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薄玻璃基板上的 3D 集成高精度无源器件，适用于微型高性能射频元件
摘要 — 设计并演示了在 100 微米薄玻璃基板上通过通孔互连的高精度高性能带通和低通滤波器的双面或 3-D 集成，用于超小型双工器组件。开发了一种实现大面积高精度制造的新型工艺，以大大提高电气性能的公差。高精度、高品质因数和高元件密度以及玻璃上的薄膜层用于在玻璃上实现创新的拓扑结构，以实现高带外抑制和低插入损耗。低损耗 100 毫米厚的玻璃芯和多层 15 毫米薄聚合物膜用于在基板上构建滤波器。演示的双工器尺寸为 2.3 3 2.8 3 .2 毫米。借助玻璃的尺寸稳定性和半加成图案化工艺控制，所制造的滤波器的性能与模拟结果具有极好的相关性。还分析了工艺敏感性分析对双工器性能的影响。最后，展示了一种独特而创新的工艺解决方案，以控制工艺偏差并实现良好的双工器公差。使用新工艺，性能偏差控制在约 3.5 倍。
基于定制石墨烯和TUNEND CYCLODEXTRINS作为预浓缩元件的安培喷墨印刷的甲状腺素传感器
摘要：甲状腺激素的测定对于甲状腺功能亢进症和甲状腺功能减退症疾病的疾病具有实际临床意义。考虑到这一方面，已经开发了包括免疫测定，化学发光，质谱和高性能液相色谱等广泛的分析方法。这种类型的分析提供了可行的结果。尽管如此，它需要合格的员工，特殊设施，并且耗时。因此，本文依赖于用喷墨打印技术开发的电化学设备的制造，以免费检测甲状腺素（T4）。为了制造我们的电化学设备，从扩增电信号的材料的使用中考虑了几个方面，到找到对目标分析物具有亲和力的超分子支架以及对电极表面上分析物的需求。对于此任务，用混合纳米材料修改了印刷设备，该混合纳米材料由氧化石墨烯（RGO）组成，该氧化石墨烯（RGO）用Au纳米颗粒（AU – NP）和包裹剂和不同的Thiolate Cyclodextrins（X – CD-SH）作为携带剂。分析物通过超分子化学的化学预召集，因为环糊精和激素之间的包含复合物形成。形态学和电化学表征，以确保电极的正确可行性，从而达到出色的响应，灵敏度和检测极限（LOD）。
DNA扩散：利用生成模型来控制染色质的可及性和通过合成调节元件的基因表达
序列为热编码格式，并引入固定量的标准正常噪声。训练有素的U-NET使用预期噪声水平（由时间步骤确定）和单元格类型信息来预测和删除添加的噪声。在整个序列数据集的训练过程中，都重复使用这种噪声预测过程，并具有不同的噪声强度。一旦受过训练，U-NET就可以预测原始DHS内源序列中添加的初始噪声，从而能够生成针对不同细胞类型的新序列。e）要产生一个给定细胞类型标签的新序列，生成了带有随机高斯噪声的热编码的DNA矩阵，U-NET迭代在50个步骤上逐渐融合了该矩阵，逐渐收敛到反映目标细胞类型的特征性的序列。f）用于评估DNA扩散和内源性DHS区域的可及性，调节活性和基序组成的可及性，调节活性和基序组成。g）为基于细胞类型的信号特异性，强度或基序组成选择和解释生成的序列而开发的框架。
组织形态发生中的机制调节反馈回路：由机械应力调节的基因和顺式调节元件的功能分析
抽象的胃结构是胚胎发育的关键过程，是形成三线蛋白圆盘所必需的。这是囊泡细胞的分化和重新分布，形成三个胚胎层，这些胚胎将产生不同的功能组织（外胚层，中胚层和内胚层）。这种重组是通过涉及整个胚胎的特定细胞组的高度协调运动而发生的。Telest Medaka（Oryzias latipes）被选为实验动物模型。在该物种中，胃结构与Epibolia工艺同时发生。在此期间，细胞从动物极向植物极迁移，导致胚胎轴的形成，这是建立脊椎动物身体计划的基础。对表皮过程中发生的形态发生过程知之甚少。但是，与YAP家族成员一样，已经描述了某些要素的重要性。这些蛋白质是转录调节剂，从培养基接收信号和机械刺激，并将它们与遗传信号整合在一起。这是细胞正确迁移到胚胎中线的必要条件。如果这些信号受到放松管制，则可能无法正确发展胃，甚至可能会产生致命的影响。要更多地了解YAP在胃肠道中的作用，我们将研究YAP下游基因的参与（AFAP12，AKAP12B，EFS，EFS，GLIS2B，MARCKSL1A/B，ROCK2B，Synaptopodin和ved），在cytoskelet cytoskelectal重新组织中与细胞粘附和互动的互动过程中。为此，CRISPR-CAS9系统用于生成每个基因的敲除突变体。这种基因组编辑机制是一种根据细菌和古细菌的天然适应性免疫防御系统而适应的工具。该工具由两个组成部分组成：SGRNA，与基因组的靶序列相匹配的短片段和Cas9核酸内切酶，它们在同一位置引起双链DNA断裂。之后，细胞修复DNA的影响区域，导致基因组中的永久修饰。要执行数据分析，我们使用Stata统计软件。初步数据显示了AFAP12，MARCKSL1，VED和ROCK2B的研究中的特殊结果。在这些情况下，控制和敲除之间的表观进展似乎有所不同。
通过针对顺式调控元件突变的 FIND-IT 筛选优化大麦植酸酶基因表达
结果与讨论：发现了基因表达较高或较低的突变体，最终成熟谷物植酸酶活性 (MGPA) 较高或较低。田间试验和发芽期间的肌醇磷酸分析表明，PAPhy_a 不会影响试验条件下的农艺性能，但它确实缩短了发芽期间磷酸盐动员的滞后时间。较高的内源性 MGPA 可提高饲料用谷物质量，因为它可提高单胃动物的磷酸盐生物利用度。此外，由于 PAPhy_a 启动子的目标 CRE 基序与一系列种子表达基因（如关键的谷物和豆类储存基因）共享，因此当前结果展示了一种调节一系列种子基因的单个基因表达水平的概念。
利用同步辐射X射线分层成像和衍射技术对电源模块元件进行可靠性分析
开发了同步辐射X射线（SR）分层照相和衍射方法，实现了对智能功率模块（IPM）内部退化行为的无损测量。通过SR分层照相跟踪IPM样品纳米颗粒Cu键合层的疲劳行为表明，大的聚集Cu簇引入了曲折裂纹和裂纹分支，从而降低了裂纹扩展速率，有望延长疲劳寿命。老化过程中的分层照相测量表明，纳米颗粒Cu的氧化是降低键合强度的主要退化模式，通过添加Bi和Sn可以改善键合强度。开发的旋转螺旋狭缝系统实现了IPM样品键合层中的空间分辨衍射测量。利用该技术可以获得IPM中应力和应变的内部分布图。SR分层成像与基于螺旋狭缝的衍射技术相结合将成为下一代IPM可靠性分析的有力工具。
使用果蝇种系组织中的长阅读RNA-seq鉴定和定量可转座元件转录本
转座元件（TES）是重复的DNA序列，可能能够在整个基因组中移动。除了它们固有的诱变效果外，TE还可以通过捐赠其内在的调节序列（例如促进细胞基因的异位表达）来破坏附近基因。te转录不仅对于TE换位本身是必需的，而且还可以与Te-Gene Fusion转录本相关，在某些情况下也是普遍转录的产物。因此，正确确定了TE副本的转录状态，是为了理解TE在宿主基因组中的影响。识别和量化TE转录的方法主要依赖于简短的RNA-seq读取以在家庭级别估算TE表达，同时使用特定算法来区分副本特定的转录。但是，将简短的读数分配给其正确的基因组位置，基因组特征并不是微不足道的。在这里，我们检索了果蝇的全长cDNA（远程prime，词汇），并使用牛津纳米孔技术进行了对其进行验证。我们表明，可以使用长阅读RNA-Seq来识别和量化复制级别的转录TE。尤其是，使用长读数比简短读数更好地估计了插入过度插入的注释基因。尽管如此，长TE转录本（> 4.5 KB）并未得到很好的捕获。大多数表达的TE插入对应于失去其转置能力的副本，在家庭中，只有几份副本表示。长阅读测序还允许识别约107个TE副本的剪接转录本。总的来说，睾丸和卵巢之间TE的第一个比较在子类和插入水平上发现其转录景观中的差异。
基于3D打印衍射光学元件和3D打印多透镜阵列的多光子（7×7）聚焦3D激光打印机
图 1 多焦点打印的不同光束分裂方法概览。a 宽带激光束照射衍射光学元件 (DOE) 并衍射成两个衍射级的渲染图。与波长相关的衍射角使入射光束散开。b 渲染图显示多透镜阵列 (MLA)，该阵列将入射红色高斯激光束的一小部分聚焦到焦点阵列中。一半的入射激光功率被传输而不会影响焦点阵列。c 入射红色激光束照射 DOE 并在单个光束中衍射的渲染图。使用宏观透镜，每个光束被引导到由单独的微型透镜组成的 MLA 的单个透镜上。这些透镜进一步聚焦每个光束，有效地增加和创建可用于多光子多焦点 3D 打印的焦点阵列（焦点扩展函数仅有微小扩展）。
传动和传动系统中的元素间耦合分析
图 7 - 单个元件的模拟增益与近似增益比较 .............................................................................. 16 图 8：3x3 阵列中的单个元件 .............................................................................................. 16 图 9：3x3 阵列中元件的增益模式，其余元件开路 ............................................................. 17 图 10：3x3 阵列中元件的增益，其余元件端接至 50Ω ............................................................. 18 图 11：5x5 阵列中的单个元件 ............................................................................................. 19 图 12：5x5 阵列中元件的增益模式，其余元件开路 20 图 13：5x5 阵列中元件的增益，其余元件端接至 50Ω ............................................................. 21 图 14：发送和接收元件模拟 ............................................................................................. 22 图 15：单个 Tx 和 Rx 元件的返回和插入损耗模拟 ............................................................................. 22 图16：全阵列几何结构 ................................................................................................ 23 图 17：Tx 和 Rx 元件的 S 参数，其他元件开路 ........................................ 24 图 18：Tx 和 Rx 元件的 S 参数，其他元件端接至 50Ω ........................................ 25 图 19：MatLab 程序的嵌套 FOR 循环片段 ............................................................. 27 图 20：回波损耗，中心频率 8.14 GHz ............................................................................. 33 图 21：Z-Smith 图，Z 1 =(50.42-0.08j)Ω ............................................................................. 33 图 22：回波损耗，中心频率 8.16 GHz ............................................................................. 34 图 23：Z-Smith 图，Z 1 =(51.67-3.92j)Ω ............................................................................. 34 图 24：回波损耗损耗，中心频率 8.15 GHz .............................................................................. 35 图 25：所有 S 参数 .......................................................................................................... 35 图 26：Z-Smith 图，Z 1 =(50.46-0.14j)Ω ...................................................................... 36 图 27：回波损耗，中心频率 8.16 GHz ............................................................................. 37 图 28：Z-Smith 图，Z 1 =(51.51-4.11j)Ω ............................................................................. 37 图 29：回波损耗，中心频率 8.15 GHz ............................................................................. 38 图 30：所有 S 参数 ............................................................................................................. 38 图 31：Z-Smith 图，Z 1 =(50.30+0.18j)Ω ............................................................................. 40
明志科技大学113学年材料工程系硕士班课程表
薄膜科学与工程（薄膜科学与工程） 3 3 全英授课 晶体结构与分析（晶体结构与分析） 3 3 材料分析（材料分析） 3 3 全英授课 电浆制造工艺与应用（等离子体加工与应用） 3 3 电子显微镜实务一（电子显微镜实践1） 2 2 材料功能与设计（电子显微镜的功能与设计）材料) 3 3 进阶表面处理(Advanced Surface Treatment) 3 3 全英授课半导体工程(Semiconductor Engineering) 3 3 太阳能电池特论(Special Topics on Solar Cells) 3 3 高分子材料特论(Special Topics on Polymer Materials) 3 3 人工智慧概论(Introduction to Artificial Intelligence) 3 3 电化学特论(Special Topics on Electrochemistry) 3 3 全英授课英语授课课程《高等材料选择与设计》(Advanced Material Selection and Design) 3 3 有机光电材料与元件有机光电材料与器件 3 3 固体物理（Solid StatePhysics） 3 3 全英授课英语授课课程奈米检测技术（Nano-writing Technology） 3 3 电子实验室实务二（Practice of Electron Microscopy） 2) 1 1 半导体元件物理（Semiconductor Device Chemistry） 3 3 全英授课 复合材料（Composite Materials） 3 3 全英授课 进阶能源物理材料（Advanced Energy Materials） 3 3 全英授课 奈米生医与绿色材料（纳米与绿色材料） 3 3 奈米科技与应用（纳米技术与应用） 3 3 全英授课 光电工程与材料(光电工程与材料) 3 3 封装工艺与材料（包装与材料） 3 3 薄膜磨润学(薄膜摩擦学) 3 3