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World File Search System光耦合器
用于医疗电子的 CMOS 高级电流隔离器
光耦合器和变压器通常用于医疗系统隔离电路，其缺陷在设计界众所周知。光耦合器速度慢，且性能随温度和设备使用年限变化很大。它们是单端设备，因此共模瞬态抗扰度 (CMTI) 较差。此外，光耦合器采用砷化镓 (GaAs) 工艺制造，具有固有磨损机制，在高温和/或 LED 电流升高时会导致 LED 发射永久减少。这种性能下降会降低光耦合器的可靠性、性能和使用寿命。虽然变压器比光耦合器速度更快、可靠性更高，但它们无法传递直流和低频信号，从而限制了系统时序（例如导通时间和占空比）。变压器也往往体积较大、功率效率低，并且通常需要额外的外部元件来复位磁芯。
ACSL-6xx0：多通道、双向、15 MBd 数字逻辑门光电耦合器数据表
Broadcom ® ACSL-6xx0 是真正隔离、多通道和双向高速光耦合器。通过专利工艺技术将多个光耦合器集成到单片中。这些设备采用紧凑的表面贴装封装，提供全双工和双向隔离数据传输和通信功能。提供 15 Mbd 速度选项和宽电源电压范围。
李推广长余辉有机发光晶体管用于记忆光耦合器模块
人工大脑被认为是一种先进的智能技术，通过整合突触装置能够模拟人脑中发生的记忆过程。在此背景下，改进突触晶体管的功能以增加神经形态芯片中的信息处理密度是该领域的一大挑战。本文介绍了促进锂离子迁移的长余辉有机发光晶体管，它在 10 V 的低工作电压下显示出 7000 cd m − 2 的出色突触后亮度。0.1 mA 的突触后电流作为内置阈值开关在这些设备中作为触发点实现。设定条件触发的长余辉用于驱动光致变色分子的光异构化过程，模拟人脑中的神经递质转移，实现关键的记忆规则，即从长期记忆到永久记忆的转变。还处理了设置条件触发的长余辉与光电二极管放大器的组合，以模拟设置训练过程后的人类响应动作。总体而言，展示了神经形态计算的成功集成，包括刺激判断、光子发射、转换和编码，以模拟人脑复杂的决策树。
ACSL-6xx0：多通道、双向、15 MBd 数字逻辑门光电耦合器数据表
Broadcom ® ACSL-6xx0 是真正隔离、多通道和双向高速光耦合器。通过专利工艺技术将多个光耦合器集成到单片中。这些设备采用紧凑的表面贴装封装，提供全双工和双向隔离数据传输和通信功能。提供 15 Mbd 速度选项和宽电源电压范围。
ACSL-6xx0：多通道、双向、15 MBd 数字逻辑门光电耦合器数据表
Broadcom ® ACSL-6xx0 是真正隔离、多通道和双向高速光耦合器。通过专利工艺技术将多个光耦合器集成到单片中。这些设备采用紧凑的表面贴装封装，提供全双工和双向隔离数据传输和通信功能。提供 15 Mbd 速度选项和宽电源电压范围。
ACPL-M43T：带 R2Coupler 隔离和 5 针 SMT 封装的宽工作温度汽车数字光耦合器数据表
注释：1.电流传输比（百分比）定义为输出集电极电流 I O 与正向 LED 输入电流 I F 之比乘以 100。2.建议使用 0.1 F 旁路电容连接引脚 5 和 8。3.1.9 k 负载代表 1.6 mA 的 1 TTL 单位负载和 5.6 k 上拉电阻。4.对于任何给定设备，脉冲宽度失真 (PWD) 定义为 |t PHL – t PLH |。5.相同测试条件下任意两个部件之间的 t PLH 和 t PHL 之间的差异。6.逻辑高电平下的共模瞬态抗扰度是共模脉冲 V CM 上升沿上的最大可容忍（正）dV CM /dt，以确保输出将保持在逻辑高状态（即，V O > 2.0 V）。逻辑低电平下的共模瞬态抗扰度是共模脉冲信号 V CM 下降沿上的最大可容忍（负）dV CM /dt，以确保输出将保持在逻辑低状态（即，V O < 0.8 V）。7.设备被视为双端设备：引脚 1、2、3 和 4 短接在一起，引脚 5、6、7 和 8 短接在一起。8.根据 UL 1577，每个光耦合器都通过施加绝缘测试电压 > 6000 V RMS 持续 1 秒进行验证测试。
ACPL-K71T、ACPL-K72T、ACPL-K74T 和 ACPL-K75T
ACPL-K71T 和 ACPL-K72T 是高速数字 CMOS 光耦合器封装，适用于新兴电动汽车应用。ACPL-K74T 和 ACPL-K75T 分别是 ACPL-K71T 和 ACPL-K72T 的双通道等效产品。所有产品均采用扩展的 SO-8 封装外形，旨在与标准表面贴装工艺兼容。
双路隔离双向数字耦合器 (Rev. D) - Farnell
• 替代高性能光耦合器 • 数据速率：80 M 波特，典型值 ISO150 是 2 通道、电气隔离的数据耦合器，典型数据速率为 80M 波特。 • 低功耗：每通道 25 mW，每个通道都可以单独编程为在任一方向传输数据。 • 两个通道，每个通道都是双向的，数据通过高压 0.4 pF 电容器耦合互补脉冲跨隔离栅传输。接收器电路将脉冲恢复到标准逻辑电平。差分信号传输可抑制隔离模式电压瞬变 • 每通道低成本高达 1.6 kV/µ s • 采用 SO 封装 ISO150 避免了光耦合器常见的问题。光隔离耦合器需要高电流脉冲，并且必须考虑到 LED 老化。ISO150 的 Bi-CMOS 电路以每通道 25 mW 的功率运行 • A/D、D/A 转换的数字隔离。• 隔离的 RS-485 接口 ISO150 采用 SO-28 封装，规格为 • 多路复用数据传输，工作温度范围为 –40°C 至 85°C。• 隔离的并行到串行接口 • 测试设备 • 微处理器系统接口 • 隔离的线路接收器 • 接地环路消除
科学与工业研究委员会
（1）声发射系统 （2）超声波脉冲接收器 （3）可变光衰减器 （4）闭环低温恒温器（无低温恒温器），基准温度为 1.5 K，配有集成测量电子设备 （5）原子力显微镜（AFM） （6）带有超导磁体和可变温度插件（VTI）的低温恒温器，带有 RF/MW 接线和光耦合器，温度范围为 1.5 K-300 K （7）光学分束器 （8）光纤耦合硅雪崩光电二极管 （9）红外波长范围自由运行单光子探测器（InGaAs-APD） （10）加热和冷冻室
LSAIM01 AI模块 - 三菱动力
背板 保护接地 光耦合器 : 压敏电阻 : 电阻器 : 保险丝 : 二极管 : 电容器 使用时，请仔细阅读产品附带的使用说明书并正确使用。 未经许可，不得分发或复制本目录的全部或部分内容。 请注意，由于产品的改进和修改，本目录中的产品描述可能在某些方面与实际产品不同。 DIASYS Netmation/DIASYS Netmation4S 是三菱重工业株式会社的注册商标。 本目录中描述的其他公司的服务名称和产品名称是各公司的商标或注册商标。