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TSV 集成表面电极离子阱可扩展...
1 新加坡科技研究局（A*STAR）微电子研究所，新加坡 117685 2 巴黎大学材料与现象实验室，法国巴黎 F-75013 3 南洋理工大学电气与电子工程学院，新加坡 639798 在本研究中，我们报告了一种铜填充硅通孔 (TSV) 集成离子阱的设计、制造和操作。TSV 被直接放置在电极下方，作为离子阱和玻璃中介层之间的垂直互连，随着电极数量的增加和复杂性的提高，可实现任意几何设计。TSV 的集成将离子阱的形状因子降低了 80% 以上，将寄生电容从 32±2 pF 最小化到 3±0.2 pF。尽管没有接地屏蔽层，但仍实现了低射频耗散。整个制造过程在 12 英寸晶圆上进行，并与成熟的 CMOS 后端工艺兼容。我们通过加载和激光冷却单个 88 Sr + 离子展示了该阱的基本功能。我们发现，加热速率（轴向频率为 300 kHz 时为 17 量子/毫秒）和寿命（约 30 分钟）与类似尺寸的阱相当。这项工作开创了 TSV 集成离子阱的发展，丰富了可扩展量子计算的工具箱。
InSb量子阱器件中的量子传输
摘要 InSb 是一种窄带 III-V 族半导体，具有带隙小、电子有效质量小、电子迁移率高、有效 g 因子大、自旋轨道相互作用强等特点，这些独特性质使 InSb 在工业应用和量子信息处理方面都具有广阔的应用前景。本文综述了 InSb 量子阱器件量子输运研究的最新进展。随着高质量异质结构生长和微纳制造技术的进步，基于 InSb 量子阱的低维体系中已经开展了量子输运实验。此外，在未掺杂的 InSb 量子阱中已经实现了双极操作，从而可以系统地研究 p 型窄带半导体的能带结构和量子特性。此外，作为对更窄带隙半导体物理探索的延续，我们介绍了对 InAsSb 量子阱的最新研究成果。
AlN/AlGaN/AlN量子阱通道HEMT
我们对基于 Al x Ga 1 x N 量子阱通道的 AlN/AlGaN/AlN 高电子迁移率晶体管 (HEMT) 的电气特性进行了成分依赖性研究，其中 x ¼ 0.25、0.44 和 0.58。这种超宽带隙异质结构是下一代射频和电力电子器件的候选材料。使用选择性再生长的 n 型 GaN 欧姆接触会导致接触电阻随通道中 Al 含量的增加而增加。DC HEMT 器件特性表明，对于 x ¼ 0.25、0.44 和 0.58，最大漏极电流密度分别从 280 mA/mm 逐渐降低到 30 mA/mm 再到 1.7 mA/mm。与此同时，这三个 HEMT 的阈值电压 (幅度) 同时从 5.2 V 降低到 4.9 V 再到 2.4 V。这一关于 Al 组分 x 对晶体管特性影响的系统实验研究为在 AlN 上设计用于高电压和高温极端电子器件的 AlGaN 通道 HEMT 提供了宝贵的见解。
构建嘈杂的中型离子阱量子计算机
摘要 — 捕获离子 (TI) 是构建嘈杂中型量子 (NISQ) 硬件的主要候选者。TI 量子比特与超导量子比特等其他技术相比具有根本优势，包括高量子比特质量、相干性和连通性。然而，当前的 TI 系统规模较小，只有 5-20 个量子比特，并且通常使用单个陷阱架构，这在可扩展性方面存在根本限制。为了向下一个重要里程碑 50-100 量子比特 TI 设备迈进，提出了一种称为量子电荷耦合器件 (QCCD) 的模块化架构。在基于 QCCD 的 TI 设备中，小陷阱通过离子穿梭连接。虽然已经展示了此类设备的基本硬件组件，但构建 50-100 量子比特系统具有挑战性，因为陷阱尺寸、通信拓扑和门实现的设计可能性范围很广，并且需要满足不同的应用资源要求。为了实现具有 50-100 个量子位的基于 QCCD 的 TI 系统，我们进行了广泛的应用驱动架构研究，评估了陷阱大小、通信拓扑和操作实现方法等关键设计选择。为了开展研究，我们构建了一个设计工具流，该工具流以 QCCD 架构的参数作为输入，以及一组应用程序和真实的硬件性能模型。我们的工具流将应用程序映射到目标设备上并模拟其执行以计算应用程序运行时间、可靠性和设备噪声率等指标。使用六个应用程序和几个硬件设计点，我们表明陷阱大小和通信拓扑选择可以将应用程序可靠性影响多达三个数量级。微架构门实现选择将可靠性影响另一个数量级。通过这些研究，我们提供了具体的建议来调整这些选择，以实现高度可靠和高性能的应用程序执行。随着业界和学术界努力构建具有 50-100 个量子比特的 TI 设备，我们的见解有可能在不久的将来影响 QC 硬件并加速实用 QC 系统的进程。
月球冰矿工的热管理系统
月球陨石坑观测和传感卫星 (LCROSS) 任务发现的数百万吨冰水被认为是月球上最宝贵的资源。从月球风化层中提取这些水冰需要非常高的热能输入，相反，在近真空环境中捕获这些水蒸气也需要很大的冷却能力。因此，有必要为未来由放射性同位素驱动的月球冰采矿车开发专用的热管理系统 (TMS)。根据 SBIR 第一阶段计划，Advanced Cooling Technologies, Inc (ACT) 与 Honeybee Robotics (HBR) 合作开发了一种热管理系统，该系统可以战略性地利用核动力源的废热来升华月球冰土中的水蒸气，并使用月球环境温度作为散热器来重新冻结冷阱容器内的升华蒸气。这样，就可以在降低系统质量和占地面积的情况下，最大限度地减少冰提取和蒸汽收集所需的电能。进行了初步权衡研究，设计了 TMS 的多个热组件，包括基于废热的热芯和热管散热器冷阱罐。开发并测试了概念验证原型。设计了一个可能满足 NASA 采矿目标的初步全尺寸系统，并估算了采矿效率、系统质量/体积和功耗（电能和热能）。
亚洲水稻亚种的冷应力机制和osubc7的过表达，以增强水稻冷耐受性
到2050年，预计全球97亿人口将增加粮食需求，特别是对于主食作物。气候变化，随着温度的极大波动，严重影响了在热带和亚热带地区生长的冷敏感亚洲大米（Oryza sativa L.）。因此，了解对冷应激具有独特耐受性的两个亚洲水稻亚种的响应机制对于提高作物的冷耐受而言很重要。因此，这项研究检验了我们的假设，以解决Japonica如何比Indica更好地忍受冷暴露：（1）Japonica有选择地调整抗氧化活性以相反的活性氧（ROS），而Indica迅速提高了抗氧化活性； （2）Japonica增加了抗氧化剂，以防止长时间暴露后的损害，而Indica未能这样做； （3）japonica减慢了吸水，以维持寒冷期间最少的光合作用，而Indica的摄取机制则被损害； （4）泛素化蛋白Osubc7的过表达可提高冷敏感剂的冷耐受性。要检验这些假设，本研究研究了两种不同冷处理下两种亚种采用的酶促抗氧化活性和水吸收策略。结果揭示了管理ROS和抗氧化活性的独特策略，Japonica表现出波动的抗氧化活性，以潜在地激活防御途径，而Indica表现出快速但可能过度且昂贵的ROS清除反应。此外，这项研究探讨了冷候选基因OSUBC7在冷应激反应和生产力中的作用。此外，观察到对比的水吸收模式，与japonica中度下降相比，Indica饰品在寒冷下显着降低，表明相对结果。在冷敏感康复中的OSUBC7过表达通过提高生长速率，糖代谢和叶绿素含量来增强植物对冷应激的韧性，最终有助于更有效的恢复和更高的生存能力。此外，Osubc7显示出潜在的开花和产量参与，这表明在生产力中起着有希望的作用。总而言之，这项工作证明了亚洲水稻亚种对冷压力的复杂反应机制，强调了ROS感知和管理的重要性，吸水策略以及改善冷应激耐受性的遗传因素。这些发现提供了对这两种亚种的自适应策略的见解，并有助于制定有效的策略，以提高波动环境中的作物冷耐受性。
冷链创新：可持续性途径
印度近年来，印度的可腐烂高营养产品的生产激增。水果，蔬菜，肉类和家禽产品在此清单上。，尽管产量庞大，但该国的营养不足条件尚未得到充分解决。此外，由于整个供应链中的粮食损失，印度目前在农场贸易中的全球份额仍然可以忽略不计。当我们浏览现代食品系统的复杂性时，越来越明显的是，健壮的冷链基础设施对于发展可持续食品加工行业至关重要。一条良好的冷链的好处不仅仅是食物的保存；它涵盖了粮食安全的增强，减少收获后损失以及农业部门内经济增长的支持。
冷湿房屋对我的健康的影响
社交 - 上述对健康的负面影响，以及燃料成本高效率无效的房屋的财务影响，平均少钱用于购买食物，在运输上花费，保持租金并保持社交联系。生活在寒冷的房屋中会影响缺乏工作和教育的疾病。如果只能保持一个或两个房间的温暖，这会影响隐私以及有工作和学习的空间。压力较高的人满为患的冷湿屋与更高水平的家庭暴力和无家可归程度有关。
HVACR和冷链小册子2025
安全的HVACR和冷链是唯一的唯一专门展览，上面有关供暖，通风，空调，空调，空气滤通和纯净和纯净和冷藏系统，孟加拉国的冷链管理系统，解决方案和服务！于2025年5月15日至17日在孟加拉国国际会议中心Bashundhara（ICCB）返回第10版。随着该国继续在商业，住宅和工业项目上进行重大投资，这是孟加拉国高经济增长的第1025个安全性HVACR＆CLON CHACH，这是南亚最高的GDP和最大的印度人口超过1,400万人口的最大市场。孟加拉国非常需要空调和通风产品和服务，政府非常重视应用绿色建筑方法和技术，这也增加了该国智能HVAC系统的需求。