机构名称：
¥ 1.0
沉积技术 基片厚度密度参考温度 （nm） （g/cm 3 ） （◦ C） 脉冲激光沉积 石英玻璃 120-140 4.88- 5.4 取决于房间 Kim 等人 [1] （PLD） 激光功率、O 2 分压、目标-基片距离 80mJ、10Pa、35mm 时为 4.88（低 VO ） 80mJ、5Pa、35mm 时为 5.39（高 VO ） 等离子增强原子 Si 和蓝宝石 37.8 5.154 80 Yang 等人 [2] 层沉积（PEALD） 2500 W 5.325 250 PEALD Si (100) 10 4.83 100 Li 等人[3] 100 W ≥ 5.5 ≥ 150 电子束蒸发 GaAs 和 Si 95.5 5.152 200-350 Passlack 等人 [4] 4.5-4.8 40 分子束外延 GaAs (001) 85.5 5.30 具有一定结晶性 420-450 Yu 等人 [5] (MBE) 射频磁控溅射 SiO 2 /Si 25 5.32 有 O 2 室溅射 Han 等人 [6] 4.84 无 O 2 (更快的蚀刻速率) 射频磁控溅射 Si 498.9 4.78 室 Liu 等人 [7]
补充材料电子结构和特性......
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