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微电子杂志
通过（TSV）技术利用同轴性通过Silicon，提出了紧凑的低通滤波器（LPF）。首先，通过分析计算，有限元方法（FEM）模拟和测量，研究了基于同轴TSV的几个电容器。其次，提出并通过FEM模拟和测量结果对基于同轴TSV的螺旋感应的电感式的公式进行了验证。最后，提出了基于基于TSV的电容器和电感器的研究，提出了基于2×4、2×5、2×6和2×7同轴TSV阵列的提议𝐿𝐶LPFS的分析模型，并且在AD和HFF中建立了等效电路模型以及在ADS和HFSS中的有限元模型（FEM）模型。LPF通过测量进行制造和验证。在建议的LPF中，同时使用同轴TSV作为电容器和电感器，这会导致更紧凑的大小。电感器的寄生能力可以帮助诱导拟议的LPF在停止带中诱导一个缺口，并提高滚动速率。
RF微电子
RF简介：RF范围，皮肤效应，行为和等效电路，如R，L，C，高RF。传输线理论，反射系数，史密斯图计算，阻抗匹配，S-参数。（L-7＆T-2）RF设计中的基本概念：RF DC设计。六边形无线通信标准，非线性，谐波，增益压缩，脱敏，交叉调制，间调制失真（IMD），输入截距（IIP3＆iip3＆iip2），符号间干扰。噪声，主动设备的噪声分析。（L-8＆T-2）RF系统中的基本块及其VLSI实施：RF的MOSFET行为，晶体管和香料模型的建模，HEMT和MESFET等高速设备，BICMOS技术，BICMOS技术，在高频及其单声道实现的寄生元素及其单层实现者的集成寄生元素，低噪声效果和低噪声器设计。（L-10和T-4）振荡器：基本VCO拓扑，相位噪声，噪音功率权衡。谐振器较少的VCO设计，GHz频率混合器设计和问题，射频综合：PLL，各种RF合成器体系结构和频率分隔线。（L-9＆T-3）反式接收器体系结构：TRF接收器，杂化接收器，同伴接收器，不同的接收器拓扑，RF接收器体系结构及其设计问题，集成的RF过滤器，IC应用程序，IC应用程序和案例研究，用于DECT，GSM和蓝牙。（L-8＆T-3）
微电子工程
在当今的计算机技术中，降低功耗是一项日益艰巨的挑战。传统的计算架构受到所谓的冯·诺依曼瓶颈 (VNB) 的影响，即需要在内存和处理单元之间不断交换数据和指令，从而导致大量且似乎不可避免的功耗。即使是通常用于运行人工智能 (AI) 算法（例如深度神经网络 (DNN)）的硬件也受到此限制的影响。为了满足对超低功耗、自主和智能系统日益增长的需求，必须改变范式。从这个角度来看，新兴的忆阻非易失性存储器被认为是引领这项技术向下一代硬件平台过渡的良好候选者，它使在同一位置存储和处理信息成为可能，从而绕过 VNB。为了评估当前公共可用设备的状态，本文对商用级封装的自导通道忆阻器进行了彻底研究，以评估其在内存计算框架中的性能。具体而言，确定了允许突触权重的模拟更新和稳定的二进制切换的操作条件以及相关问题。为此，设计并实现了基于 FPGA 控制平台的专用但原型的系统。然后，利用它充分表征创新智能 IMPLY（SIMPLY）逻辑内存（LiM）计算框架的功耗性能，该框架允许可靠地在内存中计算经典布尔运算。将这些结果投影到纳秒范围可以估算出这种计算范式的真正潜力。虽然本文没有进行研究，但所提出的平台也可用于测试基于忆阻器的 SNN 和二值化 DNN（即 BNN），它们可与 LiM 结合以提供异构灵活架构，这是无处不在的 AI 的长期目标。
微电子可靠性
使用瞬态热分析 (TTA) 研究不同 SAC + 焊料的热机械疲劳，并使用人工神经网络 (ANN) 进行预测。TTA 测量热阻抗，并允许检测焊料裂纹和材料界面的分层。使用七种不同焊料焊接到印刷电路板上的 LED 在被动空对空温度冲击测试中老化，每 50 次循环进行一次 TTA 测量，以热阻增加为故障标准。在测试条件下，SnAgCuSb 焊料比 SAC305 参考表现出最佳性能改进。除了通过累积故障曲线和威布尔图进行标准评估外，还研究了新的可靠性评估方法来评估单个 LED 焊点的可靠性。建立了一种混合方法来预测加速应力测试期间单个 LED 焊点的故障，该方法使用具有记忆的人工神经网络（特别是 LSTM）处理 TTA 数据，其中记忆允许充分利用测量历史。使用了两种 ANN 方法，即回归和分类。这两种方法都相当准确。从回归方法中获得的信息越多，需要使用问题要求的外部知识进行更多处理，而分类方法可以更直接地实施。结果证明了集成方法在评估焊点剩余使用寿命方面的优势。
“微电子-2021”
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