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目前，学校开设电子信息、计算机、自动化三大本科专业类别。电子信息专业课程涵盖信息光电子、通信、微波、信息认知、微电子与电子电路、信息系统、生物医学工程等专业领域；计算机专业课程涵盖高性能计算、网络技术、软件工程、人机交互与媒体、智能技术与系统、网络空间安全、信息管理、理论计算机科学、量子计算、类脑计算等方向；自动化专业课程以数学、信息论、控制论、系统论等知识为核心，构建宽口径基础课程体系，旨在培养兼具工程、信息技术和管理能力的复合型创新人才。
使用CBR
通过分子束在低温下（171-258 c）在分子束外延（171-258 c）上，通过分子束外延（171-258 c）在GAAS底物上生长了通过分子束外延在GAAS底物上生长。 高分辨率X射线衍射揭示了所有样品中的良好结晶度。 原子力显微镜显示出原子光滑的表面，最大粗糙度为1.9 nm。 530.5 cm 1在拉曼光谱中的碳的局部振动模式在ge 1 – x – y sn x c y样品中的替代c掺入。 X射线光电子光谱验证与SN和GE的碳键合碳键合，而没有SP 2或SP 3碳形成的证据。 未检测到与替代碳相相对应的常见的拉曼特征。 此外，在扫描电子显微镜中看不到Sn液滴，说明了C和SN掺入中的协同作用以及GE 1-X-X-YN X C Y活性区域对基于硅的激光的潜力。通过分子束外延在GAAS底物上生长。 高分辨率X射线衍射揭示了所有样品中的良好结晶度。 原子力显微镜显示出原子光滑的表面，最大粗糙度为1.9 nm。 530.5 cm 1在拉曼光谱中的碳的局部振动模式在ge 1 – x – y sn x c y样品中的替代c掺入。 X射线光电子光谱验证与SN和GE的碳键合碳键合，而没有SP 2或SP 3碳形成的证据。 未检测到与替代碳相相对应的常见的拉曼特征。 此外，在扫描电子显微镜中看不到Sn液滴，说明了C和SN掺入中的协同作用以及GE 1-X-X-YN X C Y活性区域对基于硅的激光的潜力。。高分辨率X射线衍射揭示了所有样品中的良好结晶度。原子力显微镜显示出原子光滑的表面，最大粗糙度为1.9 nm。530.5 cm 1在拉曼光谱中的碳的局部振动模式在ge 1 – x – y sn x c y样品中的替代c掺入。X射线光电子光谱验证与SN和GE的碳键合碳键合，而没有SP 2或SP 3碳形成的证据。未检测到与替代碳相相对应的常见的拉曼特征。此外，在扫描电子显微镜中看不到Sn液滴，说明了C和SN掺入中的协同作用以及GE 1-X-X-YN X C Y活性区域对基于硅的激光的潜力。
共价有机骨架作为有机合成异质光催化剂的应用新进展
化学通常研究物质的组成和性质，以及物质在不影响其组成元素的情况下能够经历的转变。几个世纪以来，这项研究仅集中于单个分子，在某种程度上还集中于简单的线性聚合物（一维）。然而，最近主要利用了通过网状化学在更高阶维度（二维和三维）中获得控制的能力。[1] 从这个意义上讲，多孔材料在分离、能量转换、存储、光电子和催化等各种过程中变得极为重要。[2–8] 其中，沸石被认为是社会发展的主要贡献者，因为它们易于获得、价格低廉、通过模板效应易于进行结构设计，并且在材料和材料领域应用广泛。
硅光子异质集成的发展与思考
摘要 摘要 集成光子学是下一代信息技术中发展迅速的研究领域，目前的硅光子集成芯片很大程度上受益于现有CMOS工艺的低成本、高密度集成特性，但受限于硅的物理性质，它并不是制作各种光电器件（如激光源、调制器、红外探测器等）的理想材料。因此，异质集成结合CMOS工艺的优势和异质材料体系的优良光电性能，是迈向下一代集成光电子芯片的重要一步。本文介绍了集成光子学在国内外的快速发展，并讨论了该领域的潜在发展方向和机遇。
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固态化学在理解材料的结构和性质之间的复杂关系，推动各种技术应用的进步方面起着关键作用。本综述探讨了新兴材料（例如金属有机框架（MOF），钙钛矿和二维（2D）材料）的结构特质相关性的最新进展。特别重点是他们在储能，催化和光电子中的应用。在计算建模和高级表征技术中的方法论突破被突出显示，展示了它们对材料发现和开发的变革性影响。本文还讨论了可持续材料综合的挑战，并概述了未来的方向，包括将人工智能整合用于创新解决方案。
MCT SD0802-31DA – 终极导电芯片粘接剂...
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研讨会-axt-pm2-r.pdf
等各种基于X射线的方法，例如常规和高流量X射线衍射（XRD），二维（2D）Micro-XRD，X射线光电子光谱（XPS），小角度X射线散射（SAXS），三维计算机总体式的材料均具有IMMENSENCE fieltiencation fieltiencation。 本研讨会将重点介绍各种基于X射线的基础技术和高级技术，用于表征粉末材料，矿物质，烧结的复合材料，添加性生产（AM）组件（金属，合金，陶瓷，其他非金属，常规 /纳米结构级））。 通过案例研究，专家就这些主题进行了一系列讲座。 研讨会的范围还将包括有关定性期分析，定量相分析（RIR方法和Rietveld改进），痕量相分析，晶格参数，结晶石大小和晶格应变估计技术，错位估计等的教程，等各种基于X射线的方法，例如常规和高流量X射线衍射（XRD），二维（2D）Micro-XRD，X射线光电子光谱（XPS），小角度X射线散射（SAXS），三维计算机总体式的材料均具有IMMENSENCE fieltiencation fieltiencation。本研讨会将重点介绍各种基于X射线的基础技术和高级技术，用于表征粉末材料，矿物质，烧结的复合材料，添加性生产（AM）组件（金属，合金，陶瓷，其他非金属，常规 /纳米结构级））。通过案例研究，专家就这些主题进行了一系列讲座。研讨会的范围还将包括有关定性期分析，定量相分析（RIR方法和Rietveld改进），痕量相分析，晶格参数，结晶石大小和晶格应变估计技术，错位估计等的教程，
氧化锌的聚合物封装
3。RESULTS......................................................................................52 3.1.ZnO nanoparticles and their nanohybrids ..............................52 3.1.1.晶体结构......................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................... 52 3.1.2。Nanostructures and morphology.......................................56 3.1.3.Chemical bonding............................................................64 3.1.4.X射线光电子光谱.............................................................................................................. 67 3.1.5。拉曼光谱法..................................................................................................................... 72 3.1.6。频段间隙........................................................................................................................................................... 75 3.1.7。光致发光发射光谱............................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................... 77 3.2。ZnO nanorods ........................................................................83 3.2.1.结晶结构........................................................................................................................................................................................................................................................................................... 83 3.2.2。Morphology......................................................................84 3.2.3.光学特性......................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................... 86 3.2.4。Electrical properties studied by I-V and I-t measuremesnts............................................................................88 3.3.Photodiodes............................................................................93 3.3.1.形态..................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................... 93 3.3.2。I-V characteristics in dark.................................................94 3.3.3.理想因素计算........................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................... 95 3.3.4。I-V辐射下的I-V特征................................................................................................................................................................................................................................................................................. 95 3.3.5。I-t characteristics: UV on/off cycles...................................97 3.3.6.Figures of merit................................................................98