhanani;Yoo, Jae Ok;Liu, Liyuan;Teo, Everline Shu Yun;Chua, N 新加坡微电子研究所 (IME) SG 1331 一种使用磁和毛细管辅助自对准的新型 D2W 键合对准方案晶圆加工和特性 3 Choi, Daesan (1); Kim, Sumin (2); Hahn, Seung Ho (1); Moon, Bumki (1); Rhee, Daniel Minwoo (1) 三星电子 KR 1233 高可靠性底部端接封装侧壁电镀的新型湿化学处理 晶圆加工和特性 4 Hovestad, Arjan (1); Basu, Tarun (2) Besi NL 1285 通孔氧化铝通孔的制造:一种使用超声波加工和化学沉积的经济高效的替代方法 晶圆加工和特性 4 Pawar, Karan; Pandey, Harsh; Dixit, Pradeep 印度理工学院孟买分校 IN 1123 fcBGA 与扇出型 SiPlet 封装的电气、热学和机械性能比较 晶圆加工和特性 4 Ouyang, Eric; Ahn, Billy; Han, BJ; Han, Michael; Kang, Chen; Oh, Michael Silicon Box US 1397 用于 5G 毫米波智能手机应用的带可控波束的紧凑型 1x4 天线阵列 无线和天线封装设计 Hsieh, Sheng-Chi ASE GROUP TW 1139 开发 2.4GHz 频段 L 形圆极化缝隙天线 无线和天线封装设计 Suehiro, Kazuki; Nakashima, Kenta; Kanaya, Haruichi 九州大学 JP 1203 通过多级 Cockcroft-Walton 电路开发远程无线能量收集电路 无线和天线封装设计 Tagawa, Nobuya; Hosaka, Ryoma; Tanaka, Hayato; Goodwill, Kumar; Kanaya, Haruichi 九州大学 JP 1261 Chiplet 时代的成本性能协同优化 AI 应用的封装设计和特性 Graening, Alexander Phillip (1);Patel, Darayus Adil (2);Sisto, Giuliano (2);Lenormand, Erwan (2);Perumkunnil, Manu (2);Pantano, Nicolas (2);Kumar, Vinay BY (2);GUCLA USSubramanian (2) UCLA US 1390 表征键合界面处含碳薄膜以用于背面功率传输网络晶圆处理和表征 2 Kitagawa, Hayato; Sato, Ryosuke; Fuse, Junya; Yoshihara, Yuki; Inoue, Fumihiro 横滨国立大学 JP 1411 使用正性光刻胶掩模通过光刻步进机对 1µm 临界尺寸硅通孔进行图案化晶圆处理和表征 3 Sundaram, Arvind (1); Kang, Riley (2); Bhesetti, Chandra Rao (1) 新加坡微电子研究所 (IME) SG 1410 用于多代工厂兼容超导中介层晶圆级处理的铌最后工艺晶圆加工和特性 3 Goh, Simon Chun Kiat;Ng, Yong Chyn;Ong, Javier Jun Wei;Lau, Daniel;Tseng, Ya-Ching;Jaafar, Norhanani;Yoo, Jae Ok;Liu, Liyuan;Teo, Everline Shu Yun;Chua, N 新加坡微电子研究所 (IME) SG 1331 一种使用磁和毛细管辅助自对准的新型 D2W 键合对准方案晶圆加工和特性 3 Choi, Daesan (1); Kim, Sumin (2); Hahn, Seung Ho (1); Moon, Bumki (1); Rhee, Daniel Minwoo (1) 三星电子 KR 1233 高可靠性底部端接封装侧壁电镀的新型湿化学处理 晶圆加工和特性 4 Hovestad, Arjan (1); Basu, Tarun (2) Besi NL 1285 通孔氧化铝通孔的制造:一种使用超声波加工和化学沉积的经济高效的替代方法 晶圆加工和特性 4 Pawar, Karan; Pandey, Harsh; Dixit, Pradeep 印度理工学院孟买分校 IN 1123 fcBGA 与扇出型 SiPlet 封装的电气、热学和机械性能比较 晶圆加工和特性 4 Ouyang, Eric; Ahn, Billy; Han, BJ; Han, Michael; Kang, Chen; Oh, Michael Silicon Box US 1397 用于 5G 毫米波智能手机应用的带可控波束的紧凑型 1x4 天线阵列 无线和天线封装设计 Hsieh, Sheng-Chi ASE GROUP TW 1139 开发 2.4GHz 频段 L 形圆极化缝隙天线 无线和天线封装设计 Suehiro, Kazuki; Nakashima, Kenta; Kanaya, Haruichi 九州大学 JP 1203 通过多级 Cockcroft-Walton 电路开发远程无线能量收集电路 无线和天线封装设计 Tagawa, Nobuya; Hosaka, Ryoma; Tanaka, Hayato; Goodwill, Kumar; Kanaya, Haruichi 九州大学 JP 1261 Chiplet 时代的成本性能协同优化 AI 应用的封装设计和特性 Graening, Alexander Phillip (1);Patel, Darayus Adil (2);Sisto, Giuliano (2);Lenormand, Erwan (2);Perumkunnil, Manu (2);Pantano, Nicolas (2);Kumar, Vinay BY (2);GUCLA USSubramanian (2) UCLA US 1390 表征键合界面处含碳薄膜以用于背面功率传输网络晶圆处理和表征 2 Kitagawa, Hayato; Sato, Ryosuke; Fuse, Junya; Yoshihara, Yuki; Inoue, Fumihiro 横滨国立大学 JP 1411 使用正性光刻胶掩模通过光刻步进机对 1µm 临界尺寸硅通孔进行图案化晶圆处理和表征 3 Sundaram, Arvind (1); Kang, Riley (2); Bhesetti, Chandra Rao (1) 新加坡微电子研究所 (IME) SG 1410 用于多代工厂兼容超导中介层晶圆级处理的铌最后工艺晶圆加工和特性 3 Goh, Simon Chun Kiat;Ng, Yong Chyn;Ong, Javier Jun Wei;Lau, Daniel;Tseng, Ya-Ching;Jaafar, Norhanani;Yoo, Jae Ok;Liu, Liyuan;Teo, Everline Shu Yun;Chua, N 新加坡微电子研究所 (IME) SG 1331 一种使用磁和毛细管辅助自对准的新型 D2W 键合对准方案晶圆加工和特性 3 Choi, Daesan (1); Kim, Sumin (2); Hahn, Seung Ho (1); Moon, Bumki (1); Rhee, Daniel Minwoo (1) 三星电子 KR 1233 高可靠性底部端接封装侧壁电镀的新型湿化学处理 晶圆加工和特性 4 Hovestad, Arjan (1); Basu, Tarun (2) Besi NL 1285 通孔氧化铝通孔的制造:一种使用超声波加工和化学沉积的经济高效的替代方法 晶圆加工和特性 4 Pawar, Karan; Pandey, Harsh; Dixit, Pradeep 印度理工学院孟买分校 IN 1123 fcBGA 与扇出型 SiPlet 封装的电气、热学和机械性能比较 晶圆加工和特性 4 Ouyang, Eric; Ahn, Billy; Han, BJ; Han, Michael; Kang, Chen; Oh, Michael Silicon Box US 1397 用于 5G 毫米波智能手机应用的带可控波束的紧凑型 1x4 天线阵列 无线和天线封装设计 Hsieh, Sheng-Chi ASE GROUP TW 1139 开发 2.4GHz 频段 L 形圆极化缝隙天线 无线和天线封装设计 Suehiro, Kazuki; Nakashima, Kenta; Kanaya, Haruichi 九州大学 JP 1203 通过多级 Cockcroft-Walton 电路开发远程无线能量收集电路 无线和天线封装设计 Tagawa, Nobuya; Hosaka, Ryoma; Tanaka, Hayato; Goodwill, Kumar; Kanaya, Haruichi 九州大学 JP 1261 Chiplet 时代的成本性能协同优化 AI 应用的封装设计和特性 Graening, Alexander Phillip (1);Patel, Darayus Adil (2);Sisto, Giuliano (2);Lenormand, Erwan (2);Perumkunnil, Manu (2);Pantano, Nicolas (2);Kumar, Vinay BY (2);GUCLA US横滨国立大学文弘 JP 1411 使用正性光刻胶掩模通过光刻步进机对 1µm 关键尺寸硅通孔进行图案化晶圆处理和特性 3 Sundaram, Arvind (1); Kang, Riley (2); Bhesetti, Chandra Rao (1) 新加坡微电子研究所 (IME) SG 1410 用于多代工厂兼容超导中介层晶圆级处理的铌最后工艺晶圆加工和特性 3 Goh, Simon Chun Kiat;Ng, Yong Chyn;Ong, Javier Jun Wei;Lau, Daniel;Tseng, Ya-Ching;Jaafar, Norhanani;Yoo, Jae Ok;Liu, Liyuan;Teo, Everline Shu Yun;Chua, N 新加坡微电子研究所 (IME) SG 1331 一种使用磁和毛细管辅助自对准的新型 D2W 键合对准方案晶圆加工和特性 3 Choi, Daesan (1); Kim, Sumin (2); Hahn, Seung Ho (1); Moon, Bumki (1); Rhee, Daniel Minwoo (1) 三星电子 KR 1233 高可靠性底部端接封装侧壁电镀的新型湿化学处理 晶圆加工和特性 4 Hovestad, Arjan (1); Basu, Tarun (2) Besi NL 1285 通孔氧化铝通孔的制造:一种使用超声波加工和化学沉积的经济高效的替代方法 晶圆加工和特性 4 Pawar, Karan; Pandey, Harsh; Dixit, Pradeep 印度理工学院孟买分校 IN 1123 fcBGA 与扇出型 SiPlet 封装的电气、热学和机械性能比较 晶圆加工和特性 4 Ouyang, Eric; Ahn, Billy; Han, BJ; Han, Michael; Kang, Chen; Oh, Michael Silicon Box US 1397 用于 5G 毫米波智能手机应用的带可控波束的紧凑型 1x4 天线阵列 无线和天线封装设计 Hsieh, Sheng-Chi ASE GROUP TW 1139 开发 2.4GHz 频段 L 形圆极化缝隙天线 无线和天线封装设计 Suehiro, Kazuki; Nakashima, Kenta; Kanaya, Haruichi 九州大学 JP 1203 通过多级 Cockcroft-Walton 电路开发远程无线能量收集电路 无线和天线封装设计 Tagawa, Nobuya; Hosaka, Ryoma; Tanaka, Hayato; Goodwill, Kumar; Kanaya, Haruichi 九州大学 JP 1261 Chiplet 时代的成本性能协同优化 AI 应用的封装设计和特性 Graening, Alexander Phillip (1);Patel, Darayus Adil (2);Sisto, Giuliano (2);Lenormand, Erwan (2);Perumkunnil, Manu (2);Pantano, Nicolas (2);Kumar, Vinay BY (2);GUCLA US横滨国立大学文弘 JP 1411 使用正性光刻胶掩模通过光刻步进机对 1µm 关键尺寸硅通孔进行图案化晶圆处理和特性 3 Sundaram, Arvind (1); Kang, Riley (2); Bhesetti, Chandra Rao (1) 新加坡微电子研究所 (IME) SG 1410 用于多代工厂兼容超导中介层晶圆级处理的铌最后工艺晶圆加工和特性 3 Goh, Simon Chun Kiat;Ng, Yong Chyn;Ong, Javier Jun Wei;Lau, Daniel;Tseng, Ya-Ching;Jaafar, Norhanani;Yoo, Jae Ok;Liu, Liyuan;Teo, Everline Shu Yun;Chua, N 新加坡微电子研究所 (IME) SG 1331 一种使用磁和毛细管辅助自对准的新型 D2W 键合对准方案晶圆加工和特性 3 Choi, Daesan (1); Kim, Sumin (2); Hahn, Seung Ho (1); Moon, Bumki (1); Rhee, Daniel Minwoo (1) 三星电子 KR 1233 高可靠性底部端接封装侧壁电镀的新型湿化学处理 晶圆加工和特性 4 Hovestad, Arjan (1); Basu, Tarun (2) Besi NL 1285 通孔氧化铝通孔的制造:一种使用超声波加工和化学沉积的经济高效的替代方法 晶圆加工和特性 4 Pawar, Karan; Pandey, Harsh; Dixit, Pradeep 印度理工学院孟买分校 IN 1123 fcBGA 与扇出型 SiPlet 封装的电气、热学和机械性能比较 晶圆加工和特性 4 Ouyang, Eric; Ahn, Billy; Han, BJ; Han, Michael; Kang, Chen; Oh, Michael Silicon Box US 1397 用于 5G 毫米波智能手机应用的带可控波束的紧凑型 1x4 天线阵列 无线和天线封装设计 Hsieh, Sheng-Chi ASE GROUP TW 1139 开发 2.4GHz 频段 L 形圆极化缝隙天线 无线和天线封装设计 Suehiro, Kazuki; Nakashima, Kenta; Kanaya, Haruichi 九州大学 JP 1203 通过多级 Cockcroft-Walton 电路开发远程无线能量收集电路 无线和天线封装设计 Tagawa, Nobuya; Hosaka, Ryoma; Tanaka, Hayato; Goodwill, Kumar; Kanaya, Haruichi 九州大学 JP 1261 Chiplet 时代的成本性能协同优化 AI 应用的封装设计和特性 Graening, Alexander Phillip (1);Patel, Darayus Adil (2);Sisto, Giuliano (2);Lenormand, Erwan (2);Perumkunnil, Manu (2);Pantano, Nicolas (2);Kumar, Vinay BY (2);GUCLA USLiyuan;Teo, Everline Shu Yun;Chua, N 新加坡微电子研究所 (IME) SG 1331 一种使用磁性和毛细管辅助自对准的新型 D2W 键合对准方案 晶圆加工和特性 3 Choi, Daesan (1); Kim, Sumin (2); Hahn, Seung Ho (1); Moon, Bumki (1); Rhee, Daniel Minwoo (1) 三星电子 KR 1233 用于高可靠性底部端接封装侧壁电镀的新型湿化学处理 晶圆加工和特性 4 Hovestad, Arjan (1); Basu, Tarun (2) Besi NL 1285 制造通孔氧化铝通孔:一种使用超声波加工和化学沉积的经济高效的替代方法 晶圆加工和特性 4 Pawar, Karan; Pandey, Harsh; Dixit, Pradeep 印度理工学院 孟买 IN 1123 fcBGA 与扇出型 SiPlet 封装的电气、热学和机械性能比较 晶圆加工和特性 4 Ouyang, Eric; Ahn, Billy; Han, BJ; Han, Michael; Kang, Chen; Oh, Michael Silicon Box US 1397 用于 5G 毫米波智能手机应用的带可控波束的紧凑型 1x4 天线阵列 无线和天线封装设计 Hsieh, Sheng-Chi 日月光集团 TW 1139 2.4GHz 频段 L 形圆极化缝隙天线的开发 无线和天线封装设计 Suehiro, Kazuki; Nakashima, Kenta; Kanaya, Haruichi 九州大学 JP 1203 通过多级 Cockcroft-Walton 电路开发远程无线能量收集电路 无线和天线封装设计 Tagawa, Nobuya;保坂、龙马;田中、隼人;善意,库马尔; Kanaya,Haruichi 九州大学 JP 1261 Chiplet 时代的性价比协同优化 AI 应用的封装设计和表征 Graening,Alexander Phillip (1);Patel,Darayus Adil (2);Sisto,Giuliano (2);Lenormand,Erwan (2);Perumkunnil,Manu (2);Pantano,Nicolas (2);Kumar,Vinay BY (2);古克拉美国Liyuan;Teo, Everline Shu Yun;Chua, N 新加坡微电子研究所 (IME) SG 1331 一种使用磁性和毛细管辅助自对准的新型 D2W 键合对准方案 晶圆加工和特性 3 Choi, Daesan (1); Kim, Sumin (2); Hahn, Seung Ho (1); Moon, Bumki (1); Rhee, Daniel Minwoo (1) 三星电子 KR 1233 用于高可靠性底部端接封装侧壁电镀的新型湿化学处理 晶圆加工和特性 4 Hovestad, Arjan (1); Basu, Tarun (2) Besi NL 1285 制造通孔氧化铝通孔:一种使用超声波加工和化学沉积的经济高效的替代方法 晶圆加工和特性 4 Pawar, Karan; Pandey, Harsh; Dixit, Pradeep 印度理工学院 孟买 IN 1123 fcBGA 与扇出型 SiPlet 封装的电气、热学和机械性能比较 晶圆加工和特性 4 Ouyang, Eric; Ahn, Billy; Han, BJ; Han, Michael; Kang, Chen; Oh, Michael Silicon Box US 1397 用于 5G 毫米波智能手机应用的带可控波束的紧凑型 1x4 天线阵列 无线和天线封装设计 Hsieh, Sheng-Chi 日月光集团 TW 1139 2.4GHz 频段 L 形圆极化缝隙天线的开发 无线和天线封装设计 Suehiro, Kazuki; Nakashima, Kenta; Kanaya, Haruichi 九州大学 JP 1203 通过多级 Cockcroft-Walton 电路开发远程无线能量收集电路 无线和天线封装设计 Tagawa, Nobuya;保坂、龙马;田中、隼人;善意,库马尔; Kanaya,Haruichi 九州大学 JP 1261 Chiplet 时代的性价比协同优化 AI 应用的封装设计和表征 Graening,Alexander Phillip (1);Patel,Darayus Adil (2);Sisto,Giuliano (2);Lenormand,Erwan (2);Perumkunnil,Manu (2);Pantano,Nicolas (2);Kumar,Vinay BY (2);古克拉美国Michael Silicon Box US 1397 用于 5G 毫米波智能手机应用的带可控波束的紧凑型 1x4 天线阵列 无线和天线封装设计 Hsieh, Sheng-Chi ASE GROUP TW 1139 开发 2.4GHz 频段 L 形圆极化缝隙天线 无线和天线封装设计 Suehiro, Kazuki; Nakashima, Kenta; Kanaya, Haruichi 九州大学 JP 1203 通过多级 Cockcroft-Walton 电路开发远程无线能量收集电路 无线和天线封装设计 Tagawa, Nobuya; Hosaka, Ryoma; Tanaka, Hayato; Goodwill, Kumar; Kanaya, Haruichi 九州大学 JP 1261 Chiplet 时代的成本性能协同优化 AI 应用的封装设计和特性 Graening, Alexander Phillip (1);Patel, Darayus Adil (2);Sisto, Giuliano (2);Lenormand, Erwan (2);Perumkunnil, Manu (2);Pantano, Nicolas (2);Kumar, Vinay BY (2);GUCLA USMichael Silicon Box US 1397 用于 5G 毫米波智能手机应用的带可控波束的紧凑型 1x4 天线阵列 无线和天线封装设计 Hsieh, Sheng-Chi ASE GROUP TW 1139 开发 2.4GHz 频段 L 形圆极化缝隙天线 无线和天线封装设计 Suehiro, Kazuki; Nakashima, Kenta; Kanaya, Haruichi 九州大学 JP 1203 通过多级 Cockcroft-Walton 电路开发远程无线能量收集电路 无线和天线封装设计 Tagawa, Nobuya; Hosaka, Ryoma; Tanaka, Hayato; Goodwill, Kumar; Kanaya, Haruichi 九州大学 JP 1261 Chiplet 时代的成本性能协同优化 AI 应用的封装设计和特性 Graening, Alexander Phillip (1);Patel, Darayus Adil (2);Sisto, Giuliano (2);Lenormand, Erwan (2);Perumkunnil, Manu (2);Pantano, Nicolas (2);Kumar, Vinay BY (2);GUCLA US