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单片 3D 集成中具有扩展栅极的高效可扩展 MIV 晶体管
摘要 — 单片 3D 集成已成为满足未来计算需求的有前途的解决方案。金属层间通孔 (MIV) 在单片 3D 集成中形成基板层之间的互连。尽管 MIV 尺寸很小，但面积开销可能成为高效 M3D 集成的主要限制因素，因此需要加以解决。以前的研究主要集中在利用 MIV 周围的基板面积来显着降低该面积开销，但却遭受了泄漏和缩放因子增加的影响。在本文中，我们讨论了 MIV 晶体管的实现，它解决了泄漏和缩放问题，并且与以前的研究相比，面积开销也有类似的减少，因此可以有效利用。我们的模拟结果表明，与之前的实现相比，对于所提出的 MIV 晶体管，漏电流 (ID,leak) 减少了 14 K ×，最大电流 (ID,max) 增加了 58%。此外，使用我们提出的 MIV 晶体管实现的逆变器的性能指标，特别是延迟、斜率和功耗降低了 11.6%，17.与之前的实现相比，在相同的 MIV 面积开销减少的情况下，分别降低了 4.9% 和 4.5%。索引术语 — 单片 3D IC、垂直集成、片上器件
单片高对比度金属光栅
光电器件的透明导电电极 (TCE) 设计需要在高导电性和透射率之间进行权衡，从而限制了其效率。本文展示了迄今为止最好的 TCE，其新颖的 TCE 制造方法可以有效缓解这种权衡：集成金属的单片高对比度光栅 (metalMHCG)。metalMHCG 比其他 TCE 具有更高的电导率，同时具有透射和抗反射特性。本文重点介绍红外光谱 TCE，这对于传感、热成像和汽车应用至关重要。然而，由于自由载流子吸收率升高，它们对可见光谱的要求比 TCE 高得多。它展示了创纪录的 75% 非偏振光绝对透射率，相对于普通 GaAs 基板的透射率达到创纪录的 108%。它实现了更大的偏振光绝对透射率，达到 92% 或 133% 的相对透射率。尽管透射率创下了历史新高，但金属 MHCG 的薄层电阻却是有史以来最好的，比任何其他 TCE 都低几倍，范围从 0.5 到 1 𝛀 Sq − 1。
使用 AD8232 单片机获取 12 通道心电图...
简介 如今，心脏病是全球主要的死亡原因之一。为了避免严重的心脏病发作，尽早诊断非常重要。诊断方法之一是心电图。ECG 设备记录来自心肌的电信号，指示心脏的变化。目前，现有的 ECG 设备主要仅位于医院。心脏病发作的患者应等待救护车到达并将其送往医院。在等待救护车时，与心脏病发作相关的重要信号可能会减弱，导致医生无法追踪心脏病发作的原因。因此，开发便携式 EKG 设备非常重要。紧凑型设备不仅可用于医疗中心，还可用作便携式医疗设备，甚至可放在家中。诊断也将容易得多。心脏病发作的患者可以随身携带这种便携式 ECG 设备。您还可以使用单通道 EKG 获得 12 通道 ECG。要使用 AD8232 设备获取 12 通道心电图，您需要按照图 2.4 所示放置电极。
有些冲击波需要单片眼镜
佛罗里达州埃格林空军基地 — 虽然测试武器系统中使用的高能材料对于空军的成功至关重要，但通常这是一个漫长而昂贵的过程。一种方法依赖于使用大型枪械系统来产生精确冲击，这需要大量的基础设施投资。不幸的是，只有四个这样的测试设施配备了爆炸物测试设备 — 佛罗里达州的空军研究实验室 (AFRL) 埃格林空军基地弹药局 (RW)、新墨西哥州的桑迪亚和洛斯阿拉莫斯国家实验室以及加利福尼亚州的劳伦斯利弗莫尔国家实验室 — 这通常意味着要等待测试材料。
适用于单片后端生产线的“零变化”平台……
图 1 用于 PCM 后端集成的 SiN 辅助硅光子工艺。(a) 器件制造流程图。(b) 测量具有不同数量级联沟槽的波导的透射光谱。插图是级联器件的布局。(c) 采用切割法评估 SiO 2 沟槽蚀刻工艺引入的波导损耗。(d) 制造后的器件的 3D 示意图。后端集成的 SbSe 可实现推挽式 MZI 开关的微调
利用 3D 打印技术低成本制造用于能量收集的单片谐振压电装置
摘要：物联网 (IoT) 的快速发展带动了低功耗传感器的开发。然而，物联网扩展的最大挑战是传感器的能量依赖性。为物联网传感器节点提供电源自主性的一个有前途的解决方案是从环境源收集能量 (EH) 并将其转换为电能。通过 3D 打印，可以创建单片收集器。这降低了成本，因为它消除了对后续组装工具的需求。得益于计算机辅助设计 (CAD)，收集器可以根据应用的环境条件进行专门调整。在这项工作中，设计、制造并电气表征了压电谐振能量收集器。还进行了压电材料和最终谐振器的物理表征。此外，还使用有限元建模对该设备进行了研究和优化。在电气特性方面，确定该设备在最佳负载阻抗为 4 M Ω 且受到 1 G 加速度时可实现 1.46 mW 的最大输出功率。最后，设计并制造了一个概念验证设备，目的是测量流过电线的电流。
单片 3D 集成中高效可扩展的带扩展栅极的 MIV 晶体管（已在 MWSCAS 2023 中接受）
摘要 — 单片 3D 集成已成为满足未来计算需求的有前途的解决方案。金属层间通孔 (MIV) 在单片 3D 集成中形成基板层之间的互连。尽管 MIV 尺寸很小，但面积开销可能成为高效 M3D 集成的主要限制，因此需要加以解决。以前的研究集中于利用 MIV 周围的基板面积来显着降低该面积开销，但却遭受了泄漏和缩放因子增加的影响。在本文中，我们讨论了 MIV 晶体管的实现，它解决了泄漏和缩放问题，并且与以前的研究相比，面积开销也有类似的减少，因此可以有效利用。我们的模拟结果表明，与之前的实现相比，所提出的 MIV 晶体管的漏电流 (ID,leak) 减少了 14 K ×，最大电流 (ID,max) 增加了 58%。此外，使用我们提出的 MIV 晶体管实现的逆变器的性能指标，特别是延迟、斜率和功耗降低了 11.6%，17.与之前的实现相比，在相同的 MIV 面积开销减少的情况下，分别降低了 9% 和 4.5%。索引术语 — 单片 3D IC、垂直集成、片上器件
在130 nm sige bicmos Technology的Beol中，晶圆级薄膜封装的MM-Wave RF-MEMS开关的单片整合
摘要 - 对于任何微电动机械系统（MEMS）设备的工厂最为明显的挑战之一，是该设备的低成本和高吞吐包装，以保护其免受环境颗粒，水分和配置的影响。在这项工作中，通过晶状级别CMOS（BICMOS）技术的130 nm双极CMOS（BICMOS）技术的RF-MEMS开关单一地整合到基于铝的后端线（BEOL）中，这是通过晶状级级别的薄级薄薄薄层薄层包装（WLE）。在晶片级封装包装之前，开发并证明了用于释放MEMS设备的湿式和蒸气释放技术。最终装置的封装是用Ti/Tin/Tin/Alcu/Ti/Tin层的堆栈实现为3- µm金属网格的晶圆级包装的。最后，将具有高沉积速率（HDR）的二氧化硅沉积过程用于释放孔的完整封装。通过低频C - V和D-Band时高频S-参数测量值评估了封装对RF-MEMS开关性能的影响。结果指示设备的完整功能，没有明显的性能下降。封装不需要额外的掩码，并且将其开发为8英寸晶圆级工艺，因此为RF-MEMS设备封装和包装提供了低成本和高吞吐量解决方案。