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World File Search System单芯铜
铅和铜 - 采样计划
社区供水部门必须确定一组铅和铜采样点，其中至少包含进行标准监测所需的采样点数量（请参阅说明以了解所需采样点数量）。强烈建议采样池包含比所需更多的采样点，以防在采样时常规采样点不可用。采样池必须使用以下标准针对高风险采样点。
玻璃芯基板：CHIPS和MMI的机遇
SK 集团将在佐治亚州科文顿建立首家基于玻璃的半导体部件合资企业（Absolics）与 GT-PRC 的互动 州长 Brian P. Kemp 宣布（佐治亚州亚特兰大 – 2021 年 10 月 28 日） 公司将在这个前所未有的合资企业中投资超过 4.73 亿美元，并将在牛顿县创造 400 多个新工作岗位 2022 年 11 月动工 2024 年产量最低；2025 年产量最高
集成光子芯片中的编码纠错
1 香港理工大学量子技术研究所 (IQT)，香港 2 南洋理工大学量子科学与工程中心 (QSec)，新加坡 639798 3 哥本哈根大学尼尔斯·玻尔研究所混合量子网络中心 (Hy-Q)，丹麦哥本哈根 DK-1165 4 布里斯托大学 HH Wills 物理实验室和电气电子工程系量子工程技术实验室，布里斯托 BS8 1QU，英国 5 同济大学物理科学与工程学院精密光学工程研究所，上海 200092，中国 6 新加坡科技研究局微电子研究所，新加坡 138634 7 先进微晶圆代工厂，新加坡 117685 8 新加坡国立大学量子技术中心，新加坡 117543 9 南洋理工大学国立教育学院，新加坡 637616
铁氧体电感器与压粉芯电感器
电感器和变压器磁芯由软磁材料制成。“软”磁材料很容易磁化和消磁，并且只有在通过改变缠绕在其周围的绕组（或“匝”）中的电流来激发这些磁芯并产生电磁场时，才会出现磁场。术语“软”表示磁场不是永久的，当电流停止时磁场就会消失。这与我们通常所说的磁铁不同。“永久”磁铁通常用于拾取或将物体附着在含铁（铁质）金属上（例如冰箱磁铁），并且无需绕组或外部刺激即可产生永久磁场。
目录关键超高频标签 - AXEM 技术
• FR4（阻燃剂 4，由编织玻璃纤维布和环氧树脂粘合剂组成）——近 30 年来全球最稳定、应用最广泛的天线材料，具有最高的耐用性和一致的电气性能 • 铜蚀刻天线比铝蚀刻天线和导电墨水印刷天线具有更高的精度和更低的公差，这使标签性能更加一致，读取范围变化更小。 • 铜蚀刻天线的芯片粘合区域镀金，以增强芯片在天线上的附着力以及与天线的电气互连。
铜的未来 - 标普全球
充分获取某些“关键矿物”对于实现到 2050 年消除全球净二氧化碳 (CO 2 ) 排放的广泛承诺至关重要（尽管中国和印度等主要排放国分别将目标定为 2060 年和 2070 年）。 2 实现这些目标的重中之重是实现全球汽车电气化并积极转向可再生能源发电，这是能源转型的两个主要方面。 3 虽然各种金属和稀土元素已经受到政府、媒体、智库和大学的极大关注，但最被低估的关键矿物之一也是最熟悉和最基本的矿物之一——铜。更深层次的电气化需要电线，而电线主要由铜制成。此外，铜矿床通常含有其他关键矿物，这些采矿作业会产生大量其他金属的副产品，例如钴、钼和镍。
高纯度钼和钨铜复合材料
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氧化膜上铜的原子层沉积
通过 ALD 循环次数可以实现区域选择性沉积 (ASD)。然而，对薄膜生长的横向控制，即区域选择性沉积 (ASD)，对于 ALD 来说要困难得多。尤其微电子应用需要 ASD 来满足制造要求，因为关键特征尺寸缩小到纳米级，而且通过自上而下的光刻方法进行图案化变得越来越具有挑战性。[2,3] 光刻掩模需要以纳米级精度对准，即使是最轻微的掩模错位也必然会导致边缘位置误差 (EPE)。在 ALD 中实现 ASD 的传统方法可分为三大类：1) 非生长区域钝化；2) 生长区域的活化；3) 使用固有选择性沉积化学。在类别 (1) 中，非生长区域用钝化自组装单分子层 (SAM) 或聚合物膜进行功能化。 [4,5] 通常，当前体吸附在非理想组装或部分降解的 SAM 上时，会发生选择性损失。吸附在 SAM 上的前体分子作为后续前体剂量的反应位点，从而丧失选择性。[2] 在下一个处理步骤之前，还必须完全去除钝化层。在类别 (2) 中，生长区域表面在 ASD 之前进行功能化，以实现薄膜生长。[6–7] 然后，薄膜仅沉积在功能化表面上，而其他区域保持清洁。这种方法规定了非生长和功能化生长表面上的薄膜成核的明显对比。因此，它主要限于金属 ALD 工艺，因为金属表面比其他表面更容易成核。此外，需要仔细控制剂量以维持生长选择性。由于 ASD 的活化层被 ALD 膜掩埋，因此下一个处理步骤可以直接进行。在类别 (3) 中，即固有选择性 ALD，选择性完全由前体与基底上不同材料表面之间的反应决定。在正在制造的薄膜器件结构表面上，不同的材料暴露于 ALD 前体，但薄膜仅生长在某些优选材料上，从而定义生长区域。这是真正的自下而上的处理，将整体图案化步骤减少到最低限度。由于图案自对准，因此排除了 EPE。出于这些原因，(3) 是 ASD 的一个非常有吸引力的选择，但控制表面化学以在几个 ALD 循环中保持 ASD 极具挑战性。因此 (3) 主要限于金属的 ASD。[8–9]