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微电子可靠性
3D 技术中不同功能层之间的垂直电互连通常采用硅通孔 (TSV) 实现 [1]。根据应用，这些 TSV 的长度范围从 100 μm 到几 μm。直径通常也相应地缩小。这些 TSV 对于 3D 技术来说是必不可少的，可确保更短的电互连，从而实现更高的器件密度和信号速度。但它们也容易出现故障。 TSV 中存在多种潜在故障原因和影响 [2]，例如空洞（电迁移或加工引起）、分层、未对准、与金属连接不良、TSV 之间连接短路或开路、衬里击穿、应力引起的影响等。在本文中，我们讨论了两种已知故障分析技术——磁场成像 (MFI) 和光诱导电容改变 (LICA) 的替代用途，以检测与衬里击穿 (BD) 引起的泄漏和连接 TSV 的金属开路相关的 TSV 故障。
微电子药丸
微电子药丸由经过机械加工的生物相容性（无细胞毒性）、耐化学腐蚀的聚醚醚酮 (PEEK) 胶囊和 PCB 芯片载体组成，后者是传感器、ASIC、发射器和电池连接的通用平台。每个制造的传感器都通过引线键合连接到定制的芯片载体上，该载体由 10 针、0.5 间距聚酰亚胺带状连接器制成。传感器芯片通过单独的 FCP 插座连接到 PCB 的两侧，传感器芯片 1 面向顶面，传感器芯片 2 朝下。因此，芯片 2 上的氧气传感器必须通过焊接到电路板上的 3,200 nm 铜引线连接到顶面。发射器集成在 PCB 中，PCB 还包含电源轨、传感器连接点以及发射器和 ASIC 以及载体所在的胶囊的支撑槽。胶囊被加工成两个独立的螺丝装配隔间。PCB 芯片载体连接到胶囊的前部。传感器芯片通过接入端口暴露在周围环境中。
缓冲模式下的 AI - 研华
在此示例中，我们说明了缓冲模式下 Advantech 设备的 AI 的使用。设置缓冲模式的最佳方法是使用 Advantech GUI。但是，用户应该知道，缓冲模式的 GUI 中设置的参数存储在 MatDeck 文档中，而不是设备中。这就是为什么我们必须从表单中导出设备句柄以供进一步使用的原因。
