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World File Search System半导体存储器
计算机的一代第一代（1942-1955）...
– 主存储器：大型半导体存储器 – 存储：大容量磁盘 – 便携式存储：磁带、软盘 • 软件：HLL（C 和 C++）、基于 GUI 的操作系统
基于自旋的磁性随机存取存储器，用于高...
存储器是当今电子系统中用于数据存储和处理的关键组件。在传统的计算机架构中，由于存储器之间在操作速度和容量方面的性能差距，逻辑单元和存储器单元在物理上是分开的，从而导致冯·诺依曼计算机的根本限制。此外，随着 CMOS 技术节点的演进，晶体管变得越来越小，以提高操作速度、面积密度和能源效率，同时提供更低的驱动电流。然而，嵌入式闪存和 SRAM 等主流技术正面临着重大的扩展和功耗问题。更密集、更节能的嵌入式存储器将非常可取，特别是对于 14 纳米或更小的先进技术节点。与操纵非磁性半导体中的电荷来处理信息的传统电子设备不同，自旋电子器件基于电子自旋，提供创新的计算解决方案。为了将自旋电子学融入到现有的成熟的半导体技术中，基于自旋的器件一般设计以磁隧道结为核心结构，起到磁随机存取存储器（MRAM）的作用。
使用 TiOx 作为电阻层的电阻存储器的制造
图 3 ReRAM 特性的电极依赖性：(a) 50×50 μm 2 ，(b) 200×200 μm 2 。 5.结论我们利用 TiO x 作为电阻变化层制作了 ReRAM，并评估了其特性。在本次创建的条件下，没有观察到复位操作。这被认为是因为在复位操作过程中，由于氧气的释放，灯丝没有断裂。比较电极尺寸，50×50 μm2 的较小元件与 200×200 μm2 的元件相比，可获得更优异的特性。这被认为表明了氧化退火过程中的尺寸依赖性。 6.参考文献 [1] A. Hardtdegen 等，IEEE Transactions on Electron Devices，第 65 卷，第 8 期，第 3229-3236 页 (2018) [2] Takeo Ninomiya，基于氧化物材料设计和可靠性建模的电阻式存储器量产，名古屋大学研究生院博士论文 (2016) [3] D.Carta 等，ACS Appl. Mater. Interfaces，第 19605-19611 页 (2016) [4] D. Acharyya 等，微电子可靠性。54，第 541-560 页 (2014)。
适用于太空应用的英飞凌抗辐射存储器解决方案
Xilinx Virtex V5、Kintex US 以及 Microchip RTG4 和 RTPolarFire FPGA 的 RadHard 72M 和 144M QDRII+ SRAM 设备均可免费获得内存控制器。QDR-II+ SRAM 控制器管理基于 DDR 的源同步时序架构的复杂时序细节，并确保 FPGA 和 QDRII+ SRAM 内存之间的可靠数据传输。如果需要更高级别的辐射抗扰度来减轻单粒子干扰，控制器嵌入式 ECC (SECDEC) 也可作为 RTL 选项提供。请联系 hirel-memory@infineon.com 获取 RTL 代码和测试台的副本。
纳米级 CMOS 缩放趋势、挑战及其解决方案
1. 简介 金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET) 是集成电路中使用的主要组件。在过去的二十年里，它已经过时了。随着技术创新，基于硅 MOSFET 的电子设备和电路始终提供效率提升和成本节省，以及系统设计的稳健性 [1][2][3]。CMOS 技术是微芯片生产环境中最有前途的创新之一，它通常用于构建 CPU 的多个不同应用领域，电子设备理应充分利用这些新技术，因为它在集成电路设计中具有许多显著的优势 [9]。在当今的数字存储器中，P 通道和 N 通道半导体系统都用于此应用 [9]。CMOS 系统是当今最常见的 MOSFET 技术之一 [3]。这是微控制器、微处理器模块、存储器和集成电路的主流半导体技术，其用途独特 [4-5]。图 1 显示了从 2005 年到现在的扩展趋势 [15]。
Hua Hong半导体有限公司华虹半导体有限公司
在2023年1月18日的公司宣布和2023年2月24日的公司通函中规定，Hua Hong Manufacturing将从事综合电路和12英寸（300mm）Wafers的制造和销售业务，主要采用65/55 Nm至40 nm的工艺。此后，Hua Hong Manufacturing进入了Hua Hong Manufacturing EPC合同，还与建造生产工厂，电力设施和辅助设施的建设有关，以期开发自己的生产线以制造12英寸（300mm）集成电路芯片。有关更多详细信息，请参阅2023年5月19日和2023年6月5日的公司的宣布。