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典型精度为 ±0.25°C 的数字温度传感器
MCP9804 带有用户可编程寄存器，可为温度传感应用提供灵活性。寄存器允许用户选择设置，例如关断或低功耗模式以及温度警报窗口限制和临界输出限制的规范。当温度变化超出指定的边界限制时，MCP9804 会输出警报信号。用户可以选择将警报输出信号极性设置为低电平有效或高电平有效比较器输出（用于恒温器操作），或设置为温度警报中断输出（用于基于微处理器的系统）。警报输出也可以配置为仅临界温度输出。
UCC5880-Q1 隔离式 20A 可调节栅极驱动 IGBT/SiC MOSFET 栅极驱动器，具有高级保护功能，适用于汽车应用数据表 (Rev. A)
• 具有实时可变驱动强度的双输出驱动器 – ±15A 和 ±5A 驱动电流输出 – 数字输入引脚 (GD*)，用于在没有 SPI 的情况下调整驱动强度 – 3 个电阻设置 R1、R2 或 R1||R2 – 集成 4A 有源米勒钳位或可选外部驱动器用于米勒钳位晶体管 • 初级侧和次级侧有源短路 (ASC) 支持 • 内部和外部电源的欠压和过压保护 • 驱动器芯片温度感应和过温保护 • 短路保护： – 对 DESAT 事件的响应时间为 110ns – DESAT 保护 – 最高 14V 的选择 – 基于分流电阻的短路 (SC) 和过流 (OC) 保护 – 可配置的保护阈值和消隐时间 – 可编程软关断 (STO) 和两级软关断 (2STO) 电流 • 集成 10 位 ADC – 能够测量电源开关温度、DC Link 电压、驱动器芯片温度、DESAT 引脚电压、VCC2 电压 –可编程数字比较器 • 高级 VCE/VDS 钳位电路 • 符合功能安全标准 – 专为功能安全应用而开发 – 提供文档以帮助符合 ASIL D 标准的 ISO 26262 系统设计 • 集成诊断： – 保护比较器的内置自检 (BIST) – 用于功率器件健康监测的栅极阈值电压测量 – INP 至晶体管栅极路径完整性 – 内部时钟监控 – 故障报警和警告输出 (nFLT*) – ISO 通信数据完整性检查 • 基于 SPI 的器件重新配置、验证、监控和诊断 • 150V/ns CMTI • 符合 AEC-Q100 标准，结果如下： – 器件温度等级 1：-40°C 至 +125°C 环境工作温度
碳化硅纳米线场效应晶体管在集成电路和传感应用方面的进展
摘要。块体碳化硅 (SiC) 的优越物理特性以及一维 (1D) 纳米结构特定物理特性的预期增强，激发了一系列针对纳米线 (NW) 制造和特性以及其在器件中的应用的研究。SiC 纳米线场效应晶体管 (NWFET) 是研究 SiC NW 在外部刺激（如电场）（集成电路中的应用）或 NW 表面上存在力或化学/生物物种（传感器中的应用）时在不同温度下的电特性的理想器件概念。SiC NW 量子传输建模的初步报告揭示了实现与 Si 基 NWFET 相当性能的前景。然而，实验性的 NWFET 演示表现出较低的载流子迁移率、I ON /I OFF 比和跨导 (gm ) 值，这对其进一步发展构成了障碍。低性能主要源于高度无意掺杂和未优化的 SiO 2 /SiC NW 界面。事实上，由于缺乏对 SiC NW 自下而上的生长过程的严格控制，导致非常高的载流子浓度（主要源于无意掺杂）接近退化极限。高密度陷阱和固定电荷的低界面质量导致栅极电场屏蔽，并表明需要进一步研究 SiO 2 /SiC NW 界面。由于这两种影响，即使在非常高的栅极电压下也无法实现器件关断。目前，只有在源/漏极 (S/D) 区域具有肖特基势垒 (SB) 的背栅极 NWFET 才表现出明确的关断和改进的性能，这要归功于通过全局栅极作用间接调制漏极电流，从而调节 S/D 区域的 SB 透明度。
澳大利亚标准协会 (AS9700)
-4.0V 至 -6.5V（100mV/Step）驱动能力高达 120mA ±1.5% 输出电压精度 出色的线路调整率 轻载时具有 PFM 模式的开关电容 适用于轻载的高级省电模式 可编程有源放电 支持 I2C 兼容接口 集成补偿和反馈电路 1uA 关断电源电流 升压电流模式操作 逐周期电流限制 内部软启动可防止浪涌电流 欠压锁定 过温保护 1.4MHz 固定开关频率 专有的开关损耗降低技术 小解决方案尺寸 符合 RoHS 和绿色标准 节省空间的 15 球 WLCSP（1.17mm x 1.97mm）封装 -40 ℃ 至 +85 ℃ 温度范围
高可靠性直流电源 PAN-A 系列 - KIKUSUI
冲击电流 接通电源时，根据接通电源的时间，可能会有冲击电流流过。这种冲击电流是由变压器铁芯材料的磁饱和引起的。理论上，如果在电压波形的相位角 90°（π/2）附近接通电源，则不会产生冲击电流。但是，如果在对应于相位角 0°（零交叉）的时间接通电源，则会产生最大电流。这种瞬态现象如下所示。但实际上，冲击电流的存在取决于铁芯材料的 B-H 曲线的磁滞特性、关断时的剩磁通量方向和/或 PAN-A 系列所连接的交流线的阻抗。如果同时为多台 PAN-A 系列设备接通电源，请检查交流线路容量或配电盘容量是否足够。
深圳市感联微电子有限公司 (CT7481)
⚫ 工作电压：1.75V 至 5.5V ⚫ 平均工作电流：40uA（典型值）@1Con/s，Vcc = 3.3V ⚫ 关断电流：3.0uA（典型值） ⚫ 无需校准的温度精度：± 1 o C 从 20 o C 到 100 o C ⚫ 12 位 ADC，分辨率为 0.0625 o C ⚫ 数字接口兼容 SMBus 和 I 2 C ⚫ 通过设置配置 1 寄存器（RANGE 位）可将温度范围提高到 -64 o C 至 191 o C ⚫ 可编程过/欠警报和带滞后温度的热温度 ⚫ 串行电阻取消 ⚫ 热二极管故障检测 ⚫ 支持 SMBus 警报响应地址（ARA） ⚫ 温度范围： -40 o C 至 125 o C ⚫可用封装: MSOP-10 应用
一种简单的一维有限元方法来模拟 PCB 在电子组件中的影响
在汽车电子领域，实现高设备可靠性是一项基本要求。操作典型的汽车负载（例如灯泡或伺服电机）会给设备本身带来很大的热应力，因为这些负载具有高浪涌电流、长关断时间和高电感。因此，切换这些负载意味着高开关损耗、长时间的开启和关闭瞬态以及严重的过热。开关将循环数千次甚至数百万次，相应的功率循环将引起热机械性能下降，最终导致电气故障。因此，有必要正确模拟此类功率循环以提高设备可靠性并了解故障机制，特别是准确的热模型是得出所有后续电热和热机械结论的第一步。
LM75 数字温度传感器和热看门狗，带双线接口
LM75 是一款温度传感器、Delta-Sigma 模拟数字转换器和数字过温检测器，带有 I 2 C ® 接口。主机可以随时查询 LM75 以读取温度。当温度超过可编程限制时，开漏过温关断 (O.S.)输出变为活动状态。此引脚可以在“比较器”或“中断”模式下运行。主机可以编程温度报警阈值 (T OS ) 和报警条件消失的温度 (T HYST )。此外，主机可以读回 LM75 的 T OS 和 T HYST 寄存器的内容。三个引脚 (A0、A1、A2) 可用于地址选择。传感器在比较器模式下启动，默认阈值为 80˚C T OS 和 75˚C T HYST 。