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数字输入(带 UI 的 DI/CI)自动化站还使用通用输入记录二进制信息。信息(警报和状态)连接在输入端子(通道 u8...u11)和相关接地端子之间。模块向端子施加 > 9.5 V 的电压。如果触点打开,这通常对应于非活动状态(位 = 0)。如果触点闭合,则存在活动状态(位 = 1)并施加 0 V,产生约 1.6 mA 的电流。通过设置软件参数,可以将每个输入单独定义为警报、状态或脉冲计数器。可以使用 modu600-LO 本地操作和指示单元显示数字输入。在通用输入端,可以连接无电位触点、光耦合器或具有开路集电极的晶体管的信号。
图 2.1.1:MForce MicroDrive 安装建议 ......................................................................3 图 2.1.2:微步进 MForce MicroDrive 电源连接 ..............................................................4 图 2.2.1:隔离逻辑引脚和连接 ......................................................................................5 图 2.2.2:输入时钟功能 ......................................................................................................6 图 2.2.3:时钟输入时序特性 .............................................................................................7 图 2.2.4:光耦合器输入电路图 .............................................................................................8 图 2.2.5:开路集电极接口示例 .............................................................................................9 图 2.2.6:开关接口示例 .............................................................................................................10 图 2.2.7:所需的最小连接 ................................................................................................11 图 2.3.1:MD-CC300-000 参数设置电缆 .............................................................................12 图 2.3.2:SPI 引脚和连接,10 针IDC.................................................................13 图 2.3.3:SPI 引脚和连接,12 针导线压接..............................................................13 图 2.3.4:具有单个微步进的 SPI 主控
NSD5604 / NSD5604N 是一款 4 通道低侧驱动器,适用于工业和汽车应用,包括可编程逻辑控制、通用继电器或其他电磁阀驱动器。该设备包括 4 个并行输入接口,可控制 4 个独立驱动输出,用于电阻、电感或电容负载。输出通道可以并联,以支持高电流负载并降低设备功耗。低侧输出具有过温和短路保护。集成二极管可钳位电感负载关闭期间产生的电压瞬变;结合不同的外部 TVS 连接拓扑,可实现慢衰减或快衰减关闭。NSD5604 还具有额外的 5V 最大 20mA LDO 输出,用于板载数字隔离器或光耦合器电源。 NSD5604 和 NSD5604N 均采用紧凑型 16 引脚、4.96mm x 6.4mm HTSSOP16 封装,规定工作温度范围为 -40 至 125°C。
CA-IS3211 器件是一系列单通道、光电兼容隔离栅极驱动器,能够吸收 5A 电流并提供 6A 电流。这些器件采用双电源或高达 30V 的单电源供电,电压范围为 V CC - V EE ,非常适合驱动各种逆变器、电机控制或隔离电源系统中的功率 MOSFET、IGBT 或 SiC 晶体管。CA-IS3211 可配置为低侧或高侧驱动器。所有器件都采用 Chipanalog 专有的电容隔离技术,集成数字电流隔离,隔离耐压额定值为 5.7kV RMS,持续 60 秒,最小共模瞬变抗扰度 (CMTI) 为 150kV/μs。这些设备可以用于替代行业标准的基于光耦合器的栅极驱动器,同时提供高 CMTI、低传播延迟(典型值 70ns)、小脉冲宽度失真(最大值 35ns)和小部件间偏差。
注释:1. 在自然通风温度 85°C 以上,以 0.25 mA/°C 的速率线性降额。2. 在自然通风温度 85°C 以上,以 0.30 mA/°C 的速率线性降额。3. 在自然通风温度 85°C 以上,以 0.375 mW/°C 的速率线性降额。4. 在自然通风温度 85°C 以上,以 1.875 mW/°C 的速率线性降额。5. 电流传输比(百分比)定义为输出集电极电流 I O 与正向 LED 输入电流 I F 之比乘以 100。6. 器件被视为双端器件:引脚 1 和 3 短接在一起,引脚 4、5 和 6 短接在一起。 7. 根据 UL 1577,每个光耦合器都经过绝缘测试电压 ≥ 4500 V RMS 持续 1 秒的验证测试(泄漏检测
摘要 - 在电源电路中,栅极驱动器需要提供功率半导体器件的最佳和安全切换。如今,栅极驱动器板包含越来越多的功能,例如短路检测、软关断、温度感应、通态电压监控……正在研究集成在线监控功能以实现预测性维护。栅极驱动系统的仪表假定集成了通信系统来传输监控数据。在高功率设计中,栅极驱动器板上必须进行电流隔离。隔离栅上的寄生电容在这些设计中至关重要,因为它可能导致切换期间共模电流的循环。因此,由于电磁干扰 (EMI) 的限制,在隔离栅上添加额外的光耦合器或变压器是有风险的。本文提出了一种用于驱动 1.2kV SiC 功率 MOSFET 的栅极驱动器的新型双向数据传输方法。所提出的方法可以在单个电源变压器上实现能量传输和双向数据交换。实验结果表明 TxD 为 1Mb/s,RxD 为 16kb/s。目标应用是使用栅极驱动器板对 SiC 功率 MOSFET 进行健康监测。
注释:1.电流传输比(百分比)定义为输出集电极电流 I O 与正向 LED 输入电流 I F 之比乘以 100。2.设备被视为双端设备:引脚 1 和 3 短接在一起,引脚 4、5 和 6 短接在一起。3.根据 UL 1577,每个光耦合器都通过施加绝缘测试电压 4800 V RMS 持续 1 秒进行验证测试。4.逻辑高电平下的共模瞬态抗扰度是共模脉冲 V CM 上升沿上的最大可容忍(正)dV CM /dt,以确保输出将保持在逻辑高状态(即,V O > 2.0 V)。逻辑低电平下的共模瞬态抗扰度是共模脉冲信号 V CM 下降沿上的最大可容忍(负)dV CM /dt,以确保输出将保持在逻辑低状态(即,V O < 0.8 V)。5.1.9 k 负载代表 1.6 mA 的 1 TTL 单位负载和 5.6 k 上拉电阻。6.交流输出电压比其中频值低 3 dB 的频率。7.建议使用连接在引脚 4 和 6 之间的 0.1 μF 旁路电容。8.对于任何给定设备,脉冲宽度失真 (PWD) 定义为 |t PHL - t PLH |。9.相同测试条件下任意两个部件之间的 t PLH 和 t PHL 之间的差异。
每辆内燃机汽车内部都有经过验证的 12 V 电气系统。每辆电动或混合动力汽车 (EV、HEV) 内部的情况则大不相同。EV 和 HEV 利用高压电气系统的电力来高效驱动主电动机、快速充电电池并在寒冷天气快速加热车厢。如今,EV 和 HEV 使用 400 V 或 800 V,甚至更高的电压即将出现。这些高压需要更多地关注电气安全以及将系统划分为低压和高压域。在高压车辆系统(如牵引逆变器)内,可能有多个电压域需要交换信息。这些高压系统还必须与中央车辆控制器和彼此通信,同时确保驾驶员和乘客免受高压伤害。电流隔离将高压域和低压域电气隔离。过去,光耦合器用于跨隔离屏障传递信息。然而,CMOS 工艺的进步为尖端数字隔离打开了大门。这些新型隔离器提供相同或更好的隔离水平,并为不起眼的隔离器带来前所未有的集成度。电动汽车和混合动力汽车已迅速采用这项新技术来减小尺寸、提高效率和提高可靠性。尽管如此,采用数字隔离也带来了新的挑战,其中许多挑战可以通过一些解决方案来解决
作为当前项目省电探索的一部分,研究了光耦合器的替代品用于电流隔离。项目使用了大约 75 个电流隔离器,工作条件为 DC 至 1.2 Mbps。如果使用光隔离器,功耗将超过 10 瓦,还可能导致辐射引起的性能下降 [1]。为了降低功耗,对来自三家不同制造商的非光隔离器进行了评估。这种省电方式将使隔离器的总功耗从大约 10 瓦降低到不到 2 瓦。该项目的辐射要求规定,所选部件在 LET 低于 60 MeV·cm 2 /mg 时不得出现破坏性的单粒子闩锁 (SEL) 等破坏性单粒子。因此,它们最初在 NRL 的脉冲激光 SEE 测试设备上进行了破坏性 SEE 筛查。同时,还对部件进行了单粒子翻转 (SEU) 测试。经测试的三个部件中,有一个部件对 SEL 免疫,SEU 很少。该部件的重离子测试在加州大学劳伦斯伯克利分校实验室 (LBL) 88 英寸回旋加速器上进行,并证实了脉冲激光测试结果。最后,还在 NRL 的 Co 60 室中使用伽马射线对这些部件进行了总电离剂量 (TID) 测试,结果发现其可承受 50 krad(Si) 的辐射。