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![环[16]碳分子振动诱发芳香性逆转的支持信息](/simg/4\475bbd90ff890fcbc00a39bf4d3123a6eb5da1d6.webp)
环[16]碳分子振动诱发芳香性逆转的支持信息
T 1 态。对于三重态，CCSD(T) 和 CASSCF 的结果大致相同，CCSD 的结果要差得多（图 S1b）。在分而治之的 q-UCCSD 方法中加入自旋翻转似乎是必不可少的，这导致垂直激发能量相对于 CASSCF 提高了约 1.2 eV。由于三重态的 HF 参考是 |11 20>（平面外三重态，平面内单重态），因此自旋翻转允许的 q-UCCSD 的优越性能的一个可能解释是它可以访问 |20 11> 配置（平面外单重态，平面内三重态），这对整体波函数有重要贡献（参见正文中的图 4a）。特别值得注意的是，带有自旋翻转的 q-UCCSD 方法找到了与 CASSCF 相同的最小值，并且总体上比 CCSD 产生了更好的结果。由于起点不佳，零 BLA 几何仍然很困难，尽管这种电子状态比 S0（一个 π 系统中四个近简并自旋轨道中的两个电子）的病态性要小。
单光纤通道 10 公里范围内的实时确定性量子隐形传态
摘要：利用在1550 nm处产生的EPR纠缠，在单个光纤信道上实验实现了实时确定性量子隐形传态。利用1342 nm激光束实时传输经典信息，同时作为同步光束，实现量子信息与经典信息的同步。通过优化在Alice站点建立的用于操纵EPR纠缠光束的有耗通道的传输效率，实验研究了保真度对光纤信道传输距离的依赖关系。确定性量子隐形传态的最大传输距离为10 km，保真度为0.51±0.01，高于经典隐形传态极限1/2。该工作为基于确定性量子隐形传态在光纤信道上建立城域量子网络提供了一种可行方案。
半导体量子点自旋链中的绝热量子态转移
半导体量子点自旋量子比特是一种很有前途的量子计算平台，因为它们可扩展并拥有较长的相干时间。然而，为了充分发挥这一潜力，量子纠错和高效算法需要高保真度的信息传输机制。在这里，我们展示了半导体量子点电子自旋链中绝热量子态转移的证据。通过绝热修改交换耦合，我们在不到 127 纳秒的时间内实现了远距离电子之间的单自旋态和双自旋态转移。我们还表明，这种方法可以级联用于长自旋链中的自旋态转移。基于模拟，我们估计，对于本文研究的实验参数，正确转移单自旋本征态和双自旋单重态的概率可以超过 0.95。未来，将需要状态和过程层析成像来验证保真度超过经典界限的任意单量子比特态的转移。绝热量子态转移对噪声和脉冲定时误差具有鲁棒性。该方法对于基于门的量子计算的大型自旋量子比特阵列中的初始化、状态分布和读出非常有用。它还为半导体量子点自旋量子比特中的通用绝热量子计算开辟了可能性。
碳纳米管中暗三重态激子的量子限制发生率 Palotás, J.; Negyedi，M.； Kollarics，S.；牛蒡，A.；罗林格，P.；皮克
摘要：单壁碳纳米管 (SWCNT) 的光物理因其在光收集和光电子学中的潜在应用而受到深入研究。SWCNT 的激发态形成强结合的电子-空穴对，激子，其中只有单重态激子参与应用相关的光学跃迁。长寿命的自旋三重态阻碍了应用，但它们成为量子信息存储的候选者。因此，非常需要了解三重态激子的能量结构，特别是 SWCNT 手性依赖的方式。我们使用专用光谱仪报告了对几种 SWCNT 手性的三重态复合发光（即磷光）的观察结果。这得出了单重态-三重态间隙与 SWCNT 直径的关系，并遵循基于量子约束效应的预测。在高微波功率（高达 10 W）辐射下的饱和度可以确定三重态的自旋弛豫时间。我们的研究敏感地区分了最低光学活性状态是从同一纳米管上的激发态填充的，还是通过来自相邻纳米管的福斯特激子能量转移填充的。关键词：碳纳米管、光学检测磁共振、弛豫时间、量子约束、分子标尺、福斯特激子转移 U
自旋三重态超导体候选材料 CeRh2As2 中的准二维反铁磁自旋涨落
四方重费米子超导体 CeRh2As2 (Tc=0.3K) 对 Bkc 表现出 14T 的极高临界场。它在超导态之间经历场驱动的一级相变，可能从自旋单重态转变为自旋三重态超导。为了进一步了解这些超导态和磁性的作用，我们利用中子散射探测 CeRh2As2 中的自旋涨落。我们发现动态 ðπ；πÞ 反铁磁 (AFM) 自旋关联具有各向异性的准二维关联体积。我们的数据将相应 N'eel 级的交错磁化强度的上限设置为 0.31μB，T=0.08K。密度泛函理论计算将 Ce4f 电子视为核心态，表明 AFM 波矢连接费米面的很大一部分区域。我们的研究结果表明当ℏω<1.2meV时CeRh2As2中的主要激发是磁性的，并且表明CeRh2As2中的超导性是由与近似量子临界点相关的AFM自旋波动介导的。
补充信息 将金刚石中的氮空位中心自旋与葡萄二聚体耦合
为了模拟 NV 自旋对 MW 场（特别是磁场分量）的响应，使用量子主方程方法推导出理论方程。在室温下，NV 自旋包含 NV − 的基态和激发自旋三重态、NV − 的两个中间态以及两个 NV 0 态。由于 1 A 1 的自旋寿命远小于 1 E 的寿命（参见正文），因此单重态实际上被假定为一个状态（1 E）。NV 0 态的包含解释了导致电荷状态切换的电离效应。在 NV 0 态下，它可以被光泵送回 NV − 的基态三重态。图 S.I.1 显示了由九个能级组成的 NV 能量图。如果忽略电离效应，在简并三重态的情况下，可以使用具有更少能级的更简单的模型。建模 ODMR 的基本状态是 NV − 的基态、中间态和激发态。但是，由于 NV 0 和 NV − 之间的跃迁速率
结合机器学习和量子化学计算进行热激活延迟荧光分子材料的高通量虚拟筛选：选择策略和结构突变的影响
以重过渡贵金属有机配合物（如Ir(III)的联吡啶配合物）为代表的磷光材料，直到第三代TADF材料（如有机给体-p桥-受体分子）。在电激发下，TADF材料（以非常低的第一激发单重态-三重态能隙（DE ST）为特征的化合物）被热激活，以诱导有效的逆系间窜越（rISC），其中三重态激子转化为单重态激子，从而主要从发射的单重态激发态发光。图1示意性地示出了TADF材料的电致发光过程。与贵金属有机配合物磷光材料相比，TADF材料具有材料空间更大、价格低廉、易于制备和合成、易于制作柔性屏幕以及蓝光发射更稳定的优势。因此，近十年来，作为现代OLED最有前途的电致发光材料，它们得到了实验2,5 - 9 、理论10 - 23 和理论-实验相结合15,24,25的深入研究。基本上，有两类TADF材料得到了认真探索4。第一类是纯有机D - A或D - p - A体系，其电子给体（D）或受体（A）主要由含氮芳香杂环构成。最低激发态通常具有显著的分子内电荷转移（CT）跃迁特性。经过合理的设计和优化，基于此类TADF材料的OLED器件的外量子效率（EQE）甚至可以高达30％。从结构特征上看，由于给体和受体部分之间有足够的空间位阻，最好的发光效率通常对应于扭曲的D – A（或D – p – A）化合物。另一类是电子排布为d 10 的过渡金属（Cu（I）、Ag（I）、Zn（II）等）配合物，它们的最低激发态通常具有明显的金属 – 配体电荷转移（MLCT）跃迁特征。饱和的d 10
二维 QCD 中的纠缠熵和流
我们讨论了在二维 (2D) 大 N c 规范理论中，在光前沿量化狄拉克夸克，快自由度和慢自由度之间的量子纠缠。利用 ' t Hooft 波函数，我们为动量分数 x 空间中的某个间隔构建了约化密度矩阵，并根据结构函数计算其冯诺依曼熵，该结构函数由介子（一般为强子）上的深非弹性散射测量。我们发现熵受面积定律的约束，具有对数发散，与介子的速度成正比。纠缠熵随速度的演化由累积单重态部分子分布函数 (PDF) 确定，并从上方以 Kolmogorov-Sinai 熵 1 为界。在低 x 时，纠缠表现出渐近展开，类似于 Regge 极限中的前向介子-介子散射振幅。部分子 x 中每单位快速度的纠缠熵的演化测量了介子单重态 PDF。沿单个介子 Regge 轨迹重合的纠缠熵呈弦状。我们认为，将其扩展到多介子状态可模拟大型 2D“原子核”上的深度非弹性散射。结果是纠缠熵随快速度的变化率很大，这与当前最大量子信息流的 Bekenstein-Bremermann 边界相匹配。这种机制可能是当前重离子对撞机中报告的大量熵沉积和快速热化的起源，并且可能扩展到未来的电子离子对撞机。
通过连续变量量子隐形传态实现单光子极化量子比特的波长转换
量子互联网连接远程量子处理器，这些处理器需要通过光子通道进行长距离交互和交换量子信号。然而，这些量子节点的工作波长范围并不适合长距离传输。因此，量子波长转换为电信波段对于基于光纤的长距离量子网络至关重要。在这里，我们提出了使用连续变量量子隐形传态的单光子偏振量子比特波长转换器，它可以有效地在近红外（适合与原子量子节点交互的 780/795 nm）和电信波长（适合长距离传输的 1300-1500 nm）之间转换量子比特。隐形传态使用纠缠光子场（即非简并双模压缩态），可以通过铷原子气体中的四波混合产生，使用原子跃迁的菱形配置。纠缠场可以以两个正交偏振态发射，相对相位锁定，特别适合与单光子偏振量子比特接口。我们的工作可能为实现长距离量子网络铺平道路。