XiaoMi-AI文件搜索系统
World File Search System分子束
单晶PTSE2中的高载体移动性...
PTSE 2吸引了相当大的关注，这是一种高迁移率二维材料，并在微电子，光电检测和旋转三位型中进行了设想的应用。高质量PTSE在具有晶圆尺度均匀性的绝缘基板上的生长是电子运输调查和设备中实际用途的先决条件。在这里，我们报告了由分子束外延在ZnO（0001）上高度定向的几层PTSE 2的生长。膜的晶体结构具有电子和X射线衍射，原子力显微镜和透射电子显微镜。与石墨烯，蓝宝石，云母，SIO 2和PT（111）上生长的PTSE 2层的比较表明，在绝缘底物中，ZnO（0001）产生了具有优质结构质量的膜。在室温下，在室温下，在室温下，在200 cm 2 v -1 s -1超过200 cm 2 v -1 s -1的外部ZnO/PTSE 2上进行的HALL测量值显示出明确的半导体行为，低温下的较高迁移率在低温下。
外延bismuth纳米膜中的相变
拉曼和相干的声子光谱法被用于研究由Si（111）底物上的分子束外跑制备的超薄单晶双膜的厚度依赖性语音性质。A 1G和E G拉曼峰都消失在4 nm BIFM的拉曼光谱中，表明从低对称A7结构到高对称性A17结构的完全过渡。相干的声子信号也显示出对膜厚度的强烈依赖，其中薄样品（15 nm）表现出比厚样品（30 nm）的较低的声子频率和更短的声子寿命。这种差异归因于由永久性相变引起的较浅的能势势垒，永久性相变（由纤维厚度和光激发载体的临时结构过渡决定）。我们的结果不仅提供了从A7到A17结构的相变的证据，其厚度降低，而且还揭示了该相变对声子动力学的影响。了解这些物质性能性状将有助于现代化的电子设备中BI薄片的应用。
补充材料电子结构和特性......
沉积技术 基片厚度密度参考温度 （nm） （g/cm 3 ） （◦ C） 脉冲激光沉积 石英玻璃 120-140 4.88- 5.4 取决于房间 Kim 等人 [1] （PLD） 激光功率、O 2 分压、目标-基片距离 80mJ、10Pa、35mm 时为 4.88（低 VO ） 80mJ、5Pa、35mm 时为 5.39（高 VO ） 等离子增强原子 Si 和蓝宝石 37.8 5.154 80 Yang 等人 [2] 层沉积（PEALD） 2500 W 5.325 250 PEALD Si (100) 10 4.83 100 Li 等人[3] 100 W ≥ 5.5 ≥ 150 电子束蒸发 GaAs 和 Si 95.5 5.152 200-350 Passlack 等人 [4] 4.5-4.8 40 分子束外延 GaAs (001) 85.5 5.30 具有一定结晶性 420-450 Yu 等人 [5] (MBE) 射频磁控溅射 SiO 2 /Si 25 5.32 有 O 2 室溅射 Han 等人 [6] 4.84 无 O 2 (更快的蚀刻速率) 射频磁控溅射 Si 498.9 4.78 室 Liu 等人 [7]
高弹性超导SRTIO3薄膜中的异常运输
对半导体转运的微妙影响的研究需要高质量密度的高质量外延结构。使用杂交分子束外延（MBE），低温迁移率超过42,000 cm 2 v -1 s -1的SRTIO 3膜在3×10 17 cm -3的低载体密度下进行。在第二个LIFSHITZ的过渡中观察到了残留电阻率突然而急剧下降，并伴随着超导过渡温度的增强，在该转变中，第三个带被占据，揭示了主要的内映射散射。这些薄膜进一步揭示了由于抗扭曲（AFD）过渡和霍尔散射因子的温度依赖性而导致霍尔载体密度的异常行为。使用混合MBE的生长，现象学模型，依赖温度的转运测量以及扫描超导量子干扰装置成像，我们提供了对srtio srtio srtio和超电导性能的Intera-Inter-trance inter-trance inty vtilus contrative contress inter-trance sctivation和AFD结构壁的重要作用的关键见解。
室温连续波的演示...
实现了在轴上硅（001）面上直接生长的InGaAs/AlGaAs量子阱激光器的室温连续波工作。首先在金属有机化学气相沉积系统中在硅衬底上生长一层厚度为420 nm、完全没有反相畴的GaAs外延层，然后在分子束外延系统中依次生长其他外延层（包括四组五周期应变层超晶格和激光结构层）。激光器采用宽条法布里-珀罗激光器，条带宽度为21.5 μm，腔长为1 mm。典型阈值电流和相应的阈值电流密度分别为186.4 mA和867 A/cm 2 。激射波长约为980 nm，斜率效率为0.097 W/A，在注入电流为400 mA时单面输出功率为22.5 mW。这一进展使得与量子阱激光器相关的硅基单片光电集成更加有前景，可行性增强。
用蛋白水解靶向靶向嵌合体（...
摘要：Na 3 BI是第一个实验验证的拓扑狄拉克半学（TDS），是托管相对论迪拉克费米斯的石墨烯的3D类似物。从基本的角度来看，其非常规动量 - 能量的关系很有趣，具有令人兴奋的物理特性，例如手性荷载体，手性异常和弱反定位。它还显示出实现拓扑电子设备（例如拓扑晶体管）的希望。在这篇综述中，提出了过去几年在Na 3 BI上取得的实质进展的概述，重点是通过分子束外途径合成的技术相关的大面积薄膜。引入了基于Na 3 BI的独特电子特性的关键理论方面。接下来，审查了不同底物的增长过程。光谱和微观特征被说明，并在不同兴奋剂方面对半古典和量子转运现象进行了分析。解决了由二维限制而产生的新兴特性，包括厚度依赖性和电场驱动的拓扑相变，对当前挑战和预期的未来进步的前景进行了探索。
MBE和MOCVD技术之间的比较
MBE反应器通常包括样品转移室（向空气开放，以允许加载晶圆底物并卸载）和一个生长室（通常密封，仅向空气开放以进行维持），其中底物被转移以进行外延生长。MBE反应堆在超高真空（UHV）条件下运行，以防止空气分子受到污染。如果腔室敞开了空气，则可以加热腔室以加速这些污染物的疏散。通常，MBE逆转中外延的源材料是固体半导体或金属。这些被加热超出其熔点（即源材料蒸发）在积液细胞中。在这里，原子或分子通过一个小孔驱动到MBE真空腔中，该光圈给出高度方向的分子束。这会影响加热的底物；通常由单晶材料制成，例如硅，砷耐加仑（GAAS）或其他半导体。，如果分子不取消分子，它们将在底物表面扩散，从而促进外延生长。然后逐层构建外观，每个层的组成和厚度控制以实现所需的光学和电气性能。基板在生长室内集中安装在被
状态选择性准备和无限制检测O + 2 Ambesh Pratik Singh，1 Michael Mitchell，1 Will Henshon，1 Addison Hartma
在选定的量子状态下制备分子离子的能力可以在化学，计量学，光谱，量子信息和精度测量等领域进行研究。在这里，我们在分子束和离子陷阱中演示了（2 + 1）氧气增强的多光电离（REMPI）。REMPI频谱中的两光子转变是旋转分辨的，从而使从O 2的选定的Rovintarational态电离。拟合在此频谱上确定O 2 D1πg状态的光谱参数，并解决有关其带源的文献中的差异。被捕获的分子离子被共捕获的原子离子冷却。荧光质谱法非损坏性证明了光电离O + 2的存在。我们讨论了最大化地面旋转状态产生离子比例的策略。对于（2 + 1）通过d1πg状态，我们表明，在低于50 K的旋转温度下，Q（1）过渡是中性O 2的首选，而在较高温度下，O（3）过渡更适合。状态选择性负载和对捕获分子离子的无损检测的组合具有光学时钟，基本物理测试以及化学反应的控制中的应用。
薄膜 - EPRINTS SOTON-南安普敦大学
用光滑表面上的Si底物上的含铅锆酸钛酸盐（Pb（Zr X Ti 1-X）O 3）（PZT）化合物会为硅光子设备提供关键技术。为了在Si基板上集成PB（Zr X Ti 1-X）O 3的质量至关重要。在这里，我们使用改良的分子束外延工具应用了物理蒸气沉积技术，以将钙钛矿Pb（Zr X Ti 1-X）O 3放置在SI和PT底物上。我们开发了一种在SI底物上种植无裂纹PZT膜的方法。制造程序需要将TIO 2用作缓冲层，并在氧气大气下退火后退火。横截面扫描电子显微镜图像使得鉴定了两个不同的层：PZT和TIO 2，这也通过光谱椭圆法证实。X射线衍射模式表明从菱形hed中心到四方相的过渡以及Pb的钙钛矿相的形成（Zr 0.44 Ti 0.56）O 3。
“先进电子显微镜的新视角”青年教授
异质外延及其应用研究中心 (CRHEA) 是一个专门从事半导体材料外延的研究实验室，特别是宽带隙半导体，如 III 族氮化物材料 (GaN、AlN)、氧化锌 (ZnO)、碳化硅 (SiC) 及其在洁净室中的微纳米加工。CRHEA 还研究二维材料，如石墨烯、氮化硼和过渡金属二硫属化物以及超导 (NbN) 和新型铁电材料 (ScAlN、ZnMgO)。这些材料被加工成微电子、光电子、光子学、超表面和量子异质结构的设备。CRHEA 还开展纳米科学和晶体生长的基础研究。CRHEA 涉及的主要领域涉及能源转型、未来通信以及环境和健康。该实验室拥有九个分子束外延生长反应器和六个气相生长反应器。它还拥有用于材料结构表征的工具，包括最先进的透射电子显微镜 (TEM) (https://www.crhea.cnrs.fr/ACT-M/index.htm) 和用于微纳米制造的洁净室。CRHEA 拥有 70 名研究人员，其年度预算为 450 万欧元（不包括工资）。