XiaoMi-AI文件搜索系统
World File Search System化铝
氧化铝的制备和性能......
通过热压粉末混合物，我们制造了三种以氧化铝基体为基础、体积百分比为 20% 的延展性金属（镍或铁）颗粒的复合材料。压痕和双扭转试验均表明，所有复合材料的韧性均高于母体基体，增幅从 22% 到 78% 不等。尽管压痕试验可以指示相对性能，但已概述了使用此方法的问题。对来自不同加工路线的氧化铝-铁样品进行的双扭转试验结果表明了微观结构的重要性。还指出，每种复合材料的最大韧性仅在裂纹长度相对较长（毫米级）时才实现。对裂纹轮廓的检查表明，颗粒-基体界面较弱，界面强度的提高将进一步提高复合材料的韧性。
黑色阳极氧化铝的热光性能...
利用分光光度计系统测量吸收光谱。该系统由 OL 740-20D/IR 光源 (Gooch & Housego) 组成，配备 150 瓦石英卤钨灯，可在 250 nm 至 3500 nm 的波长范围内工作，OL 750-MD 双单色仪 (Gooch & Housego)，OL 750- 10 镜面成像光学模块 (Gooch & Housego)，816C-SF-6 积分球 (Newport) 和 OL 750-HSD-300 硅探测器模块 (Gooch & Housego)，可在 200 nm 至 1100 nm 的波长范围内工作。此外，还使用了 OL 750-C 控制器 (Gooch & Housego)，以便在设置和计算机之间提供通信，并使用 OL 83A 可编程直流电流源 (Gooch & Housego) 负责控制钨灯的电流输入。利用白色标准进行相对反射率测量。获得的反射光谱范围从 350 nm 到 1100 nm。结果与讨论
氧化铝精炼 4.0：数字化转型是什么样子
生产过程任务 许多工厂正在逐渐取消在剪贴板和纸质表格上手动收集操作数据的常规做法。取而代之的是自动收集数据并以数字方式传输到历史记录和操作员软件等。任何剩余的手动操作都将通过带有软件的平板电脑完成。不再需要用纸质笔记本记录未遂事故、事故、危险和维护需求等。取而代之的是，事故、危险、泄漏和损坏设备的笔记和数码照片通过软件以数字方式记录在平板电脑上，并与相关方共享。跟随经验丰富的员工并不是新手学习如何执行手动任务的唯一方式。现在，现场操作员还可以借助虚拟现实 (VR) 技术，在非常身临其境的 3D 虚拟工厂环境中学习新任务。
数据表 - 99.5% Al2O3 高纯度氧化铝陶瓷...
@10MHz 9.58 9.92 10.20 @1000MHz 9.30 - - @8500MHz 9.37 9.61 9.82 耗散因数，tan @10MHz 0.00003 0.00009 0.00040 @1000MHz 0.00014 - - @8500MHz 0.00009 0.00014 0.00025 损耗因数，K l .tan @10MHz 0.00029 0.00089 0.00408 @1000MHz 0.00130 - - @8500MHz 0.00084 0.00135 0.00245 体积电阻率，ohm.cm: >10 14 2.0x10 11
通过冷低压层压连接烧结氧化铝基板和 LTCC 生带
在微电子领域，设备集成度更高、散热性能更好一直是个趋势。在制造基于陶瓷的微电子器件时，可以应用以下技术。厚膜混合技术使用烧结陶瓷基板（主要是 Al 2 O 3 ），用功能糊料进行丝网印刷，然后在 850°C 下烧制。氧化铝基板具有非常好的导热性（25 W/mK），但是只有两侧可以进行金属化。使用 LTCC 技术的多层系统可以实现更好的小型化。LTCC 器件通过丝网印刷、堆叠和层压陶瓷绿带，然后进行共烧来制造。LTCC 的缺点是由于其玻璃含量高而导致的低导热性（3 W/mK）。通过结合混合技术和 LTCC 技术，可以结合两种方法的优点，例如良好的导热性和高的多层集成度。由于通过热压将生带层压在烧结陶瓷基板上的故障率太高，因此冷低压层压 (CLPL) 已被用作替代层压工艺。CLPL 是一种层压方法，其中组件的连接是在室温下通过使用双面胶带施加非常低的压力 (<5 MPa) 进行的。在热处理过程中，粘合膜将胶带保持在一起，直到粘合剂完全分解；在进一步升温期间，胶带通过烧结连接在一起。本文介绍了将烧结材料与生带连接所使用的材料和加工步骤，并讨论了烧制过程中发生的影响。这些影响（如边缘卷曲和裂纹形成）主要是由于在受限烧结过程中发生的应力造成的。可以通过改变工艺参数来影响它们的控制。关键词：连接、层压、冷低压层压、LTCC、氧化铝基板
氮化铝和金刚石的负电子亲和表面
宽带隙半导体有可能表现出负电子亲和势 (NEA)。这些材料可能是冷阴极电子发射器的关键元素，可用于平板显示器、高频放大器和真空微电子等应用。结果表明，表面条件对于获得负电子亲和势至关重要。在本文中，角度分辨紫外光发射光谱 (ARUPS) 用于探索金刚石和 AlGaN 表面的影响。紫外光发射在表征电子发射方面的价值在于该技术强调了发射过程的影响。为了充分表征电子发射特性，还需要采用其他测量方法，例如场发射的距离依赖性和二次电子发射。最近，这些测量方法已用于比较 CVD 金刚石膜的特性。[l] 半导体的电子亲和势定义为将电子从导带最小值移到距离半导体宏观较远的距离（即远离镜像电荷效应）所需的能量。在表面，该能量可以示意性地显示为真空能级与导带最小值之间的差异。电子亲和力通常不依赖于半导体的费米能级。因此，虽然掺杂可以改变半导体中的费米能级，并且功函数会相应改变，但电子亲和力不受以下因素的影响