XiaoMi-AI文件搜索系统
World File Search System势垒
AlN 中间层对 In 0 . 17 Al 0 . 83 N/GaN HEMT 器件电子和 IV 特性的影响
图3给出了不同AlN间隔层厚度下二维电子气密度的变化。间隔层厚度越高，片状电荷密度（ns）越好，在0.5nm~2nm之间与AlN间隔层厚度几乎呈线性关系。电子密度的增加是由于压电和自发极化的影响。由于明显的极化效应，AlN间隔层可能引起偶极散射增加，结果二维电子气迁移率下降。在此临界厚度以下，间隔层增强了导带位移，有效降低了波函数对AlN势垒的穿透，从而降低了合金无序扩散的影响。电子片密度为1.81×1013cm-2，与[15]中计算的1nm AlN层电子片密度大致相同。
磁场方向和温度的影响
实际上手性分子充当了轨道角动量滤波器。[10,11] 通过改变基底，进行了多项实验来探测基底 SOC 的作用。[12] 但所得结果不足以确定 SOC 的作用，因为基底可能有其他影响，如费米能级相对于最高占据分子轨道和最低未占据分子轨道之间间隙的位置，以及极化率，这些可以决定界面处的电导率和势垒，从而影响观察到的自旋极化。在自旋电子学中，自旋从铁磁基底注入，人们进行了研究，探测自旋极化对铁磁体磁化和用于驱动电流的电场之间的角度 𝜃 的依赖关系。角度依赖性源于磁阻的各向异性。 [ 13 ] 通常，研究发现自旋极化取决于 cos2𝜃。[ 14,15 ]
控制扫描隧道显微镜中的光电流通道
摘要 我们研究了在超高真空低温扫描隧道显微镜 (STM) 中由飞秒激光激发 (亚) 纳米隧道结所驱动的光电流。尖端回缩曲线揭示了光驱动电荷转移，该曲线显示在极大的尖端-样品距离下有电流贡献，证明在较高能量下光激发电子的有效势垒高度大大降低。我们的测量表明，光诱导电子传输的幅度可以通过激光功率以及施加的偏置电压来控制。相反，光电流的衰减常数仅受这些参数的微弱影响。通过获取恒定电流地形图证明了具有光电子的稳定 STM 操作。通过使用一维势垒模型分析光电流，推导出多光子吸收导致的有效非平衡电子分布。
通过重离子碰撞和超核研究高密度下的 Λ 势
GKW2 (GKW3)：Gerstung、Kaiser 和 Weise (2020)。包括 YN (YN+YNN) 相互作用的手性 EFT 计算。LY-IV：Lanskoy 和 Yammoto (1997)。Skyrme 型 Λ 势能再现 Λ 结合能。
研究陶朗加地热系统的地球势
坐在陶朗加盆地内，TGS成立了大约2到300万年前（Davis and Healy，1993年）。Tauranga的城市景观具有著名的火山地形，例如Mtaganui山（Pearson，2018）。在火山地层上发现了约6.5千年的Tauranga集团沉积物，以及3.4至7千年的潮间带沉积物（Pearson，2018年，戴维斯（Davis）和希利（Healy），1993年）。沉积物厚度向海洋增加，到海上300米的深度，向西减少（White，2009年）。在陶朗加地区，没有主动映射的故障；仅存在无效的隐藏断层。（Boprc，2023年后Briggs等人al。，2006）。1.2低温地热地热水由《资源管理法》（RMA，1991）指定为温度为30°C或更高的水。TGS有资格作为低温地热系统，在707米的深度下，最高记录的温度约为70°C（Janku-Capova等，2022）。
标题：相干量子相位滑移... - EURAMET
大约 50 年前，超导量子器件彻底改变了精确测量和电气计量，当时基于约瑟夫森效应的 SQUID 和量子电压标准被发明。最近在超导纳米线中发现的相干量子相移 (CQPS) 为量子信息处理和计量学中的约瑟夫森效应提供了一种替代方案。完全由超导材料制成的 CQPS 器件具有多种优势，例如制造步骤比约瑟夫森效应器件少、对较大电流的稳定性强、参数范围宽，并且似乎没有约瑟夫森器件绝缘隧道势垒中存在的不良两级涨落器。预计单个 CQPS 器件可以产生比单电子泵高得多且可能更精确的量化电流，而单电子泵是目前最先进的量子电流标准。
揭示缺陷主导的血红素析氧活性
氧电催化对于先进的能源技术至关重要，但由于缺乏地球上含量丰富的高活性催化剂，仍然存在极大的挑战。在此，通过纳米结构和缺陷工程，我们通过将天然存在但通常不活跃的赤铁矿 (Ht) 转化为具有氧空位 (Ov-Hm) 的赤铁矿 (Hm) 来增强其催化性能，使其成为一种高效的氧气析出反应 (OER) 催化剂，甚至优于最先进的催化剂 IrO 2 /C，在 250 mV 的较低过电位下电流密度为 10 mA/cm 2。第一性原理计算表明，Hm 表面上的降维和缺陷会局部改变吸附位点周围的电荷，从而降低 OER 过程中的势垒。我们的实验和理论见解为从天然存在且丰富的材料中开发用于 OER 应用的高活性电催化剂提供了一条有希望的途径。
用于常关型 GaN HEMT 的新型纳米结构 P-GaN 栅极的设计优化
A. 具有 MBE 再生长 P-GaN 栅极的常关型 HEMT HEMT 结构的特点是具有 25 nm 厚的 AlGaN 势垒和 20 % 的铝率。首先，通过 PECVD（等离子增强气相沉积）沉积 100 nm 厚的氧化硅 SiO 2 层，作为 AlGaN 栅极蚀刻和选择性 GaN 再生长的掩模。在用 CF 4 RIE 蚀刻 SiO 2 层以确定栅极区域之后，通过 ICPECVD 对 AlGaN 层进行 Cl 2 部分蚀刻，条件如下：RF 功率为 60 W、压力为 5 mTorr 并且 Cl 2 流速为 10 sccm。蚀刻时间为 35 秒，去除了 19 nm 的 AlGaN。然后在 MBE（分子束外延）反应器中重新生长用镁（Mg）掺杂的 50 nm GaN 层，其标称受体浓度为 Na-Nd 为 4 x 10 18 cm -3。
VLSI 设计.pdf
小时量子与统计力学、波粒子对偶和薛定谔方程、自由和束缚粒子、准低维结构量子阱、线、点、低维系统的能带结构、量子限制、2D、1D 和 0D 结构中的态密度、异质结构和带隙工程、调制掺杂、应变层结构纳米级 MOSFET CMOS 技术的挑战、高 k 电介质和栅极堆栈、未来互连。MOSFET 作为数字开关、传播延迟、动态和静态功率耗散摩尔定律、晶体管缩放、恒定场缩放理论、恒定电压缩放、广义缩放、短沟道效应、反向短沟道效应、窄宽度效应、亚阈值传导泄漏、亚阈值斜率、漏极诱导势垒降低、栅极诱导漏极泄漏。
一种改善电特性的环栅场效应晶体管扇形结构
从 I on /I off 电流比、跨导、亚阈值斜率、阈值电压滚降和漏极诱导势垒降低 (DIBL) 等方面评估了一种新型栅极全场效应晶体管 (GAA-FET) 方案的可靠性和可控性。此外，借助物理模拟，全面研究了电子性能指标的缩放行为。将提出的结构的电气特性与圆形 GAA-FET 进行了比较，圆形 GAA-FET 之前已使用 3D-TCAD 模拟在 22 nm 通道长度下用 IBM 样品进行了校准。我们的模拟结果表明，与传统的圆形横截面相比，扇形横截面 GAA-FET 是一种控制短沟道效应 (SCE) 的优越结构，并且性能更好。2020 作者。由 Elsevier BV 代表艾因夏姆斯大学工程学院出版。这是一篇根据 CC BY 许可 ( http://creativecommons.org/licenses/by/4.0/ ) 开放获取的文章。