相互作用系统通常以它们的基态和低能激发的特性为特征。例如,在自旋系统中,低能激发的特性将海森堡模型与伊辛或 XY 模型区分开来,即使基态可能相似。在量子材料中,可以通过仔细分类它们的激发来区分各种各样的有间隙系统(由电荷密度波、强关联或超导引起)。低能激发的特性因材料所表现出的物理行为而异。考虑一个绝缘体,其低能行为可以用相互作用的自旋很好地描述。它将表现出与金属费米液体不同的低能激发,而金属费米液体的低能行为可以用电子准粒子很好地描述。此外,不同的探针(如光导率、中子散射或光发射)可以探测系统的不同方面。举一个具体的例子,我们来看看 Fe 基超导体 FeSe 的低能激发。这些激发既可以从自旋(中子)1 的角度观察,也可以从电荷(光学)2 的角度观察。这两种方法都可以提供有关该材料的互补信息。有些多体相互作用系统可以通过分析确定其光谱。在自旋系统中(如 XY 模型),Holstein-Primakoff 3 或 Jordan-Wigner 4 变换会将系统转换为可以立即确定激发光谱的形式。这是因为自旋系统的激发实际上具有费米子特性,而从原始自旋图像中提取这种特性很麻烦。另一种方法是猜测波函数,然后获得激发,例如在 BCS 理论 5 中
相互作用系统通常以它们的基态和低能激发的特性为特征。例如,在自旋系统中,即使基态可能相似,低能激发的特征也可以将海森堡模型与伊辛或 XY 模型区分开来。在量子材料中,可以通过仔细对它们的激发进行分类来区分各种各样的有间隙系统(由电荷密度波、强关联或超导引起)。低能激发的特性因材料所表现出的物理行为而异。考虑一个绝缘体,其低能行为可以用相互作用的自旋很好地描述。它将表现出与金属费米液体不同的低能激发,而金属费米液体的低能行为可以用电子准粒子很好地描述。此外,不同的探针(如光导率、中子散射或光发射)可以探测系统的不同方面。举一个具体的例子,我们来看看 Fe 基超导体 FeSe 的低能激发。我们已经从自旋(中子)[ 1 ] 和电荷(光学)[ 2 ] 两个角度对这些激发进行了研究。这两个角度提供的关于材料的相关信息相互补充。有些多体相互作用系统可以通过分析确定其光谱。在自旋系统中(如 XY 模型),Holstein-Primakoff [ 3 ] 或 Jordan-Wigner [ 4 ] 变换会将系统转换为可以立即确定激发光谱的形式。这是因为自旋系统的激发实际上具有费米子特性,而这种特性在原始自旋图像中很难提取。另一种方法是猜测波函数,然后获得激发,例如 BCS 理论 [ 5 ] 或量子霍尔效应 [ 6 ]。然而,对于一大类系统,还没有已知的精确解,必须通过数值方法获得编码低能激发的相关函数。可以通过以下方式实现
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BAUER BSD 3000 是一种反循环钻井系统,配备全断面加重牙轮钻头钻头。钻机由船上起重机下水并定位在海床上,放入预先安装好的海底模板中。远程控制通过位于甲板上的 Bauer 模块化控制舱进行。所有钻井功能以及桩安装/灌浆的监控/定位都是远程执行的,电源和信号通过柔性脐带缆连接,方式与 ROV 相同。随后的钻井弃土和岩屑通过空运运送到海床。当能见度较差时,所有主要功能都通过摄像头和近距离传感器进行监控。钻井设备和脐带缆经过特殊设计,可承受异常海床流和表面波造成的巨大力量和疲劳。脐带处理系统必须补偿即使是最强大的 DP 船舶也不可避免的运动,还必须确保在紧急情况下所有脐带都能安全拆卸,所有软管都具有故障安全关闭功能。钻井模板的所有关键部件均由 Bauer 设计、制造和测试。
可靠性零件数量故障率数据系统:Airborne Direct 串行/以太网第 1 页组装:Airborne Direct 串行顶级组装零件清单:18D3704-01 环境:地面,移动 (GM) -------------------------------------------------------------------------------------------------- | | | | | 故障率,单位:| | | | | | | 每百万小时零件数 | | 描述/ | 规格/ | 数量 | 质量 |-------------------------| | 通用零件类型 | 质量水平 | | 因素 | | | | | | | (Pi Q) | 通用 | 总计 | | | | | | | | | |=========================|================|================|================|==============|=============|集成电路/ | 商用 | 1 | 1.00 | 0.04500 | 0.04500 | | MOS,数字 | II | | | | | | 101-1000 门 | | | | | | | | | | | | | | 集成电路/|商业 | 2 | 1.00 | 0.03900 | 0.07800 | | MOS,线性 | II | | | | | | | 1-100 晶体管 | | | | | | | | | | | | | | | | 集成电路/|商业 | 1 | 1.00 | 0.11000 | 0.11000 | | MOS,线性 | II | | | | | | 301-1K 晶体管 | | | | | | | | | | | | | | | | 集成电路/|商业 | 1 | 1.00 | 0.03500 | 0.03500 | | MOS,PLA | II | | | | | | 1-16K 门 | | | | | | | | | | | | | | 二极管/ | 商用 | 1 | 1.00 | 0.04000 | 0.04000 | | 瞬态抑制器| II | | | | | | | 压敏电阻 | | | | | | | | | | | | | | | 光电/ | 商用 | 3 | 1.00 | 0.31000 | 0.93000 | | 光隔离器 | II | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 电阻器/RM | 商用 | 29 | 1.00 | 0.07000 | 2.03000 | | 固定 F