机构名称：
¥ 1.0
实现了在轴上硅（001）面上直接生长的InGaAs/AlGaAs量子阱激光器的室温连续波工作。首先在金属有机化学气相沉积系统中在硅衬底上生长一层厚度为420 nm、完全没有反相畴的GaAs外延层，然后在分子束外延系统中依次生长其他外延层（包括四组五周期应变层超晶格和激光结构层）。激光器采用宽条法布里-珀罗激光器，条带宽度为21.5 μm，腔长为1 mm。典型阈值电流和相应的阈值电流密度分别为186.4 mA和867 A/cm 2 。激射波长约为980 nm，斜率效率为0.097 W/A，在注入电流为400 mA时单面输出功率为22.5 mW。这一进展使得与量子阱激光器相关的硅基单片光电集成更加有前景，可行性增强。
室温连续波的演示...
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