平面超导传输线谐振器可以在多个谐波共振频率下操作。这允许涵盖具有高灵敏度的广泛光谱状态,例如对于低温微波光谱。这种实验的常见并发症是存在不希望的“虚假”其他共振,这是由于谐振器基板或外壳框中的站立波。识别单个共振的性质(“设计”与“伪造”)对于更高的频率或如果包括未知材料特性的元素,那么对于微波光谱而言,可能会变得具有挑战性。在这里,我们讨论了各种实验策略,以区分共面超导谐振器中设计和虚假的模式,这些谐振器以高达20 GHz的频率范围运行。这些策略包括跟踪共振演变与温度,磁场和微波功率的函数。我们还证明了谐振器的局部修饰,通过应用微量的介电或电子自旋谐振材料,可导致各种共振模式中的特征性特征,具体取决于电或磁性微波场的局部强度。
空间FSM开发的光学通信的主要挑战是提出技术和供应链,与大量新空间方法相关,这需要对高速互联网,地球行星观察和监测以及移动性应用的安全连通性。CTEC提出了一种Mini-FSM技术,可提供+/- 6 MRAD的中风和1700 Hz的谐振频率,质量为50 gr。这种FSM机制是巨型星座以及板纳米人和立方体上所有应用的良好候选者,具有非常高的小型化水平,并且针对新的空间高量成本效率进行了优化。使用压电执行器的使用提供了很高的共振频率,以实现最佳控制,几乎零功耗的步骤和保持指向,并且在CTEC的optronics应用程序的多年反复制造中,非常高的可靠性数字> 0,995。1简介
摘要:体内生物医学设备是振动能量收集研究最多的应用之一。在本文中,我们研究了一种新型高位移设备,用于收集心跳以驱动无导线植入式起搏器。由于位置特殊,设计此类设备时必须考虑某些限制。事实上,系统的总尺寸不得超过 5.9 毫米,才能在无导线起搏器内使用,并且它必须能够在低于 50 Hz 的频率下产生低于 0.25 m/s 2 的加速度。建议的设计是基于尺寸为 4.5 mm 的方形驻极体的静电系统。它基于准手风琴结构,具有非常低的 26.02 Hz 谐振频率和 0.492 N/m 的低刚度,使其在此类应用中非常有用。使用充电电压为 1000 V 的特氟隆驻极体,该装置能够在共振频率下以 0.25 m/s 2 的振动速率产生 10.06 μW 的平均功率。
摘要:我们研究了2×2元素量子点阵列中单螺旋状态和多霍尔方向上的孔自旋松弛。我们发现,对于具有单孔和五孔职业的量子点,旋转松弛时间t 1高至32和1.2 ms,为孔量子点设定了自旋松弛时间的基准。此外,我们通过测量每个值对栅极电压的谐振频率依赖性来研究量子通讯性和电场灵敏度。,我们可以为单台和多孔量子位调整较大范围内的谐振频率,同时发现共振频率仅弱依赖相邻门。尤其是,五孔值谐振频率对其相应的柱塞门敏感20倍以上。出色的单个量子可调性和长期的自旋松弛时间在锗中有望在茂密的二维量子点阵列中,可寻求和高实现旋转矩阵,以获取大规模量子信息。关键字:锗,量子点,旋转放松,Qubits Q
摘要:我们报道了通过近距离氮空位 (NV) 单自旋传感器对磁性绝缘体 Y 3 Fe 5 O 12 薄膜中具有宽波矢范围的磁振子进行光学检测。通过多磁振子散射过程,激发的磁振子在 NV 电子自旋共振频率下产生波动磁场,从而加速 NV 自旋的弛豫。通过测量 NV 中心发射的自旋相关光致发光的变化,可以光学访问波矢可变至 ∼ 5 × 10 7 m − 1 的磁振子,从而为揭示磁系统中潜在的自旋行为提供了另一种视角。我们的结果凸显了 NV 单自旋量子传感器在探索新兴自旋电子材料的纳米级自旋动力学方面提供的重大机遇。关键词:量子传感、氮空位磁力仪、自旋波、磁绝缘体
电子包由放置在套管中的印刷电路板(PCB)组成。电子电路板应在不同条件下正确运行,包括热循环,振动和机械冲击。印刷电路板需要进行电气分析,并在机械上进行优化的性能。在本文中,PCB的有限元分析(FEA)是在ANSYS中进行的,并利用模态测试对结果进行了验证。确定了PCB的固有频率和模式形状,还评估了机械冲击对PCB的影响。结果表明,PCB在0-1000 Hz范围内具有三个共振频率。使用ANSYS软件获得了与每个固有频率相关的模式形状。这些数据可用于疲劳寿命估计和机械冲击分析。在这项工作中,也通过使用Steinberg的方法来估算正弦和随机振动下电线和焊接接头的疲劳寿命估计。结果表明,根据标致标准,随机振动比谐波振动对焊点和电线的疲劳寿命的影响更大。此外,结果在随机振动和谐波振动中都通过标致标准资格。
采用 MEMS 技术制造的压阻式冲击加速度计具有低功耗,同时在加速度水平大于 50 kg 时仍可提供 +/- 200 mV 满量程输出。加速度计与用于调节应变计全桥的同类型 4 线电路在电气上兼容,并且由于它们的输出比应变计大得多,因此对信号放大的要求大大降低。与机械隔离的 ICP ® 加速度计相比,它们具有更宽的工作温度范围。它们的频率响应(取决于型号)可以从 DC(0 Hz)均匀地达到高达 20 kHz 的值。为了减轻其共振频率被激发时的响应严重性,它们采用了挤压膜阻尼,实现了临界值的 0.02 到 0.06。这些阻尼值远高于传统 MEMS 加速度计中的阻尼值。由于硅是一种脆性材料,因此还采用了超量程止动装置以最大限度地减少传感元件的破损,然后将传感元件密封在密封封装中。在相当的 G 级下,MEMS 技术可以使单个加速度计实现最小的封装尺寸。
摘要:本文介绍了一种采用突跳屈曲 (STB) 机制进行频率上转换 (FuC) 的压电能量收集器。该收集器由两个主要部件组成:双稳态机械结构和一个压电悬臂梁。该装置采用分析方法和数值模拟设计。制造了一个概念验证原型并在低频机械激励下进行了测试。实验结果表明,如果从第二个稳定配置回到未变形配置,如果诱发 STB,则可以获得 FuC,并且梁的响应会呈现很宽范围内的频率分量,即使悬臂梁的共振频率没有被激发。因此,结果与预期行为一致:如果强制处于第二个稳定配置的设备受到幅度超过阈值的低频激励,则会触发 STB,随后的 FuC 会导致梁振动频率范围扩大,从而显著提高功率输出效率。通过使用最佳电阻负载作为 STB,从双稳态机制的一个稳定配置触发另一个稳定配置,可获得 4 mW 的最大功率;如果采用带储能电容器的整流电路,可获得 4.5 µJ 的最大能量。
采用 MEMS 技术制造的四线全桥压阻式冲击加速度计具有低功耗,同时在加速度水平大于 50 kg 时仍可提供 +/- 200 mV 满量程输出。加速度计与用于调节应变计全桥的同类型四线电路在电气上兼容,并且由于它们的输出比应变计大得多,因此对信号放大的要求大大降低。与机械隔离的 ICP ® 加速度计相比,它们具有更宽的工作温度范围。它们的频率响应(取决于型号)可以从 DC(0 Hz)均匀分布到高达 20 kHz 的值。为了减轻激发其共振频率时的响应严重性,它们结合了挤压膜阻尼,实现了临界值的 0.02 到 0.06。这些阻尼值比传统 MEMS 加速度计中的阻尼值高得多。由于硅是一种易碎材料,因此还采用了超量程止动装置,以尽量减少传感元件的损坏,然后将传感元件密封在密封封装内。在相当的 G 级下,MEMS 技术能够使单个加速度计实现最小的封装尺寸。
摘要:最近,磁电(ME)天线已成为非常低频(VLF)频段的天线微型化的热门话题,因为它们的大小可以降低到传统电气天线的千分之一。但是,它们仍然患有狭窄的传输/接收带宽和弱辐射强度。为了解决这些问题,设计了带有Microbridge结构的VLF薄片ME天线,并使用了数组连接的方法。测试结果表明,在23 kHz时,ME天线单位的检测极限为636 pt/√Hz,0.12 m时的辐射磁场强度为0.87 nt(输入功率为10 mW)。通过将三个ME天线单元串联具有相同的共振频率,与单个单元相比,输出响应已增加到1.72倍,EM波辐射强度增加到1.9倍。与单个单元相比,通过平行连接两个具有不同谐振频率的ME天线单元,输出响应带宽已扩展到1.56倍,并且信号辐射带宽已扩展到1.47倍。这项工作为我天线的未来大规模阵列提供了宝贵的参考。