摘要:氧化钇(Y 2 O 3 )因其在各种高强度结构部件、微电子和光电子器件中的潜力而受到关注,但这种有前途的材料的非线性光学研究尚未实施。本文不仅理论计算了Y 2 O 3 的电子能带结构,而且以光纤激光器为平台验证了Y 2 O 3 的光学非线性。同时,通过使用不同厚度的Y 2 O 3 可饱和吸收体,进一步探究了样品厚度对激光性能的影响。结果表明Y 2 O 3 不仅具有良好的光学非线性,而且通过调节Y 2 O 3 的厚度有利于超快光子的研究。因此,Y 2 O 3 可以作为一种潜在的可饱和吸收体候选者进行深入的研究和应用。
描述了钻石光源的多功能软X射线(Versox)Beamine B07的束线光学元件和端站。b07-b从弯曲磁铁源提供45-2200 eV范围内的中频X射线,可访问从李到y到y的所有元素原子的局部电子结构。它具有高通量X射线光电子体外镜头(XPS)和近边缘X射线吸收精细结构(NEXAFS)测量的终端站。b07-b具有从UHV到环境压力的压力(1 atm)的第二个终端群。这些终点站的组合允许对各种界面和材料进行研究。详细讨论了梁线和端积设计,以及它们的性能和调试过程。
Optatec 的主题涉及光的技术利用。光学技术正在推动机械和工厂工程、生产自动化、汽车工程、微电子和光电子、照明技术、制药和医疗器械行业、实验室自动化、国防和一般安全应用等领域的广泛创新。光学技术制造商弥合了基础物理研究和技术应用之间的差距。这引起了来自各个领域的许多用户的兴趣 - 例如机器人和自动化技术、激光技术、汽车工业、航空航天、医疗技术、医学成像和照明技术。生产经理、质量保证经理、生产经理和系统集成商欣赏 Optatec 高度专业化的重点,并经常成为法兰克福的嘉宾。
NACO75分别为3.85 V和3.9 V。但是,当在3-5.5 V范围内进行环状伏安法(CV)测试时(补充图11c),清楚地证明,LACO75和NACO75的氧化电流都在第一个周期后迅速减少,这意味着在高氧化潜力下产生了钝化层以防止进一步的分解。通过X射线光电子光谱(XPS)分析和密度功能理论(DFT)计算探测了该钝化层的组成。如补充图11d,比较原始和带电的LACO75-LINI 0.6 CO 0.2 Mn 0.2 O 2(NCM622)复合阴极的XPS光谱,LACO75的O 1S峰强度为
微米级氧化镓薄膜中的定向载流子传输用于高性能深紫外光电探测 张文瑞 1,2 * 王伟 1 张金福 1 张谭 1 陈莉 1 王刘 1 张宇 3 曹彦伟 1 季莉 3 叶吉春 1,2 * 1 中国科学院宁波材料技术与工程研究所,浙江省能源光电子材料与器件工程研究中心,浙江 宁波 315201 2 甬江实验室,浙江 宁波 315201 3 复旦大学微电子学院专用集成电路与系统国家重点实验室,上海 200433 关键词:紫外光电探测器,宽禁带半导体,氧化镓,载流子传输,缺陷
引言在最近的过去,灵活的电子技术一直引起人们对可折叠和便携式设备中潜在应用的关注[1]。聚乙烯二氟化物(PVDF)表现出最优质的电活性特性,即Piezo,Pyro,铁电性和光电子。因此,PVDF及其共聚物是增加可能有机微电子应用数量的有吸引力的材料,例如电用量传感器,波导,传感器,执行器,执行器,能量收集,电 - 电器记忆,仿生机器人和组织工程[1-5]。PVDF是一种高度极性物质,涉及单元中的碳原子,氢原子的带正电和氟原子的充电。(–CH2-CF2)或CH 2 CF 2)n的重复单元,其中碳 - 氢键与电
摘要:量子点(QD)是固态纳米结构,可以将电子或孔限制在所有三个空间维度中,从而导致能量水平离散。也可以将其定义为一个半导体,其激子都限制在所有三个空间维度中。结果,它们具有散装半导体和离散分子之间的特性。用受限电子的QD可以视为人造原子。半导体量子点已经成为量子计算的强候选物,由于超快光电子,纳米结构的制造和表征技术以及大规模整合的可能性。由于自旋度的自由度较低,因此可以将电子或孔的自旋用于量子位,这为在这些量子位上进行任何门控操作提供了足够的时间。因此,在本文中研究了量子点的形状的影响。
2 清华大学微电子研究所,北京 100084 1. 引言 焊接是电子产品组装中的一项重要技术。为了形成良好的焊点,焊料的选择非常重要。焊料的可焊性、熔点、强度和杨氏弹性模量、热膨胀系数、热疲劳和蠕变性能以及抗蠕变性能都会影响焊点的质量。共晶 Au80Sn20 焊料合金(熔点 280 C)已在半导体和其他工业中应用多年。由于一些优异的物理性能,金锡合金逐渐成为光电子器件和元件封装中最好的焊接材料之一。 2. 物理性能 Au80Sn20 的一些主要物理性能如表 1 所示,从中可以看出金锡焊料的优点如下:
上面描述的模型依靠冲击电离来繁殖光电子。电子探测器包括特别是光化管(PMTS,Art,1990),电子杂货CCD(EM-CCDS,Ryan等,2021年,Plakhotnik等人,和Plakhotnik等人,2006年),Intensi ED CCDS(ICCDS),Avalanch PhotodeShents(Aval Challanch Photodes)(Apphanch and diiodies)(Apphanch and diiodies)(APPHALENTERD DIIOODES)(APPHALLENTHENTENCHENT)(APPHALENTEN), (Spads)。这些可以改善信号,但也会引入额外的噪声,即“乘法噪声”,它掩盖了光子射击噪声(Cho等,2006和Art,1990)。重要的是要注意,在这种情况下,该协议不会产生物理上正确的光子转换因子。
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