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图 11 不同配置层偏压下 CSOI 器件瞬态电流典型曲线 ( a ) 和 CSOI SRAM 电路的单粒子翻转截面变化 ( b ) Fig. 11    Typical transient current curve of CSOI device (a) and single event upset cross-section variation of CSOI SRAM circuit (b) under different configuration layer biases

集成电路和功率器件抗辐射工艺加固技术研究综述

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