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上下文：基于宽间隙半导体材料（SIC，GAN）的电子组件在中型电子应用（10 kV / 100 A）（例如混合 /电动汽车行业）中经历了相当大的增长。超出了该功率范围，从能量问题的角度和CO 2排放的降低的角度来看，提高功率密度和开关/转换效率的挑战是相当大的，尤其是在电源分配（智能电网）和运输（Rail）的应用。为了满足这些功率要求，有必要转向带有适当带隙能量（> 4 eV）和分解字段（> 10 mV.cm-1）的所谓的超宽间隙（UWBG）材料，例如钻石，艾加（Algan）或GA 2 O 3。，GA 2 O 3具有直径为150 mm的商业基材的独特优势，其成本合理（比SIC便宜3倍）。对UWBG材料的一个非常强烈的挑战仍然是它们的兴奋剂。再次，鉴于可以在宽的值范围内轻松实现n掺杂[1-3]，GA 2 O 3仍然引起了人们的关注。单极功率设备已通过正常运行[4-6]证明。通常无法使用电源设备的缺少技术构建块是生产双极设备的P型掺杂。开发了基于GA 2 O 3的设备的创新技术领域，并且对P型掺杂的控制需要研究由材料中陷阱或缺陷引起的电子水平的研究。这些缺陷也可以通过技术过程（植入，雕刻，金属污染）引起。在此主轴上开发了双极技术，博士学位受试者将主要集中精力。的确，INL实验室和“功能材料”团队在电气和电流技术方面具有广泛而独特的专业知识，用于研究由陷阱和宽频率半导体中的陷阱和缺陷引起的电子水平。
GA2O3材料和设备研究GA2O3材料和设备研究
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