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stmicroelectronics建立了世界上第一个“实验室fab” ...
production, and advance the adoption of piezoelectric (Piezo) MEMS in new applications like AR/VR, medical, and 3D printing First wafers expected in Q2 2021, with volume production forecast at the end of 2022 Singapore, October 28, 2020 – STMicroelectronics (NYSE: STM), a global semiconductor leader serving customers across the spectrum of electronics applications and一位是微电机电系统（MEMS）技术的世界领导者，宣布与新加坡研究所的A*Star的IME合作，以及日本领先的日本制造工具供应商Ulvac共同设置并运营8英寸（200mm）R＆D R＆D系列R＆D系列R＆D Line以ST ST中的Piezo Mems技术专注于ST中现有的Singapore in Singapore的Piezo Mems技术。这款“实验室中的R＆D R＆D系列”是世界上第一个此类R＆D系列，将三个合作伙伴与压电材料，Piezo Mems Technologies和Wefer-Fab工具的领先和互补能力汇集在一起，以增强创新并加速新材料，工艺技术，最终产品，以及最终的行业客户的开发。实验室中的实验室由St Ang Mo Kio校园内的一个新的洁净室区域组成，并将托管来自三方的工具和专用资源，其中包括MEMS研发以及过程科学家和工程师。IME在压电设备设计，过程集成和系统集成中的知识库和工业驱动器将为线路的开发增加价值。ime还将贡献最先进的工具，以帮助确保在同一位置的平稳产品流入生产。新的R＆D系列还将利用现有的ST资源，从同一校园的St Wefer Fabs的规模经济中受益。”预计“实验室中的实验室”设施已准备就绪，并在第二季度2021年使用第一晶片和2022年底的数量生产。“我们希望与IME和ULVAC建立世界领先的压电MEMS材料，技术和产品的研发中心，我们已经与之合作了很长时间。这个世界首先将在我们的新加坡网站上托管，这是ST的战略地点。“实验室中的实验室将为我们的客户提供更容易从可行性研究到产品开发和大容量制造的能力。
欧洲简历格式
ID N . 11300 – 个人研究工程师（意大利语：T ECNOLOGO）– 三级 2012 年 12 月/至今 国家研究委员会 (CNR) - 微电子与微系统研究所 (IMM)，Agrate Brianza Unit，Via Olivetti 2, 20864, Agrate Brianza (MB)，意大利 公共机构常设研究工程师（意大利语：Tecnologo）。技术领域：支持研究。主题：科学仪器和流程管理。 （Bando n. 364/114，Prot. AMMCNT CNR n.79896 28/12/2012；Prot. AMMCNT CNR n.8704 13/02/2013；Prot. IMM CNR n.769 31/01/2013）主要研究课题：I – 2D 材料（过渡金属二硫属化物，TMD）的各向异性工程：通过化学方法生长并主要通过 X 射线光电子能谱和拉曼光谱进行表征；目标应用在纳米电子学、光子学、光电子学、催化领域。 II – 通过 X 射线散射、X 射线光发射光谱和离子束技术（XRR、XRD、XPS、ToF-SIMS）对薄膜和多层膜的结构和化学物理特性进行表征，以便将其集成为双极 CMOS-DMOS（BCD）技术平台中的大电容器。III – （1）具有垂直磁各向异性的铁磁材料（PMA）和（2）非磁性材料，用于作为磁性结和自旋注入/过滤器中的隧道屏障；（3）稀磁氧化物（DMO）。研究结构和化学性质与磁性和磁输运性质之间的相关性。通过 X 射线散射（包括同步光）、X 射线光发射和离子束技术（XRR、XRD、XPS、ToF-SIMS、XRMS）对薄膜和多层膜的结构和化学物理进行表征，例如：（1）铁磁材料（Co、Fe、CoFe、CoFeB、Co/Ni）； (2) 非磁性材料（即 MgO、AlO x ）；(3) 稀磁氧化物（Fe、Ni 掺杂的 ZrO 2 ）。IV – 通过 X 射线散射、X 射线光发射和离子束技术（XRR、XRD、XPS、ToF-SIMS）研究高介电常数电介质或相变合金的 CMOS 兼容性在工艺集成中的热稳定性，以用于新兴的非挥发性存储器（TANOS、RRAM、PCM、MRAM）。V – 通过 X 射线散射（主要是 XRD）对先进 MEMS 设备中集成的压电材料进行表征。