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World File Search System单粒子
单粒子数字化策略用于$ \ phi ^4 $标量场理论的量子计算
已经投入了很大的努力来研究量子化学方面的概率[1-4]，冷凝物理学[5-7]，宇宙学[8-10]，以及高能和核物理学[11-16]，具有数字量子计算机和模拟量子模拟器[17-22]。一个主要的动机是加深我们对密切相关的多体系统（例如结合状态频谱）的基础特性传统特征的传统特征的理解。另一个是在散射问题中推进最新技术的状态，该问题提供了有关此类复杂系统的动态信息。在这项工作中，我们的重点将放在相对论量子领域理论中用于高能散射和多颗粒产生的量子算法的问题。我们的工作是在量子铬动力学（QCD）中提取有关Hadron和Nuclei的性能的动态信息的有前途但遥远的目标。Examples of scattering problems in QCD where quantum information science can accelerate our present computational capabilities are low-energy scattering in nuclear many-body systems [ 23 , 24 ], the thermalization process in ultrarelativistic ion-ion collisions [ 25 ], studies of the structure of nuclear matter probed in deeply inelastic scattering (DIS) of elec- trons off protons and nuclei [ 26 – 33 ], and the fragmentation of
负偏置温度不稳定性对缩放逻辑电路中单粒子瞬变的影响
此外，当在这些先进节点中考虑单粒子瞬变 (SET) 时，对软错误的敏感性会变得更加糟糕。此类 SET 可能是由高能粒子（如宇宙中子）撞击半导体器件敏感区域引起的，这会影响电路性能。16,17 例如，当粒子撞击硅衬底时，它们会产生二次电子-空穴对，这些电子-空穴对可被周围的 pn 结收集，从而影响器件行为。18,19 发射的阿尔法粒子主要是由于芯片封装中的铀和钍杂质的放射性衰变。当阿尔法粒子穿过半导体器件时，电子会沿着阿尔法粒子的轨迹从晶格位置脱落。20,21 临界电荷是翻转逻辑所需的最小电荷。除了单粒子放电 (SET) 之外，撞击还可能导致单粒子翻转 (SEU)，这两者都会妨碍电路的正常运行，并导致软错误。22-25 质子的直接电离可能会导致临界电荷 (Q crit) 较低的器件发生 SEU。26
通过系统识别的复合单粒子锂离子电池模型
摘要 - 在锂离子（锂离子）电池模型的领域，由于其简单性，长期以来，单个粒子模型（SPM）被认为是在嵌入式应用中迎来物理启发模型（PIMS）时代的有希望的减少订单模型（ROM）候选者。然而，在高负载电流下，标准SPM在计算电池的端子电压时表现出较差的精度，从而使其不合适，可以作为植物模型在状态估计任务中。对文献的显着电解质增强SPM的全面评估表明，当前的解决方案在数学上是棘手的或过于简单的。对于电解质中的离子浓度，跨越计算复杂性和数学障碍的边界的众所周知的二次近似模型显示出时间性能较差，尤其是在当前的集电极接口上。在这项工作中，我们保留了二次近似模型的空间动力学，同时使用系统识别技术为其时间动力学提出了一种新颖的方法。通过使用相关子系统的线性近似值，我们确定了每个电极区域内电解质中锂离子单位面积的摩尔数的离散时间传递函数，从而提高了电解质浓度的时空精度。然后，我们使用新的系统识别电解质动力学增强标准SPM，以达到电解质增强的复合单粒子模型（EECSPM）。最后，与现有的最先进的面前相比，我们将表现出EECSPM的出色性能，从而代表了在实时应用程序中使用PIMS的具体目标。
65nm CMOS时序逻辑电路单粒子翻转灵敏度研究
摘要 本研究利用脉冲激光研究了不同电源电压、时钟频率和电路结构下时序逻辑电路对单粒子翻转 (SEU) 的灵敏度。实验的时序逻辑电路是采用 65 nm 体 CMOS 工艺制作的 D 触发器链。结果表明，随着电压的降低，电路的 SEU 灵敏度增加，尤其在低电压范围内，灵敏度增加显著。此外，时钟频率对时序逻辑电路灵敏度的影响主要与组合逻辑电路中产生的单粒子瞬变 (SET) 的传播有关。研究还发现，Set 架构电路在数据“0”测试期间对 SEU 更敏感，而 Reset 架构电路在数据“1”测试期间对 SEU 更敏感。此外，还利用 SPICE 模拟揭示了由 Set 结构和 Reset 结构引起的 SEU 故障机制。关键词：脉冲激光、单粒子翻转 (SEU)、电压、频率、电路结构分类：电子器件、电路和模块（硅、复合半导体、有机和新型材料）
射流进行单粒子效应试验结果...
卫星和其他航天器中使用的电子器件暴露在宇宙辐射中。为了确保这些器件的可靠性，应仔细研究辐射的影响。评估电子设备辐射可靠性的主要方法是测量其单粒子效应 (SEE) 截面与离子束电离功率的关系。之前已经发表了许多关于太空应用的 SEE 结果 [1-4]。本文讨论的研究旨在确定电子设备对单粒子闩锁 (SEL) 和单粒子翻转 (SEU) 的灵敏度。对十种不同类型的 CMOS 器件进行了 SEE 测量，包括 ADC、DAC、模拟开关、MOSFET 驱动器、数字合成器、延迟缓冲器和晶体振荡器。
射流进行单粒子效应试验结果...
卫星和其他航天器中使用的电子器件暴露在宇宙辐射中。为了确保这些器件的可靠性，应仔细研究辐射的影响。评估电子设备辐射可靠性的主要方法是测量其单粒子效应 (SEE) 截面与离子束电离功率的关系。之前已经发表了许多关于太空应用的 SEE 结果 [1-4]。本文讨论的研究旨在确定电子设备对单粒子闩锁 (SEL) 和单粒子翻转 (SEU) 的灵敏度。对十种不同类型的 CMOS 器件进行了 SEE 测量，包括 ADC、DAC、模拟开关、MOSFET 驱动器、数字合成器、延迟缓冲器和晶体振荡器。
射流进行单粒子效应试验结果...
卫星和其他航天器中使用的电子器件暴露在宇宙辐射中。为了确保这些器件的可靠性，应仔细研究辐射的影响。评估电子设备辐射可靠性的主要方法是测量其单粒子效应 (SEE) 截面与离子束电离功率的关系。之前已经发表了许多关于太空应用的 SEE 结果 [1-4]。本文讨论的研究旨在确定电子设备对单粒子闩锁 (SEL) 和单粒子翻转 (SEU) 的灵敏度。对十种不同类型的 CMOS 器件进行了 SEE 测量，包括 ADC、DAC、模拟开关、MOSFET 驱动器、数字合成器、延迟缓冲器和晶体振荡器。
射流进行单粒子效应试验结果...
卫星和其他航天器中使用的电子器件暴露在宇宙辐射中。为了确保这些器件的可靠性，应仔细研究辐射的影响。评估电子设备辐射可靠性的主要方法是测量其单粒子效应 (SEE) 截面与离子束电离功率的关系。之前已经发表了许多关于太空应用的 SEE 结果 [1-4]。本文讨论的研究旨在确定电子设备对单粒子闩锁 (SEL) 和单粒子翻转 (SEU) 的灵敏度。对十种不同类型的 CMOS 器件进行了 SEE 测量，包括 ADC、DAC、模拟开关、MOSFET 驱动器、数字合成器、延迟缓冲器和晶体振荡器。
喷射流进行的单粒子效应测试结果...
卫星和其他航天器中使用的电子设备暴露在宇宙辐射中。为了确保这些设备的可靠性，应仔细研究辐射的影响。评估电子设备辐射可靠性的主要方法是测量其单粒子效应 (SEE) 截面与离子束电离功率的关系。之前已经发表了许多用于太空应用的 SEE 结果 [1-4]。本文讨论的研究旨在确定电子设备对单粒子闩锁 (SEL) 和单粒子翻转 (SEU) 的灵敏度。对十种不同类型的 CMOS 设备进行了 SEE 测量，包括 ADC、DAC、模拟开关、MOSFET 驱动器、数字合成器、延迟缓冲器和晶体振荡器。