XiaoMi-AI文件搜索系统
World File Search System功率输入
CPL-920D 高速数字天线耦合器
发展 罗克韦尔柯林斯致力于为您提供创新、可靠的 HF 解决方案。无论是全新的全集成高频数据链路 (HFDL) 无线电、低成本 HFDL 升级套件还是数字调谐天线耦合器，罗克韦尔柯林斯都会将您的 HF 投资提升到更高的性能水平。规格 频率范围 2.0 至 29.9999 MHz 连续 RF 功率输入 操作：400 W PEP + 1 dB 调谐：85 W 平均最大 初始调谐时间：2 至 4 秒（典型值），7 秒（最大值） 快速调谐：250 毫秒 调谐精度 1.3:1 VSwR 最大值 主电源 115 V ac，400 Hz 占空比 连续，平均功率为 125 W 调制类型 SSB、AMe、Cw 和 PSK 温度范围 -40°C 至 +70°C 操作 振动 D0-160C Cat C、y、L 冲击 6 g，持续时间为 11 MS 碰撞安全性 15 g 峰值，持续时间为 11 MS 高度非加压、非温控，最高可达 50,000 英尺 湿度 0% 至 95%，65°C 至 38°C， 240 小时曝光尺寸高度：最大 7.52 英寸宽度：最大 5.02 英寸长度：15.72 +/- 0.06 英寸重量最大 17 磅
CPL-920D 高速数字天线耦合器
发展 罗克韦尔柯林斯致力于为您提供创新可靠的 HF 解决方案。无论是全新的全集成高频数据链路 (HFDL) 无线电、低成本 HFDL 升级套件还是数字调谐天线耦合器，罗克韦尔柯林斯都能将您的 HF 投资提升到更高的性能水平。规格 频率范围 2.0 至 29.9999 MHz 连续 射频功率输入 工作：400 W PEP + 1 dB 调谐：平均最大 85 W 调谐时间 初始：2 至 4 秒（典型值），7 秒（最大值） 快速调谐：250 毫秒 调谐精度 1.3:1 VSWR 最大值 主电源 115 V ac，400 Hz 占空比 连续，平均功率为 125 W 调制类型 SSB、AME、CW 和 PSK 温度范围 -40°C 至 +70°C 工作 振动 D0-160C Cat C、Y、L 冲击 6 G，持续时间为 11 MS 碰撞安全性 15 G 峰值，持续时间为 11 MS 高度 非加压、非温控，最高可达 50,000 英尺 湿度 0% 至 95%，65°C 至 38°C，暴露 240 小时 尺寸 高度：最大 7.52 英寸宽度：最大 5.02 英寸 长度：15.72 +/- 0.06 英寸 重量：最大 17 磅
CPL-920D 高速数字天线耦合器
发展 罗克韦尔柯林斯致力于为您提供创新可靠的 HF 解决方案。无论是全新的全集成高频数据链路 (HFDL) 无线电、低成本 HFDL 升级套件还是数字调谐天线耦合器，罗克韦尔柯林斯都能将您的 HF 投资提升到更高的性能水平。规格 频率范围 2.0 至 29.9999 MHz 连续 射频功率输入 工作：400 W PEP + 1 dB 调谐：平均最大 85 W 调谐时间 初始：2 至 4 秒（典型值），7 秒（最大值） 快速调谐：250 毫秒 调谐精度 1.3:1 VSWR 最大值 主电源 115 V ac，400 Hz 占空比 连续，平均功率为 125 W 调制类型 SSB、AME、CW 和 PSK 温度范围 -40°C 至 +70°C 工作 振动 D0-160C Cat C、Y、L 冲击 6 G，持续时间为 11 MS 碰撞安全性 15 G 峰值，持续时间为 11 MS 高度 非加压、非温控，最高可达 50,000 英尺 湿度 0% 至 95%，65°C 至 38°C，暴露 240 小时 尺寸 高度：最大 7.52 英寸宽度：最大 5.02 英寸 长度：15.72 +/- 0.06 英寸 重量：最大 17 磅
朝着光网络中的可解释的强化学习：RMSA用例
为了优化激光诱导的石墨烯（LIG）JANUS膜，本研究研究了膜孔结构，聚二甲基硅氧烷（PDMS）涂层序列以及银（AG）纳米颗粒对膜蒸馏（MD）性能的影响。这项研究旨在增强石墨烯的光热特性，同时使用固有的电导率进行同时照相和电热MD。在相同的照片和电热功率输入中操作，lig janus membrane用较小的毛孔（即闪亮的一面）处理膜面部的膜膜，可改善53.6％的透气性能，并降低特定能量的特定能量35.4％，而与膜相比，用较大的毛孔（i.e.e.e.e.e.e.e.e.e.e）来治疗膜面孔。PDMS涂层序列的效果也取决于孔结构。对于具有较小孔结构的面部，激光照射前的涂层PDM（PDMS-BLSS）与激光照射后的涂层PDMS相比，与涂层PDMS相比，磁通量的提高高达24.5％，特异性能量降低了19.7％（PDMS-ALS）。至于孔结构较大的面部，激光照射前的涂层PDM（PDMS-BLDS）导致与辐照后涂层PDMS相比，与涂层PDMS相比，通量降低高达20.8％，比能量增加了27.1％（PDMS-ALDS）。带有Ag纳米颗粒的LIG JANUS膜导致光热特性提高，将通量提高43.1 - 65.8％，并使特定能量降低15.2 - 30.5％，同时维持相似的电热热特性。进行同时进行照相和电热量MD表明，只有Ag掺杂的Janus Lig膜产生协同作用，从而使组合加热模式的通量高于在单个加热模式下运行时获得的通量的求和。
一号-10 ST -DT Universal div>
功率输入9.5-16 VDC吸收8 MA（正常） /11 MA（最大）< /biv>在12 vdc（unum-x st）11 mA（norman） /14 mA（最大）< /biv>在12 vdc（unum-x dt x5/x8）警报里瑞尔24 vdc 0.1 a最大。sabotagra lid nk 24 vdc 0.1在最大值中。LED TEMPORE TEMPORT OPEN = OFF/0 V = ON（UNUM-X DT X5/X8）被动检测方法Infred（Unum-X ST）被动红外和MW（Unum-X DT X5/X8）PIR敏感性在0.6 m/s时（在2.4 m高）较大的覆盖范围为1.6°C（在2.4 m高）的较大覆盖范围或严格的180层旋转范围或严格覆盖范围内。 ° - 应变：18 m 5°（MW残疾距离狭窄）可检测区域：76个区域 - 海峡：12区安装高度，从2到3 m（建议2.4 m推荐）速度0.3-2.0 m/s加热持续时间60 s大约（LED闪光灯）MW频率mw unum -X dt dt dt x5 jy jy jy jy jy jy jy jy jy jy for Immune for Immune for Imm an在工作温度[-10°C +40°C]数字温度补偿（SMDA）湿度95％最大尺寸129.2 x 61.5 x 50.9 mm（hxlxp）重量90G（UNUM-X ST）105G（UNUM-X DT X5/X8）内部组装或支持：Sof（sof）
自动电动汽车充电站
我们的自动电动汽车充电站是一个自动供电单元，不需要人类服务人员。该系统旨在促进现有的电网基础架构。该系统使用Raspberry Pi作为我们的主要控制器板，并在安装在充电器外壳上的LCD显示屏上托管用户界面。PI板与我们的自定义PILOT PCB接口，以与电动汽车电池管理系统进行通信，以协商汽车电池的充电速度，容量并执行安全检查。用户可以选择AC 1、2或DC 3级充电。系统使用30A继电器电路将电池与电源隔离开来，直到完成所有必要的支票和付款过程。RazorPay是我们用于付款交易的实时支付网关。用户完成手续后，充电过程将开始。我们还开发了一个充电监视系统，该系统将帮助用户跟踪电池充电百分比和LCD显示屏上剩余的充电时间。车站有紧急杀戮开关和安装在外壳上的紧急停止按钮，以解决损坏的高功率输出公用事业广告中出现的安全问题，当订婚时，整个系统将杀死网格中的所有功率输入，以便可以安全地修复任何故障而不会出现电动造成电动的风险。为了实施和测试，我们已经建造了一个18650 NMC化学3S5P电池组，其3S BMS。该单元使用3级AC充电SAE（汽车工程协会）标准，以确保服务的安全性和质量。关键字：电动汽车，电池，电池充电，电流充电，直流充电，锂离子电池，充电站，J1772，电池管理系统，电池监控系统。版权所有©2024作者：这是根据Creative Commons Attribution 4.0国际许可（CC BY-NC 4.0）分发的开放访问文章，允许在任何非商业用途的媒介中使用，不受限制地使用，分发和再现，以提供原始作者和源头。I.简介A.概述1）电池拓扑
RF应力对100 nm x- ...
gan lna B. Pinault A，B，J.G。Tartarin a,b , D. Saugnon a , , R. Leblanc c a Laboratoire d'analyse et d'architecture des systèmes (LAAS-CNRS), Toulouse, France b Paul Sabatier University, University of Toulouse, Toulouse, France c OMMIC, Limeil-Brévannes, France Abstract In this article, we study the robustness of 3 versions of a single stage LNA configured根据对电磁干扰信号的探测率或鲁棒性的不同模式。将10 GHz处的RF步长的连续序列应用于研究的3个LNA中的每个序列。这些强大的MMIC LNA是使用OMMIC技术的D01GH GAN工艺设计的，从名义低噪声模式转换为高线性模式。此DC偏置开关允许将功率输入1DB压缩点增加8 dB。本研究的重点是这些LNA（敏捷的LNA #A）在标称低噪声模式（具有较低IP 1DB）或标称高性线模式（以退化的噪声图NF 50的价格）下进行操作时的鲁棒性。使用较大尺寸的设备（可鲁棒的LNA #R）将此原始的LNA #A与强大的常规设计进行了比较。踩压在10 GHz的过程中，这是这些LNA的中心频带。所有操作模式均显示出表现出相当可重现的阶跃应力图，尽管可以在低噪声和高线性操作条件之间区分热或非线性效应，并且与强大的设计LNA #R相比。引言由于其内在特性，GAN LNA提供了有趣的解决方案，用于需要高探测性和鲁棒性来攻击的应用。我们证明了用于实现自然电子保护的常规LNA电路设计策略的替代方法的相关性，而没有放置LNA #A或LNA #R之前放置的限制器，或者无需关闭DC偏见：此保护选项受益于将LNA保持在操作中的lna，即在事件输入信号增加的情况下，即使在Electial defraded Inflad decrademention中，在运行率发现的情况下，n. RF步长应力。它允许对接收器进行新的定义，因为它们还可以集成RF滤波器，并且可以承受比GAAS对应物更高的温度。因此，它们是雷达和电信应用的出色候选人。系统能够承受高水平RF功率的能力通过其在最终攻击中保持运行的能力来评估，也可以在压力周期后返回名义操作模式。为了充分利用氮化岩的特性，我们设计了一个能够在两个不同静止点上自我配置的LNA，从而可以将低噪声图（NF 50）和高1DB压缩点组合在设备输入（IP 1DB）。然后，图1所示的相同LNA #A能够在标称低噪声模式下运行（NF 50 = 0.95 db / ip 1db = 4 dbm），并在强烈的线性模式下< / div>