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CA-IS2092A 带集成 DC-DC 的隔离式 RS-485 收发器
• 高性能，符合 RS-485 EIA/TIA-485 标准 数据速率高达 0.5Mbps 1/8 单位负载可使总线上最多 256 个节点 3.0V 至 5.5V DC-DC 电源电压范围 (VDDP) 2.5V 至 5.5V RS-485 电源输入 (VDDL) • 用于电缆侧电源的集成 DC-DC 转换器 3.3V 和 5V 输出选项 与内部变压器的高度集成 软启动可降低输入浪涌电流 过载和短路保护 热关断 • 数字信号的强大电流隔离 2.5kV RMS 耐受隔离电压 60 秒（电流隔离） ±150kV/μs 典型 CMTI 长寿命：>40 年 • 集成保护以实现稳健通信 ±8kV 人体模型 (HBM) ESD总线 I/O 保护 真正的故障安全保证已知的接收器输出状态 驱动器电流限制和热关断 • 宽工作温度范围：-40°C 至 125°C • LGA16 封装 • 安全监管批准（待定） 3535V PK V IOTM 和 566V PK V IORM 符合 DIN VDE V0884-11:2017-01 2.5kV RMS 隔离，持续 1 分钟，符合 UL 1577
TMP121、TMP123：具有 SPIŽ 接口的 1.5°C 精度数字温度传感器 (R ev. B)
当 CS 为高电平时，TMP121 和 TMP123 会持续将温度转换为数字数据。CS 必须保持高电平至少一个转换时间（最大 320ms）才能更新温度数据。从 TMP121 和 TMP123 读取温度数据时，需要将 CS 拉低，这将导致任何正在进行的转换终止，并使器件进入模拟关断状态。在模拟关断期间，静态电流降至 1µA。一旦 CS 被拉低，在 CS 下降之前最后一次完成的转换的温度数据将被锁存到移位寄存器中，并在 SCK 下降沿的 SO 上输出。16 位数据字首先输出符号位，然后是 MSB。在提高 CS 之前可以读取 16 位字的任何部分。TMP121 和 TMP123 通常需要 0.25 秒才能完成转换，在此期间消耗 50µA 电流。如果 CS 保持高电平的时间超过一个转换时间周期，则 TMP121 和 TMP123 将进入空闲模式 0.25 秒，仅需 20 µA 电流。每 0.5 秒开始一次新转换。图 2 描述了 TMP121 和 TMP123 的转换时序。
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AW37417 有三种工作模式。在重载时，该器件以 6MHz 固定频率 PWM 模式工作，以最大限度地减少 RF 干扰。在轻载时，AW37417 自动进入峰值电流控制 PFM 模式，以减少开关损耗。在 PFM 模式下，器件消耗的静态电流降低至 27μA，以延长电池寿命。器件在关断模式下关闭，并将电源电流降低至 0.1μA（典型值）。
TMUX582F-SEP 耐辐射 +60V 保护，闩锁...
• VID V62/23607-01XE • 抗辐射 – 单粒子闩锁 (SEL) 在 125°C 时可抵抗 43 MeV- cm2/mg – ELDRS 无影响至 30krad(Si) – 每晶圆批次的总电离剂量 (TID) RLAT 高达 30krad(Si) – TID 特征值高达 30krad(Si) – 单粒子瞬变 (SET) 特征值高达 43 MeV-cm2 /mg • 电源范围：+8V 至 +22V • 集成断电和过压保护 – 过压和断电保护高达 +60V – 冷备用能力高达 +60V – 可调节故障阈值 (V FP ) 从 3V 到电源 – 中断标志反馈指示故障通道 – 非故障通道继续以低漏电流运行 • 闩锁免疫结构 • 精密性能，源极关断漏电流（最大值）为 ±4.5nA，关断电容为 4pF • 航天增强型塑料 – 工作温度范围为 –55°C 至 +125°C – 受控基线 – 金线和 NiPdAu 引线涂层 – 一个装配和测试站点 – 一个制造站点 – 延长产品生命周期 – 产品可追溯性 – 增强型模塑料，具有低释气性 • 小型、行业标准 TSSOP-20 封装
BQ25186 1 节、1A I2C 线性电池充电器，带电源...
• 1A 线性电池充电器 – 3.0V 至 18V 输入电压工作范围，适用于电池到电池充电、USB 适配器和高阻抗源。 – 可配置电池调节电压，精度为 0.5%，范围为 3.5V 至 4.65V，步长为 10mV – 兼容锂离子、锂聚合物和磷酸铁锂化学成分 – 5mA 至 1A 可配置快速充电电流 – 115mΩ 电池 FET 导通电阻 – 55mΩ 电池 FET 导通电阻 – 高达 3A 的放电电流以支持高系统负载 – 可配置 NTC 充电配置文件阈值，包括 JEITA 支持 • 电源路径管理，用于为系统供电和为电池充电 – 除电池电压跟踪外，调节系统电压 (SYS) 的范围为 4.4V 至 5.5V。 – 适用于高阻抗输入源的电池跟踪输入电压动态电源管理 (VINDPM) • 超低静态电流 – 15nA 关断模式 – 3.2μA 带按钮唤醒的运输模式 – 仅电池模式下为 4μA – 睡眠模式下为 30μA 输入适配器 Iq • 一个按钮唤醒和复位输入 • 集成故障保护 – 输入过压保护 (VIN_OVP) – 电池短路保护 (BATSC) – 电池过流保护 (BATOCP) – 输入电流限制保护 (ILIM) – 热调节 (TREG) 和热关断 (TSHUT) – 电池热故障保护 (TS) – 看门狗和安全定时器故障
3.3 kV 4H-SiC JBS 二极管的优化 - WRAP：Warwick
摘要—本文报告了一项综合研究，该研究优化了使用镍、钛和钼接触金属制成的 3.3 kV 结势垒肖特基 (JBS) 二极管的 OFF 和 ON 状态特性。在此设计中，使用与优化终端区域相同的植入物来形成 JBS 有源区域中的 P 区。P 区的宽度和间距各不相同，以优化器件的 ON 和 OFF 状态。所有测试的二极管均显示出高阻断电压和理想的开启特性，最高额定电流为 2 A。然而，发现漏电流和肖特基势垒高度 (SBH) 与肖特基与 p + 区域的比例成比例。没有 p + 区域的全肖特基和具有非常宽肖特基区域的肖特基具有最低的 SBH（Ni 为 1.61 eV、Mo 为 1.11 eV、Ti 为 0.87 eV）和最高的漏电流。肖特基开口最小（2μm）的二极管具有最低的关断状态漏电，但它们受到周围 p + 区域的严重挤压，从而增加了 SBH。性能最佳的 JBS 二极管是间距最窄的 Ni 和 Mo 器件，p + 植入物/肖特基区域均为 2μm 宽。这些器件提供了最佳的平衡器件设计，具有出色的关断状态性能，而肖特基比保证了相对较低的正向压降。
SG1525A/SG2525A/SG3525A SG1527A/SG2527A/SG3527A
SG1525A/1527A 系列脉冲宽度调制器集成电路旨在提供更高性能和更少外部部件数量，可用于实现所有类型的开关电源。片上 +5.1 伏参考电压被调整至 ±1% 初始精度，误差放大器的输入共模范围包括参考电压，无需外部电位器和分压电阻。振荡器的同步输入允许多个单元一起从属，或将单个单元同步到外部系统时钟。CT 引脚和放电引脚之间的单个电阻提供广泛的死区时间调整范围。这些设备还具有内置软启动电路，只需外部定时电容器即可。关断引脚控制软启动电路和输出级，提供瞬时关断和软启动循环以实现缓慢开启。这些功能还由欠压锁定控制，当输入电压低于正常运行所需的电压时，欠压锁定可使输出保持关闭状态，并使软启动电容器放电。这些 PWM 电路的另一个独特功能是比较器后面的锁存器。一旦 PWM 脉冲因任何原因终止，输出将在整个周期内保持关闭状态。锁存器会在每个时钟脉冲时重置。输出级采用图腾柱设计，能够提供或吸收超过 200mA 的电流。SG1525A 输出级采用 NOR 逻辑，在关闭状态下输出低电平。SG1527A 采用 OR 逻辑，在关闭时输出高电平。