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3在...
脑电图（EEG）已有大约100年了，涵盖了用于检测和记录脑皮质的电活动的技术。很难说明谁发明了脑电图；但是，文献中最常见的是三个研究人员：理查德·卡顿，汉斯·伯杰和阿道夫·亚伯拉罕·贝克[1，2]。理查德·卡顿（Richard Caton，1842– 1926年）是一名医生，生理学家和利物浦市长，在19世纪六十年代后期，他从爱丁堡搬到了那里，一直居住在那里直到生命的尽头。Caton使用驱动器检测兔子，狗和猴子的大脑的电活动。他将电极直接放在皮质表面或头骨上，可以将其视为EEG的开始[1-3]。卡顿的研究：“卡顿已经在狗和猿的大脑上进行了实验，其中将裸露的单极电极放在大脑皮层或颅骨表面上。电流是通过敏感的电量计测量的。发现在睡眠期间增加并随着死亡开始增强的电流有明显的变化。死后它们变得较弱，然后完全消失” [1，4]。最初，这位德国精神科医生研究了数学，在骑兵事故发生后，他被选中了1年，他辞去了成为天文学家的职务，并最终成为耶拿大学的医生。他是第一个观察α波的人（见图他在1941年将自己吊在诊所中[1]，患有临床抑郁症并自杀。3.1），最初称为Berger Rhythms，并被许多神经科学史学家公认为EEG的父亲。
GA2O3材料和设备研究GA2O3材料和设备研究
上下文：基于宽间隙半导体材料（SIC，GAN）的电子组件在中型电子应用（10 kV / 100 A）（例如混合 /电动汽车行业）中经历了相当大的增长。超出了该功率范围，从能量问题的角度和CO 2排放的降低的角度来看，提高功率密度和开关/转换效率的挑战是相当大的，尤其是在电源分配（智能电网）和运输（Rail）的应用。为了满足这些功率要求，有必要转向带有适当带隙能量（> 4 eV）和分解字段（> 10 mV.cm-1）的所谓的超宽间隙（UWBG）材料，例如钻石，艾加（Algan）或GA 2 O 3。，GA 2 O 3具有直径为150 mm的商业基材的独特优势，其成本合理（比SIC便宜3倍）。对UWBG材料的一个非常强烈的挑战仍然是它们的兴奋剂。再次，鉴于可以在宽的值范围内轻松实现n掺杂[1-3]，GA 2 O 3仍然引起了人们的关注。单极功率设备已通过正常运行[4-6]证明。通常无法使用电源设备的缺少技术构建块是生产双极设备的P型掺杂。开发了基于GA 2 O 3的设备的创新技术领域，并且对P型掺杂的控制需要研究由材料中陷阱或缺陷引起的电子水平的研究。这些缺陷也可以通过技术过程（植入，雕刻，金属污染）引起。在此主轴上开发了双极技术，博士学位受试者将主要集中精力。的确，INL实验室和“功能材料”团队在电气和电流技术方面具有广泛而独特的专业知识，用于研究由陷阱和宽频率半导体中的陷阱和缺陷引起的电子水平。
机器终端 REM 54_ - ABB
5.1.5.2. 低辅助电压指示 ...................................... 36 5.1.5.3. 过热指示 .............................................. 36 5.1.6. 模拟通道 .............................................................. 37 5.1.6.1. 缩放受保护单元的模拟通道额定值 ........................ 40 5.1.6.2. 测量设备的技术数据 ................................ 41 5.1.6.3. 计算的模拟通道 ...................................... 43 5.1.7. 数字输入 ............................................................. 43 5.1.7.1. 数字输入的滤波时间 ...................................... 45 5.1.7.2. 数字输入的反转 ...................................... 45 5.1.7.3. 脉冲计数器 ...................................................... 46 5.1.7.4. 振荡抑制 ...................................................... 47 5.1.7.5.机器终端配置的数字量输入属性 ...................................................................... 47 5.1.8. 数字量输出 ...................................................................... 48 5.1.8.1. 高速双极功率输出（HSPO） ........................................................ 49 5.1.8.2. 单极功率输出（PO） ........................................................ 50 5.1.8.3. 双极功率输出（PO） ........................................................ 50 5.1.8.4. 信号输出（SO） ........................................................ 51 5.1.9. RTD/模拟输入 ........................................................................ 52 5.1.9.1. 输入信号类型的选择 ........................................................ 52 5.1.9.2. 输入信号范围的选择 ........................................................ 52 5.1.9.3. 传感器监控 ........................................................................ 54 5.1.9.4. 信号滤波 ........................................................................ 54 5.1.9.5.输入缩放/线性化 ................................................ 54 5.1.9.6. 传感器连接 ................................................ 55 5.1.9.7. 用于机器终端配置的 RTD/模拟输入的属性 ........................ 57 5.1.9.8. RTD/模拟输入配置示例 ........................ 58 5.1.9.9. 自监控 ........................................................ 58 5.1.9.10. 校准 ........................................................ 59 5.1.9.11. RTD 温度与电阻 ........................................ 60 5.1.10. 模拟输出 ........................................................ 61 5.1.10.1. 模拟输出范围选择 ........................................ 61 5.1.10.2. 用于机器终端配置的模拟输出的属性 ........................ 61 5.1.10.3. 模拟输出配置示例 ........................................ 62 5.1.11. 5.1.11. 跳闸回路监控 ...................................................................... 63 5.1.11.1. 配置跳闸回路监控 CMTCS_ .............................................................. 64 5.1.12. 自监控 (IRF) ...................................................................... 65 5.1.12.1. 故障指示 ............................................................. 65
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5.1.5.2. 低辅助电压指示 ...................................... 36 5.1.5.3. 过热指示 .............................................. 36 5.1.6. 模拟通道 .............................................................. 37 5.1.6.1. 缩放受保护单元的模拟通道额定值 ........................ 40 5.1.6.2. 测量设备的技术数据 ................................ 41 5.1.6.3. 计算的模拟通道 ...................................... 43 5.1.7. 数字输入 ............................................................. 43 5.1.7.1. 数字输入的滤波时间 ...................................... 45 5.1.7.2. 数字输入的反转 ...................................... 45 5.1.7.3. 脉冲计数器 ...................................................... 46 5.1.7.4. 振荡抑制 ...................................................... 47 5.1.7.5.机器终端配置的数字量输入属性 ...................................................................... 47 5.1.8. 数字量输出 ...................................................................... 48 5.1.8.1. 高速双极功率输出（HSPO） ........................................................ 49 5.1.8.2. 单极功率输出（PO） ........................................................ 50 5.1.8.3. 双极功率输出（PO） ........................................................ 50 5.1.8.4. 信号输出（SO） ........................................................ 51 5.1.9. RTD/模拟输入 ........................................................................ 52 5.1.9.1. 输入信号类型的选择 ........................................................ 52 5.1.9.2. 输入信号范围的选择 ........................................................ 52 5.1.9.3. 传感器监控 ........................................................................ 54 5.1.9.4. 信号滤波 ........................................................................ 54 5.1.9.5.输入缩放/线性化 ................................................ 54 5.1.9.6. 传感器连接 ................................................ 55 5.1.9.7. 用于机器终端配置的 RTD/模拟输入的属性 ........................ 57 5.1.9.8. RTD/模拟输入配置示例 ........................ 58 5.1.9.9. 自监控 ........................................................ 58 5.1.9.10. 校准 ........................................................ 59 5.1.9.11. RTD 温度与电阻 ........................................ 60 5.1.10. 模拟输出 ........................................................ 61 5.1.10.1. 模拟输出范围选择 ........................................ 61 5.1.10.2. 用于机器终端配置的模拟输出的属性 ........................ 61 5.1.10.3. 模拟输出配置示例 ........................................ 62 5.1.11. 5.1.11. 跳闸回路监控 ...................................................................... 63 5.1.11.1. 配置跳闸回路监控 CMTCS_ .............................................................. 64 5.1.12. 自监控 (IRF) ...................................................................... 65 5.1.12.1. 故障指示 ............................................................. 65
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5.1.5.2. 低辅助电压指示 ...................................... 36 5.1.5.3. 过热指示 .............................................. 36 5.1.6. 模拟通道 .............................................................. 37 5.1.6.1. 缩放受保护单元的模拟通道额定值 ........................ 40 5.1.6.2. 测量设备的技术数据 ................................ 41 5.1.6.3. 计算的模拟通道 ...................................... 43 5.1.7. 数字输入 ............................................................. 43 5.1.7.1. 数字输入的滤波时间 ...................................... 45 5.1.7.2. 数字输入的反转 ...................................... 45 5.1.7.3. 脉冲计数器 ...................................................... 46 5.1.7.4. 振荡抑制 ...................................................... 47 5.1.7.5.机器终端配置的数字量输入属性 ...................................................................... 47 5.1.8. 数字量输出 ...................................................................... 48 5.1.8.1. 高速双极功率输出（HSPO） ........................................................ 49 5.1.8.2. 单极功率输出（PO） ........................................................ 50 5.1.8.3. 双极功率输出（PO） ........................................................ 50 5.1.8.4. 信号输出（SO） ........................................................ 51 5.1.9. RTD/模拟输入 ........................................................................ 52 5.1.9.1. 输入信号类型的选择 ........................................................ 52 5.1.9.2. 输入信号范围的选择 ........................................................ 52 5.1.9.3. 传感器监控 ........................................................................ 54 5.1.9.4. 信号滤波 ........................................................................ 54 5.1.9.5.输入缩放/线性化 ................................................ 54 5.1.9.6. 传感器连接 ................................................ 55 5.1.9.7. 用于机器终端配置的 RTD/模拟输入的属性 ........................ 57 5.1.9.8. RTD/模拟输入配置示例 ........................ 58 5.1.9.9. 自监控 ........................................................ 58 5.1.9.10. 校准 ........................................................ 59 5.1.9.11. RTD 温度与电阻 ........................................ 60 5.1.10. 模拟输出 ........................................................ 61 5.1.10.1. 模拟输出范围选择 ........................................ 61 5.1.10.2. 用于机器终端配置的模拟输出的属性 ........................ 61 5.1.10.3. 模拟输出配置示例 ........................................ 62 5.1.11. 5.1.11. 跳闸回路监控 ...................................................................... 63 5.1.11.1. 配置跳闸回路监控 CMTCS_ .............................................................. 64 5.1.12. 自监控 (IRF) ...................................................................... 65 5.1.12.1. 故障指示 ............................................................. 65
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5.1.5.2. 低辅助电压指示 ...................................... 36 5.1.5.3. 过热指示 .............................................. 36 5.1.6. 模拟通道 .............................................................. 37 5.1.6.1. 缩放受保护单元的模拟通道额定值 ........................ 40 5.1.6.2. 测量设备的技术数据 ................................ 41 5.1.6.3. 计算的模拟通道 ...................................... 43 5.1.7. 数字输入 ............................................................. 43 5.1.7.1. 数字输入的滤波时间 ...................................... 45 5.1.7.2. 数字输入的反转 ...................................... 45 5.1.7.3. 脉冲计数器 ...................................................... 46 5.1.7.4. 振荡抑制 ...................................................... 47 5.1.7.5.机器终端配置的数字量输入属性 ...................................................................... 47 5.1.8. 数字量输出 ...................................................................... 48 5.1.8.1. 高速双极功率输出（HSPO） ........................................................ 49 5.1.8.2. 单极功率输出（PO） ........................................................ 50 5.1.8.3. 双极功率输出（PO） ........................................................ 50 5.1.8.4. 信号输出（SO） ........................................................ 51 5.1.9. RTD/模拟输入 ........................................................................ 52 5.1.9.1. 输入信号类型的选择 ........................................................ 52 5.1.9.2. 输入信号范围的选择 ........................................................ 52 5.1.9.3. 传感器监控 ........................................................................ 54 5.1.9.4. 信号滤波 ........................................................................ 54 5.1.9.5.输入缩放/线性化 ................................................ 54 5.1.9.6. 传感器连接 ................................................ 55 5.1.9.7. 用于机器终端配置的 RTD/模拟输入的属性 ........................ 57 5.1.9.8. RTD/模拟输入配置示例 ........................ 58 5.1.9.9. 自监控 ........................................................ 58 5.1.9.10. 校准 ........................................................ 59 5.1.9.11. RTD 温度与电阻 ........................................ 60 5.1.10. 模拟输出 ........................................................ 61 5.1.10.1. 模拟输出范围选择 ........................................ 61 5.1.10.2. 用于机器终端配置的模拟输出的属性 ........................ 61 5.1.10.3. 模拟输出配置示例 ........................................ 62 5.1.11. 5.1.11. 跳闸回路监控 ...................................................................... 63 5.1.11.1. 配置跳闸回路监控 CMTCS_ .............................................................. 64 5.1.12. 自监控 (IRF) ...................................................................... 65 5.1.12.1. 故障指示 ............................................................. 65
在悬浮的3D人工旋冰
人造自旋冰系统是磁性纳米兰州的图案阵列，这些纳米岛被排列成沮丧的几何形状，并提供了对订购和出现物理学的见解。这些系统中的大多数已经在二维中实现，这主要是由于易于制造，但是随着高级纳米印刷的最新发展，三维人造自旋冰（ASI）结构已经成为可能，因此在他们的研究中提供了新的范式。此类人工设计的3D系统在实现可调的接地状态，新域墙壁拓扑，单极传播和高级设备概念（例如磁性赛道内存）方面提供了新的机会。到目前为止，具有磁力显微镜的3DASI结构的直接成像是探测这些系统物理的关键，但在测量的深度和分辨率的深度均受到限制，最终将测量限制在系统的最上层。在这项工作中，开发了一种方法，可以使用两光谱光刻，热蒸发和氧血浆暴露在光圈上制造3DASI晶格，从而使元素特异性结构和磁性信息探测使用X射线磁性磁性二氢二氢含量（XMCD）的元素特异性结构和磁信息。在反复的软X射线暴露下发现悬浮的聚合物 - 透明晶格是稳定的。对X射线吸收信号的分析允许重建磁性纳米线的复杂横截面并证明新月形的几何形状。在应用平面场后的XMCD图像测量表明，由于氧化而导致晶格表面上的磁矩减小，而在表面以下的子层次上保留了可测量的信号。
在线研究 @ Cardiff - Orca
人造自旋冰系统是磁性纳米兰州的图案阵列，这些纳米岛被排列成沮丧的几何形状，并提供了对订购和出现物理学的见解。这些系统中的大多数已经在二维中实现，这主要是由于易于制造，但是随着高级纳米印刷的最新发展，三维人造自旋冰（ASI）结构已经成为可能，因此在他们的研究中提供了新的范式。此类人工设计的3D系统在实现可调的接地状态，新域墙壁拓扑，单极传播和高级设备概念（例如磁性赛道内存）方面提供了新的机会。到目前为止，具有磁力显微镜的3DASI结构的直接成像是探测这些系统物理的关键，但在测量的深度和分辨率的深度均受到限制，最终将测量限制在系统的最上层。在这项工作中，开发了一种方法，可以使用两光谱光刻，热蒸发和氧血浆暴露在光圈上制造3DASI晶格，从而使元素特异性结构和磁性信息探测使用X射线磁性磁性二氢二氢含量（XMCD）的元素特异性结构和磁信息。在反复的软X射线暴露下发现悬浮的聚合物 - 透明晶格是稳定的。对X射线吸收信号的分析允许重建磁性纳米线的复杂横截面并证明新月形的几何形状。在应用平面场后的XMCD图像测量表明，由于氧化而导致晶格表面上的磁矩减小，而在表面以下的子层次上保留了可测量的信号。
p-ISSN: 2407-7275, e-ISSN: 2686-3251 原创研究论文 使用单电极 EEG 设备和 BCI 的大脑控制轮椅
这通过简单的 4 个步骤完成：步骤 1 使用显著障碍物识别算法来识别显著障碍物。为了识别显著障碍物，引入了动态过滤。我们逐个检查差异图像，我们设置一个边缘值，如果差异值更大，那么我们将这些点标记为障碍物。利用这种方式，大量的地面点被删除。对于由于参数选择不当而保留在显著障碍物图中的其余地面点，我们然后逐个部分执行。如果每个差异值的数量不完全是给定的极限，则将相关值设置为零。通过这种方式，删除地面点和小障碍物点。步骤 2 计算 3D 点云并优化显著障碍物识别。这个阶段很快，因此我们使用基于形态学模拟的区域填充算法。使用过滤器来删除剩余的噪声。由于部分检查以相同的高度移除景观，因此对突出障碍物地图和其余部分处理 3D 点云。然后获取最低高度，并将任何大于此高度的点归为显著点。阶段 3 使用改进的空间变化目标 (SVR) 算法来识别小障碍物。首先，在过滤时我们将目标减小 1/n。其次，算法检查测试的点，如果发现一个好点，则重新过滤截断三角形。第三，将比较的 3D 点彼此相距不超过欧几里得距离 f 的像素标记为障碍物点，从而识别出厚障碍物。阶段 4 合并突出障碍物地图和小障碍物地图以获得最终的障碍物识别算法结果。5. 结论构建了 BCI 接口，可以读取用于驾驶轮椅的 EEG 信号，而无需任何形式的物理输入。这些脑电图信号使用单个单极电极读取，并通过蓝牙接口输入计算机系统。计算机将信号分为 3 类，即
丘脑底深部脑刺激治疗帕金森病
摘要背景对于难治性帕金森病 (PD) 来说，丘脑底深部脑刺激 (STN-DBS) 是一种经验性的治疗方式，人们正在寻求它的生理学解释。这项研究旨在确定接受 STN-DBS 治疗 PD 患者的预后和并发症。方法这项回顾性观察队列研究在印度东部的一家先进神经医学机构进行了 9 年（2013 年 8 月 - 2022 年 8 月），其中包括所有接受 STN-DBS 治疗的患者。结果在研究期间共有 53 名患者接受了手术。研究人群的平均年龄为 60.5 岁（标准差 [SD]：8.2）岁，男性 (33 [62.3%]) 占多数。最常见的症状包括僵硬和运动减少 (27)、严重运动障碍 (21) 和震颤 (17)。术后期间，部分患者的僵硬和运动减少（21）、严重运动障碍（16）和震颤（12）显著改善。其中大多数（45 [84.9%]）病例接受了双侧单极刺激，而三名患者（5.7%）接受了双侧双极刺激。五名（9.4%）患者接受了单侧双极刺激。术后即刻，他们开始接受肢体、言语和吞咽治疗。五名（9.4%）病例出现手术相关并发症。在 6 个月的随访中，大多数（36 [67.9%]）患者的统一 PD 评定量表部分（主要是运动检查和 PD 治疗并发症）均有显著改善。一名患者出现抗精神病药恶性综合征，并在术后第四天死于疾病。结论鉴于这些发现，STN-DBS 似乎是一种良好、安全且有效的治疗方法，适用于治疗一组难以治愈的 PD 患者，研究队列中三分之二的患者总体得到改善，并发症风险不到 10%。