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通过分子束在低温下(171-258 c)在分子束外延(171-258 c)上,通过分子束外延(171-258 c)在GAAS底物上生长了通过分子束外延在GAAS底物上生长。 高分辨率X射线衍射揭示了所有样品中的良好结晶度。 原子力显微镜显示出原子光滑的表面,最大粗糙度为1.9 nm。 530.5 cm 1在拉曼光谱中的碳的局部振动模式在ge 1 – x – y sn x c y样品中的替代c掺入。 X射线光电子光谱验证与SN和GE的碳键合碳键合,而没有SP 2或SP 3碳形成的证据。 未检测到与替代碳相相对应的常见的拉曼特征。 此外,在扫描电子显微镜中看不到Sn液滴,说明了C和SN掺入中的协同作用以及GE 1-X-X-YN X C Y活性区域对基于硅的激光的潜力。通过分子束外延在GAAS底物上生长。 高分辨率X射线衍射揭示了所有样品中的良好结晶度。 原子力显微镜显示出原子光滑的表面,最大粗糙度为1.9 nm。 530.5 cm 1在拉曼光谱中的碳的局部振动模式在ge 1 – x – y sn x c y样品中的替代c掺入。 X射线光电子光谱验证与SN和GE的碳键合碳键合,而没有SP 2或SP 3碳形成的证据。 未检测到与替代碳相相对应的常见的拉曼特征。 此外,在扫描电子显微镜中看不到Sn液滴,说明了C和SN掺入中的协同作用以及GE 1-X-X-YN X C Y活性区域对基于硅的激光的潜力。。高分辨率X射线衍射揭示了所有样品中的良好结晶度。原子力显微镜显示出原子光滑的表面,最大粗糙度为1.9 nm。530.5 cm 1在拉曼光谱中的碳的局部振动模式在ge 1 – x – y sn x c y样品中的替代c掺入。X射线光电子光谱验证与SN和GE的碳键合碳键合,而没有SP 2或SP 3碳形成的证据。未检测到与替代碳相相对应的常见的拉曼特征。此外,在扫描电子显微镜中看不到Sn液滴,说明了C和SN掺入中的协同作用以及GE 1-X-X-YN X C Y活性区域对基于硅的激光的潜力。

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