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World File Search System分子束
通过晶格工程控制SN的结构阶段
拓扑和超导性，两种不同的现象，为量子特性及其在量子技术，旋转型和可持续能源技术中的应用提供了独特的见解。tin（sn）在这里起关键作用作为元素，因为其两个结构相，α -sn表现出拓扑特征，β -sn显示超导性。在这里，我们使用分子束外延和缓冲层的晶格参数的分子束外延对SN薄膜中的这些相进行了精确的控制。SNFMS表现出β -SN或α -Sn相，因为缓冲层的晶格常数与6相差不同。10Å至6。48Å，跨越从燃气（例如INAS）到Insb的范围。α-和β -SNFM的晶体结构以X射线衍射为特征，并由拉曼光谱和扫描透射电子显微镜确认。原子力显微镜验证了光滑，连续的表面形态。电运转运测量进一步验证了阶段：β-SN超导性和Shubnikov -de HAAS振荡接近3.7 K的电阻下降，用于α -SN拓扑特征。密度功能理论表明，在拉伸应变下α -SN在压缩应变下是稳定的，与实验发现很好地对齐。因此，这项研究介绍了一个通过晶格工程控制SN阶段的平台，从而在量子技术及其他方面实现了创新的应用。
Alberto Calloni – 2017 年简历
自 2010 年以来，他一直致力于通过分子束外延 (MBE) 制造此类材料，并通过角度和自旋分辨光发射和逆光发射光谱 (PES 和 IPES) 对其进行原位表征。这项研究是在内部或大型设施（如位于的里雅斯特的 Elettra 同步加速器光源）上完成的，利用了 X 射线磁圆二色性 (XMCD) 或近边 X 射线吸收精细结构光谱 (NEXAFS) 等特殊技术。与米兰意大利理工学院纳米科学与技术中心的合作得到了认可，重点是表征用于有机电子和有机太阳能电池的可溶液加工新型材料。
通过质谱研究 Al(CH3)3 和 NH3 原子层沉积 AlN 薄膜的表面化学
氮化铝 (AlN) 具有宽带隙 (6.2 eV)、高介电常数 (k B 9)、高电阻率 (r B 10 11 –10 13 O cm) 和高热导率 (2.85 W K 1 cm 1 )1 等特性，是微电子和光电子领域的重要材料。由于 AlN 具有压电特性，因此也可用于微机电系统 (MEMS 设备)。2 非晶态 AlN 有多种用途，例如用作钝化层和介电层。3 AlN 薄膜通常通过反应溅射、4 化学气相沉积 (CVD)、5 反应分子束外延 (MBE) 6 和原子层沉积 (ALD) 沉积。AlN 的 ALD 在需要坚固保护层的应用方面引起了广泛关注，例如开发耐腐蚀、绝缘和保护涂层。7
在环境压力下镍的高温超导性
摘要：最近，在极端静水压力（> 14 GPA）下，在LA 3 Ni 2 O 7中发现了具有TC≈80K的超导性。对于实际应用，我们需要在环境压力下稳定这种状态。提出，这可以通过用BA代替LA来实现。为了将该假设放在测试中，我们使用了最先进的原子层逐层分子束外疗（All-MBE）技术来合成（LA 1-X BA X）3 Ni 2 O 7膜，不同的X和LA（Lanthanum）和Ba（LaThanum）和Ba（Baium）的分布。令人遗憾的是，我们探索的所有构图都无法稳定。靶向化合物立即分解为其他相的混合物。因此，在环境压力下镍镍中高温超导性的这一途径似乎并不希望。
采用 MOCVD 在硅上外延大面积 Sb2Te3 薄膜
必须充分利用它们的物理特性并成功实现器件，例如各种成功的 III-V 半导体器件 40,41 ——最终目标是外延和单晶生长。Sb2Te3（以及其他拓扑绝缘体，如 Bi2Te3 和 Bi2Se3）的外延膜已通过分子束外延工艺直接生长，29,30 该技术在批量生产中显示出其局限性。另一方面，化学气相沉积技术存在形态控制不佳的问题，我们专门研究了 MOCVD 在这方面的研究。 TI 生长中常用的衬底，例如 Si(100)、Si(111) 和 Al 2 O 3 (0001)，与 Sb 2 Te 3 (以及一般的 TI) 存在明显的晶格失配，因此在存在旋转畴的情况下，会生长为取向性较差的多晶层 23,32 – 34 ，只有少数例外 42,43
在2D层的过渡金属二氯酸盐中的铁磁顺序
传统上，二维中的磁性被认为是由旋转闪光介导的外来相，但远非距离基态下序。最近，在分层的范德华化合物中发现了2D磁态。通过材料组成，结合降低性的稳健和可调磁态，预见到磁性设备中的关键元素具有强大的潜力。在这里，提出了基于金属氯化物的2D磁铁。磁性顺序在金属基板的顶部，甚至直至单层极限，并且可以通过将金属离子从铁到镍替换为底面。使用功能化的STM尖端作为磁传感器，即使没有外部磁场，也可以识别局部交换场。由于这些化合物是通过分子束外延技术处理的，因此它们为当前设备技术提供了巨大的潜力。
InP（001）衬底上的长波长 InAs/InAlGaAs 量子点微盘激光器
在本信中，我们介绍了基于五叠自组装 InAs/InAlGaAs 量子点作为活性介质的长波长微盘激光器，这些量子点通过固体源分子束外延在 InP（001）衬底上生长。直径为 8.4 lm 的量子点微盘激光器在脉冲光泵浦条件下在室温下工作。实现了 1.6 lm 的多波长激光发射，低激光阈值为 30 lm W，品质因数为 1336。通过收集到的近场强度分布的“S”形 L-L 曲线、线宽变窄效应和强散斑图案验证了激光行为。所展示的具有低阈值和超紧凑占地面积的长波长激光器可以在集成气体检测和高度局部化的无标记生物和生化传感中找到潜在的应用。
NIST 和 NQI 的更新
晶圆处理 湿法清洗 溶剂清洗 Piranha 溶液 RCA 清洗 光刻 离子注入 干法蚀刻 湿法蚀刻 等离子灰化 热处理 快速热退火 炉退火 热氧化 化学气相沉积 (CVD) 物理气相沉积 (PVD) 分子束外延 (MBE) 电化学沉积 (ECD) 化学机械平坦化 (CMP) 晶圆测试 晶圆背面研磨 芯片制备 晶圆安装 芯片切割 IC 封装 芯片附着 IC 键合 引线键合 热超声键合 倒装芯片 晶圆键合 胶带自动键合 (TAB) IC 封装 烘烤 电镀 激光打标 修整和成型 IC 测试
用于常关型 GaN HEMT 的新型纳米结构 P-GaN 栅极的设计优化
A. 具有 MBE 再生长 P-GaN 栅极的常关型 HEMT HEMT 结构的特点是具有 25 nm 厚的 AlGaN 势垒和 20 % 的铝率。首先，通过 PECVD（等离子增强气相沉积）沉积 100 nm 厚的氧化硅 SiO 2 层，作为 AlGaN 栅极蚀刻和选择性 GaN 再生长的掩模。在用 CF 4 RIE 蚀刻 SiO 2 层以确定栅极区域之后，通过 ICPECVD 对 AlGaN 层进行 Cl 2 部分蚀刻，条件如下：RF 功率为 60 W、压力为 5 mTorr 并且 Cl 2 流速为 10 sccm。蚀刻时间为 35 秒，去除了 19 nm 的 AlGaN。然后在 MBE（分子束外延）反应器中重新生长用镁（Mg）掺杂的 50 nm GaN 层，其标称受体浓度为 Na-Nd 为 4 x 10 18 cm -3。
DFM 量子材料博士职位
丹麦基础计量研究所 (DFM) 是丹麦国家计量研究所，也是北约 DIANA 量子测试中心的一部分。DFM 在量子技术、标准和计量方面拥有丰富的历史，其主要专业领域包括量子传感器、量子通信和量子计算。最近，DFM 一直在为量子材料实验室建设设施，旨在开发先进材料以支持丹麦量子技术的发展。博士候选人将加入 DFM 的新量子材料实验室 (QML)。这项工作的重点是开发高质量的 III-V/Si-Ge 材料和用于量子计算的各种超导体，主要使用分子束外延。这项工作将扩展到原位光刻，并涉及广泛的原位和非原位表征。这项研究将与 Niels Bohr 研究所的 Novo Nordisk 基金会量子计算计划 (NQCP) 一起进行。