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World File Search System分子束
具有血浆辅助分子束外延的外延SCN薄膜中的高迁移率和高热电学因子
1材料部的化学和物理单位，贾瓦哈拉尔·尼赫鲁（Jawaharlal Nehru）高级科学研究中心，班加拉罗尔560064，印度2，印度2国际材料科学中心，Jawaharlal Nehru先进科学研究中心，班加拉罗尔560064，印度560064，印度360064，印度材料3次高级材料学院。 IMN-CSIC，C/ISAAC NEWTON 8，TRES CANTOS，TRES CANTOS，28760 MADRID，MADRID 5澳大利亚州5澳大利亚州Microscopy and Microanalysis中心，NEW，新南威尔士州Camperdown，2006弗吉尼亚大学，夏洛茨维尔，弗吉尼亚22904，美国8物理系，弗吉尼亚大学夏洛茨维尔，弗吉尼亚州22904，美国
使用CBR
通过分子束在低温下（171-258 c）在分子束外延（171-258 c）上，通过分子束外延（171-258 c）在GAAS底物上生长了通过分子束外延在GAAS底物上生长。 高分辨率X射线衍射揭示了所有样品中的良好结晶度。 原子力显微镜显示出原子光滑的表面，最大粗糙度为1.9 nm。 530.5 cm 1在拉曼光谱中的碳的局部振动模式在ge 1 – x – y sn x c y样品中的替代c掺入。 X射线光电子光谱验证与SN和GE的碳键合碳键合，而没有SP 2或SP 3碳形成的证据。 未检测到与替代碳相相对应的常见的拉曼特征。 此外，在扫描电子显微镜中看不到Sn液滴，说明了C和SN掺入中的协同作用以及GE 1-X-X-YN X C Y活性区域对基于硅的激光的潜力。通过分子束外延在GAAS底物上生长。 高分辨率X射线衍射揭示了所有样品中的良好结晶度。 原子力显微镜显示出原子光滑的表面，最大粗糙度为1.9 nm。 530.5 cm 1在拉曼光谱中的碳的局部振动模式在ge 1 – x – y sn x c y样品中的替代c掺入。 X射线光电子光谱验证与SN和GE的碳键合碳键合，而没有SP 2或SP 3碳形成的证据。 未检测到与替代碳相相对应的常见的拉曼特征。 此外，在扫描电子显微镜中看不到Sn液滴，说明了C和SN掺入中的协同作用以及GE 1-X-X-YN X C Y活性区域对基于硅的激光的潜力。。高分辨率X射线衍射揭示了所有样品中的良好结晶度。原子力显微镜显示出原子光滑的表面，最大粗糙度为1.9 nm。530.5 cm 1在拉曼光谱中的碳的局部振动模式在ge 1 – x – y sn x c y样品中的替代c掺入。X射线光电子光谱验证与SN和GE的碳键合碳键合，而没有SP 2或SP 3碳形成的证据。未检测到与替代碳相相对应的常见的拉曼特征。此外，在扫描电子显微镜中看不到Sn液滴，说明了C和SN掺入中的协同作用以及GE 1-X-X-YN X C Y活性区域对基于硅的激光的潜力。
高通量线性分子束外延系统可降低 GaAs 光伏电池的制造成本：GaAs 是否足够便宜
完整作者列表：Lee, Byungjun；密歇根大学，EECS Fan, Dejiu；密歇根大学，EECS Forrest, Stephen；密歇根大学，EECS
敲响质子到电子的解开时间......
从缓冲液冷却源中提取冷分子束，然后进行2光片Ramsey询问。探针激光源被锁定到光学频率梳子（OFC），最终通过国家光纤链路传递的时钟激光器引用了CS主要标准。
curriculum vitae - Gabriele Calabrese博士
3 G. Calabrese，P。Corfdir，A。Laha，T。Auzelle，L。Geelhaar，O。Brandt，S。Fernández-Garrido，“监视通过极化光学反射反射仪的分子束相邻的GAN纳米线的形成，以分子束相关的形成。4 V. Kaganer*，D。VanTreeck，G。Calabrese，J。K。Zettler，S.Fernández-Garrido，O。Konovalov，“从自我组装的Gan Nanowires中的小角X射线散射”，2018年MRS Spring会议，文档编号28775524。5 S. Fernández-Garrido, G. Calabrese , G. Gao, P. Corfdir, C. Pfüller, M. Ramsteiner, L. A. Galves, B. Sharma, S. V. Pettersen, J. K. Grepstad, Z. S. Schiaber, A. Trampert, J. M. J. Lopes, O. Brandt, Lutz Geelhaar, “Molecular beam epitaxy of GaN石墨烯和柔性金属箔上的纳米线”，被邀请的谈话，Spie Photonics West，Opto，Opto，San Francisco，（美国），27/01-01/02/2018。
日期：2024 年 2 月 28 日反射式高能电子衍射 (RHEED) 系统及其与分子束外延的集成的全球招标询价
必须按照以下技术配置中给出的顺序列出技术要求。第二列应以“是”或“否”的回答描述您的合规性。如果“否”，第三列应提供偏差程度（请提供定量回答）。第四列应说明偏差的原因（如果有）。第四列可用于将您的工具与竞争对手的工具进行比较，或提供以下技术要求表中要求的详细信息。3. 作为一种选择，请提供可能的任何建议附件/附加组件的分项成本
补充材料：非线性波导阵列中的可调生成空间纠缠
由GAAS底物上的分子束外延生长的外延结构由6个周期Al 0组成。8 GA 0。 2 as/al 0。 25 GA 0。 75作为Bragg反射器（下视镜），A 350 nm Al 0。 45 GA 0。 55作为核心和4个周期Al 0。 8 GA 0。 2 as/al 0。 25 GA 0。 75作为Bragg反射器（上镜）。 两个Bragg镜子在NIR范围内为泵梁提供了光子带隙垂直限制，也为电信范围内生成的SPDC光子的总内部反射覆盖提供了。 因此，泵和SPDC模式的特征是不同的分散曲线，允许单波导相匹配条件Δβ（0）= 0（等式 （s6）下面）要在关注的光谱范围内满足。 外延结构是通过分子束外延生长的，样品通过电子光刻（使用高分辨率HSQ抗性）处理，然后是ICP干蚀刻。 SPDC电信模式的模拟耦合常数为C TE = 2。 7 mm -1在TE极化中，C TM = 2。 48 GA 0。2 as/al 0。25 GA 0。 75作为Bragg反射器（下视镜），A 350 nm Al 0。 45 GA 0。 55作为核心和4个周期Al 0。 8 GA 0。 2 as/al 0。 25 GA 0。 75作为Bragg反射器（上镜）。 两个Bragg镜子在NIR范围内为泵梁提供了光子带隙垂直限制，也为电信范围内生成的SPDC光子的总内部反射覆盖提供了。 因此，泵和SPDC模式的特征是不同的分散曲线，允许单波导相匹配条件Δβ（0）= 0（等式 （s6）下面）要在关注的光谱范围内满足。 外延结构是通过分子束外延生长的，样品通过电子光刻（使用高分辨率HSQ抗性）处理，然后是ICP干蚀刻。 SPDC电信模式的模拟耦合常数为C TE = 2。 7 mm -1在TE极化中，C TM = 2。 425 GA 0。75作为Bragg反射器（下视镜），A 350 nm Al 0。45 GA 0。 55作为核心和4个周期Al 0。 8 GA 0。 2 as/al 0。 25 GA 0。 75作为Bragg反射器（上镜）。 两个Bragg镜子在NIR范围内为泵梁提供了光子带隙垂直限制，也为电信范围内生成的SPDC光子的总内部反射覆盖提供了。 因此，泵和SPDC模式的特征是不同的分散曲线，允许单波导相匹配条件Δβ（0）= 0（等式 （s6）下面）要在关注的光谱范围内满足。 外延结构是通过分子束外延生长的，样品通过电子光刻（使用高分辨率HSQ抗性）处理，然后是ICP干蚀刻。 SPDC电信模式的模拟耦合常数为C TE = 2。 7 mm -1在TE极化中，C TM = 2。 445 GA 0。55作为核心和4个周期Al 0。8 GA 0。 2 as/al 0。 25 GA 0。 75作为Bragg反射器（上镜）。 两个Bragg镜子在NIR范围内为泵梁提供了光子带隙垂直限制，也为电信范围内生成的SPDC光子的总内部反射覆盖提供了。 因此，泵和SPDC模式的特征是不同的分散曲线，允许单波导相匹配条件Δβ（0）= 0（等式 （s6）下面）要在关注的光谱范围内满足。 外延结构是通过分子束外延生长的，样品通过电子光刻（使用高分辨率HSQ抗性）处理，然后是ICP干蚀刻。 SPDC电信模式的模拟耦合常数为C TE = 2。 7 mm -1在TE极化中，C TM = 2。 48 GA 0。2 as/al 0。25 GA 0。 75作为Bragg反射器（上镜）。 两个Bragg镜子在NIR范围内为泵梁提供了光子带隙垂直限制，也为电信范围内生成的SPDC光子的总内部反射覆盖提供了。 因此，泵和SPDC模式的特征是不同的分散曲线，允许单波导相匹配条件Δβ（0）= 0（等式 （s6）下面）要在关注的光谱范围内满足。 外延结构是通过分子束外延生长的，样品通过电子光刻（使用高分辨率HSQ抗性）处理，然后是ICP干蚀刻。 SPDC电信模式的模拟耦合常数为C TE = 2。 7 mm -1在TE极化中，C TM = 2。 425 GA 0。75作为Bragg反射器（上镜）。 两个Bragg镜子在NIR范围内为泵梁提供了光子带隙垂直限制，也为电信范围内生成的SPDC光子的总内部反射覆盖提供了。 因此，泵和SPDC模式的特征是不同的分散曲线，允许单波导相匹配条件Δβ（0）= 0（等式 （s6）下面）要在关注的光谱范围内满足。 外延结构是通过分子束外延生长的，样品通过电子光刻（使用高分辨率HSQ抗性）处理，然后是ICP干蚀刻。 SPDC电信模式的模拟耦合常数为C TE = 2。 7 mm -1在TE极化中，C TM = 2。 475作为Bragg反射器（上镜）。两个Bragg镜子在NIR范围内为泵梁提供了光子带隙垂直限制，也为电信范围内生成的SPDC光子的总内部反射覆盖提供了。因此，泵和SPDC模式的特征是不同的分散曲线，允许单波导相匹配条件Δβ（0）= 0（等式（s6）下面）要在关注的光谱范围内满足。外延结构是通过分子束外延生长的，样品通过电子光刻（使用高分辨率HSQ抗性）处理，然后是ICP干蚀刻。SPDC电信模式的模拟耦合常数为C TE = 2。7 mm -1在TE极化中，C TM = 2。4
斯科特·丹尼尔·西弗曼
2012 年至今 德克萨斯大学奥斯汀分校 Seth R. Bank 教授 研究生助理 先进半导体外延实验室 – 研究和开发使用分子束外延的高应变 III-V 和稀释双胺 III-V 半导体中红外（3-5 µm）光电材料和器件的晶体生长技术。 – 演示了具有无铝有源区的 GaSb 基 I 型二极管激光器的最长波长发射（>3.6 µm）。 – 演示了 GaInAsSbBi 合金的首次外延生长和首次室温光致发光。 – 开发了基于 III-V 的半导体激光器的器件生长和制造工艺。 – 设计和实施工具和技术来维护、修理和操作两个分子束外延系统，同时避免耗时的真空系统烘烤。 – 设计并建造了具有亚皮秒分辨率的泵浦探测传输测试台，用于测量半导体中的载流子复合寿命。 – 通过添加自动测试功能改进了多个实验测试站。 – 将未充分利用的实验室空间改造成傅里叶变换红外 (FTIR) 光谱和红外显微镜分析站。 – 监督和指导参加夏季和学期研究体验的八个人的工作。