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World File Search System凹凸
采购需求编号：4PDC1A03001 日本陆上自卫队规格项目...
本规范中未指定的任何事项应受制造商的规范、内部标准和一般商业惯例的管辖。 3、产品要求 3.1数量：600件 3.2规格：主体为色织压花提花（正常绒头规格） 3.2.1材质：100%纯棉，颜色为黑色（合同签订后由政府指定颜色）。 3.2.2 尺寸：350mm x 850mm（标准） 3.2.3 重量：成品重量 330 姆米（标准） 3.2.4 制造：毛巾必须在今治制造，且必须小心制造名牌等以避免磨损。 3.2.5 标签 标签尺寸为宽度22毫米（标准），并应清楚标明日本制造及产地为爱媛县今治市。 3.3 质量保证
在频道驱动的冷原子中的多体量子混乱
在量子混沌系统中，光谱形式（SFF）定义为两级光谱相关函数的傅立叶变换，已知遵循随机矩阵理论（RMT），即“坡道”，其次是“坡道”，其次是“高原”。最近，与所谓的“ bump”相距的通用早期偏差被证明是在随机量子电路中作为多体量子系统的玩具模型存在的。我们证明了SFF中的“凹凸障碍 - 高原”行为，用于许多范式和频道驱动的1D冷原子模型：无旋转和Spin-1/2 Bose-Hubbard模型，以及与触点或二色相互作用的不可融合的Spin-1凝结物。我们发现，与晶格大小相比，多体时间的缩放量 - rmt的发作和凸起振幅的变化对原子数的变化更为敏感，而不管超级结构，对称性类别，或者选择驱动方案的选择如何。此外，与1D光学晶格中相互作用的玻色子相比，在旋转气体中，原子数中的缩放和凸起幅度的增加的速度明显慢，这表明了位置的作用。我们获得了SFF的通用缩放函数，该功能暗示了量子混乱的冷原子系统中凸起政权的幂律行为，并提出了一种干涉测量方案。
文章开发用于脑电图信号采集的低接触阻抗干电极
摘要：干脑电图（EEG）系统的设置时间很短，需要有限的皮肤准备。但是，它们倾向于需要强的电极到皮肤接触。在这项研究中，通过将聚酰亚胺柔性印刷电路板（FPCB）部分嵌入聚二甲基硅氧烷中，然后将它们施放在具有六个对称的腿或肿块的传感器模具中，从而制造具有低接触阻抗（<150kΩ）的干脑电图电极（<150kΩ）。银 - 氯化物糊用在必须触摸皮肤的每条腿或凹凸的尖端上。使用FPCB使制造的电极能够保持稳定的阻抗。制造了两种类型的干电极：皮肤的平盘电极，头发有限，多型电极用于常用和浓密的头发区域。阻抗测试。实验结果表明，制造的电极表现出65至120kΩ之间的阻抗值。用这些电极获得的脑波模式与使用常规湿电极获取的电极相当。基于ISO 10993-10：2010原始Col和基于ISO 10993-5：2009协议的细胞毒性测试，基于ISO 10993-10：2010原始Col的原发性皮肤刺激测试通过了主要的皮肤刺激测试。
提案的氢化型指数
高级高强度钢（AHSS）广泛用于汽车行业[1-7]。它们的高强度和延展性可以保证撞车性并减少汽车的整体体重，从而有助于更大的被动安全性和更少的污染排放[8-11]。在AHSS中，Martensitic Steels（MS-AHSS）用于生产对冲击安全性至关重要的汽车结构组件，例如前后保险杠梁，门抗入口杆，侧面凹凸增强型和屋顶横梁[12-14]。MS-AHSS的成功是其强度和延展性的结果，以及相对较低的成本[12，15]。但是，由于其微观结构，MS-AHSS特别容易受到氢的含量（HE）[16]。H可以在生产过程中被钢吸收，例如涂层，焊接，热处理，绘画[17]或在特定的服务条件下[12]。钢中氢（H）的存在可以降低强度，延展性，疲劳性和断裂韧性[2，12，17 - 21]。文献中已经描述了两个主要的现象：在明显的亚临界裂纹或最终断裂后的最终断裂，没有证据表明先前的裂纹形成和稳定的生长（在[22]中称为HESC和HEFT）。以前的情况是可以用断裂力学方法建模的，是文献中研究最多的情况，而没有亚临界裂纹生长的情况通常与延展性降低有关而没有强度损失[12，19，23 - 27]。MS-AHSS组件通常是制造的已经提出了几种机制来规定H的含义，以及其他机制：（i）HEDE（ii）帮助（iii）HAM [21，22，24，28]。
农民在泰米尔纳德邦评估BT棉花的经历
bt棉花是一种有吸引力的替代技术，可保护棉花免受毛虫的影响，并使棉花养殖更可持续，经济和环保。它具有对凹凸不平的内置抗性，并且非常有效地控制着由凸起的产量损失在相当多的程度上。它会提高收益水平，并提高农民的利润率。尽管该技术赋予了各种收益的信用，但最终用户对其生物安全，道德，社会，健康，经济和环境的影响有些担忧。这些担忧预言，通常会在不久的将来对Ge Wole产生抵抗力，尤其是BT棉花。人民的态度，他们对技术和采用行为的意识在维持任何技术方面起着重要作用。牢记这一点，在泰米尔纳德邦的哥印拜陀和Perambalur地区随机选择的120个BT棉花种植者中进行了一项实证研究，以评估他们在BT棉花种植中的经验。大多数种植者对BT棉花种植的态度很高，并且希望将来种植BT棉花。他们有关BT棉花的主要信息来源是本地投入经销商。他们中的大多数人没有采用印度政府规定的难民技术，以避免boll虫对BT棉花的抵抗发展。他们认为，由于BT棉花的密集，将在不久的将来发生主要的社会，经济，环境，道德和生物安全的影响。
2025请致电论文
特殊焦点模块背面功率，3D集成，内存堆叠，异源集成（启用AI革命）新兴技术CMOS Technologies的缩放范围继续延伸，超出了当前3 nm节点的清晰外观，包括围绕技术周围的闸门。引入背部功率将为高级技术带来令人兴奋的新功能，但同时，带来了在提供的ESD设备中需要解决的新ESD挑战。使用高级技术，高应用程序性能和异质集成概念为ESD保护设计带来了新的挑战。对于2025年EOS/ESD研讨会，我们正在寻找展示技术层面的进步和挑战的原始出版物。设备测试技术缩放和包装的复杂性的增加需要更高级的ESD测试解决方案。现代包装技术还引入了制造过程中未知的ESD应力水平。初始测量结果显示出非常快的脉冲解决了次纳秒时间域。现有的测试方法适合在此时间域中的表征，还是我们需要新的方法？我们邀请提交这些问题以及在ESD测试其他领域的进步。制造控制商业高性能2.5D和3D IC的制造具有与ESD相关的特定挑战，其中包含新材料，自定义集成和相关测试方法的新组装过程。模具到磁力，晶圆到磁力粘结，堆叠的ICS和模块包括具有低ESD承受能力的子系统，具有大量和各种各样的模具到die接口和小凹凸音高。我们邀请提交的意见，以解决控制和处理方面的进步，以朝着低于5 V制度的ESD稳健性非常低的行业趋势。
3D包装技术受益于经过验证的底填层保护，以确保长期可靠性和绩效
移动和计算技术在过去十年中以加速的速度提高，并通过各种互连解决方案的开发和集成使创新速度。从历史上看，改进形式和功能的最普遍的方法是晶体管缩放，尽管新的性能要求使这项技术变得越来越具有挑战性和昂贵。除了晶体管缩放并达到更高的成本和性能效率外，许多设备设计人员还考虑了新的高级包装技术，以满足提高功能和成本效益的持续需求。现代包装设计包括增加I/O，包装系统，chiplets和更高的互连密度等。随着较新的包装变得越来越薄，更小，具有更大的I/O，以提高功能，从而确保设计的可靠性对于长期性能至关重要。应力管理和结构性凹凸保护是关键因素，因为芯片在较低的硅节点和超低介电层的情况下越来越脆弱。在给定的模具大小上实现较高的功能驱动了几种方法的开发，其中一种是铜（CU）支柱技术。该技术使Cu支柱凸起更高密度，从而增加I/O并利用晶圆功能。但是，与其他具有挑战性的设计一样，CU支柱凸起的音高小于50 µm，狭窄的40 µm键合条间隙使常规的凸起保护方法越来越有问题。传统的毛细血管下填充（CUF），在紧密的尺寸内和周围的流动困难。由于在狭窄空间下清洁的通量清洁也很有挑战性，因此与磁通残基的兼容性兼容是一个日益关注的问题。对于稀薄的晶片，并与硅VIA（TSV）一起死亡，以适应3D堆叠，处理和扭曲控制更具挑战性。借助这种新的技术景观，以及有效保护精致的互连，非导导的糊（NCP）和非导导膜（NCF）（也称为Wafer-papplied underfill（WAUF）） - 材料已成为CU Pillar Pillar pillar pillar和TSV包装的最可靠的底部填充解决方案。NCP和NCF材料都通过热压缩键合提供了出色的凸起垫对齐精度，如下图所示，该图比较了毛细管，糊和膜处理步骤。
微型制造的表面电极离子陷阱，具有3D-TSV集成，用于可伸缩量子计算
Micro-fabricated Surface Electrode Ion Trap with 3D-TSV Integration for Scalable Quantum Computing Jing Tao 1 , Luca Guidoni 2 , Hong Yu Li 3 , Lin Bu 3 , Nam Piau Chew 1 and Chuan Seng Tan 1* 1 School of Electrical and Electronic Engineering, Nanyang Technological University, Singapore 639798 2 Laboratoire Matériaux et Phénomènes Quantiques, Université Paris Diderot, France, 75205 3 Institute of Microelectronics, Agency for Science, Technology and Research (A*STAR), Singapore 117685 Email: tancs@ntu.edu.sg Abstract In this paper, 3D architecture for TSV integrated Si surface ion-trap is proposed, in which the TSV and microbump technology is used to connect the surface electrodes of ion trap到底部的Si插座。伪电位模拟用于确定“平面陷阱”和“ TSV陷阱”几何形状的捕获离子高度。在两种情况下均未观察到伪能力的显着偏差。初步的微型离子陷阱芯片是特征的。所提出的技术在形式和寄生降低微型表面离子陷阱方面有希望，用于可扩展的量子计算应用。（关键字：表面离子陷阱，3D TSV集成，量子计算）简介量子计算被广泛吹捧为维持对高性能计算未来需求的最有可能的技术之一。实现量子计算机的一种有希望的方法是将悬浮在真空中的原子离子用作量子位（Qubits）来执行量子操作[1]。离子被一组产生静态（DC）和射频（RF）电场的表面电极限制在自由空间中。具有适当波长的激光束用于将离子冷却到地面振动能状态，并通过解决离子的电子能态执行量子操作。现代离子陷阱芯片促进了在SI基板上制造的大量多段表面电极，以操纵高密度离子阵列或形成多个离子捕获区[2]。离子捕获技术的关键挑战之一是以可扩展的方式将不断增加的电极号互连到外部DC/RF电源。传统的电线键合方法需要在芯片表面积上设计耗尽空间的外围粘结垫设计，并且还具有从芯片外围到被困离子的激光障碍物的缺点。使用高级3D集成技术，提议将离子陷阱芯片垂直堆叠在Si插台上，在该插座机上，将通过（TSV）和微型凹凸在其中形成垂直互连以连接表面电极。图1显示了所提出的TSV积分离子陷阱模具的示意图，该陷阱堆叠在Si插孔器上，其中一个离子被困在陷阱芯片表面上方。提出的架构提供了一个微型离子陷阱系统，其优势具有高密度电极积分能力，较小的RC延迟，紧凑的外形尺寸和芯片表面激光束的清晰可访问性。