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World File Search System厚度
电流板的厚度及其对冠状的影响
电流板的厚度极为重要，尤其是与快速磁重新连接的开始有关。发作确定在爆炸性释放之前，在磁场中可以积聚多少磁性自由能。这对太阳和整个宇宙的许多现象具有影响，包括加热太阳电晕。重大努力已致力于以下问题：现实几何形状中的平衡电流板是否具有有限的厚度或零厚度。使用简单的力量平衡分析，我们说明为什么没有导向场（2D）的电流表（2D）以及在导向场方向（2.5D）不变的导向场，如果它们具有有限的厚度和有限的长度，则不能保持平衡。然后，我们估计弯曲线绑定导向场的张力可以促进在所有维度有限的3D纸中均衡的条件。最后，我们认为，一些准静态的电流表面正在缓慢压力，例如，当冠状磁场经过光球边界驾驶时，可能会达到临界剪切，这时它们会失去平衡，自发崩溃并重新连接。临界剪切通常与太阳能活动区域的加热要求一致。引言许多爆炸现象发生在太阳上，在地球球内以及整个宇宙中都涉及缓慢的积聚和突然释放磁能。太阳示例包括耀斑（Kazachenko等人2022），冠状质量弹出（Chen 2011），喷气机（Raouafi等人2016）和将电晕加热到数百万度的温度（Klimchuk 2015）。在典型的情况下，在系统边界处的缓慢强迫会导致磁应力生长。电流纸变得更薄，直到最终达到临界厚度，因此快速磁重新连接并爆炸。在太阳上，边界强迫由光电流提供，该流量流动冠状磁场的脚步
退火温度对LA2TI2O7薄膜厚度和粗糙度的影响
在这项工作中，验证了底物退火温度对LA 2 Ti 2 O 7薄膜的厚度和粗糙度的影响。通过脉冲激光沉积技术（PLD）在各种退火温度下成功地在Si（100）底物上生长了一组LTO薄膜，每脉冲的脉冲和能量恒定。扫描电子显微镜（SEM）和原子力显微镜（AFM）用于研究沉积的La 2 Ti 2 O 7薄膜的厚度和粗糙度。由于线性退火温度的升高，薄膜的平均厚度降低。当LTO薄膜在500°C下沉积时，发现最大厚度（231 nm）。均方根粗糙度随着底物温度的升高而线性增加。在LTO以（500°C）沉积时，发现最小粗糙度（0.254 nm）。从获得的结果中，其清晰的证据表明退火温度对LTO薄膜的厚度和粗糙度有影响。关键字
涂层厚度对取向和热膨胀系数的影响
从 X 射线衍射实验中观察到，基材上固化的聚酰亚胺薄膜的取向使得酰亚胺链优先沿薄膜的平面方向排列。对于具有刚性棒状聚酰亚胺的薄膜，薄膜取向尤其突出，并且随着薄膜厚度的增加而显着降低。涂层厚度对聚酰亚胺薄膜取向和有序性的影响在纯均苯四甲酸二酐-对苯二胺 (PMDA-PDA) 薄膜中最为明显，在含有 50% 均苯四甲酸二酐-4,4'-二苯氧基二苯胺 (PMDA-ODA) 和 50% PMDA-PDA 的薄膜中略小，而在含有 100% PMDA-ODA 的薄膜中相对不明显。根据傅里叶变换红外衰减全反射光谱实验的C=O和C-N拉伸吸收带，位于薄膜中心附近的酰亚胺分子表现出比靠近表面的酰亚胺分子更差的结构有序性。这揭示了为什么随着薄膜厚度的增加，平均薄膜取向会降低，相应的热膨胀系数会增大。
跟踪面积、厚度和体积的变化... - TC
图 1：南极冰山跟踪数据库记录的 B30 冰山轨迹（Budge 和 Long，2018 年）：2012 年从思韦茨冰架崩解后，它跟随沿海洋流向西移动，2017 年开始向北漂移，最终于 2019 年解体。黑点标记了 CryoSat-2 飞越冰山的可用位置，圆圈表示本研究中使用的 MODIS 和 Sentinel 1 图像的位置 120
改进的南极洲冰床、表面和厚度数据集
P. Fretwell 1,* , H. D. Pritchard 1,* , D. G. Vaughan 1 , J. L. Bamber 2 , NE Barrand 1 , R. Bell 3 , C. Bianchi 4 , R. G. Bingham 5 , D. D. Blankenship 6 , G. Casassa 7 ，G.卡塔尼亚 6 ， https://doi.org/10.1103/PhysRevLett.199.1121，Google Scholar Crossref，CAS 11。D. Callens 8，H. Conway 9，A. J. Cook 10，H. F. J. Corr 1，D. Damascus 11，V. Damm 11，F Ferraccioli 1、R. Forsberg 12、S. Fujita 13、P. Gogineni 14、J. Chem。A. Griggs 2 , R. C. A. Hindmarsh 1 , P. Holmlund 15 , J. W. Holt 6 , R. W. Jacobel 16 , A. Jenkins 1 , W. Jokat 17 , T. Jordan 1 , E. C. King 1 , J. Kohler 18 , W克拉比尔 19 岁，理学硕士Riger-Kusk 20、K.A. Langley 21、G. Leitchenkov 22、C. Leuschen 14、B.P. Luyendyk 23、K. Matsuoka 24、Y. Nogi 25、O.A. Nost 24 , S. V. Popov 26 , E. Rignot 27 , D. M. Rippin 28 , A. Riviera 7 , J. Roberts 29 , N. Ross 30 , M. J. Siegert 2 , A. M. Smith 1 , D. Steinhage Studinger 31 , B.周日 32 、BK Tinto 3 、BC 韦尔奇 17 、DA[div] Young 6 、C.Xiangbin 32 和 A.Zirizzotti 33
LA0中的厚度和温度依赖性阻尼。 ...
研究了LA 0.67 SR 0.33 MNO 3（LSMO）外延膜随着不同温度下厚度的函数的阻尼。具有完全不同的厚度和温度依赖性的两种散射类型之间的竞争导致了复杂的阻尼行为。LSMO膜中的the the行为与磁性金属膜中的行为一致。但是，由于𝜌喜欢阻尼对费米表面附近的细电子结构敏感，所以由膜厚度控制的氧气八面体的变形是控制阻尼的重要因素。我们的研究表明，LSMO外延膜中阻尼的复杂性是强相关效应的结果，这是复杂过渡金属氧化物的特征。
厚度和掺杂浓度对太阳效率的影响
of GaN/p-Si based solar cells N. S. Khairuddin a , M. Z. Mohd Yusoff a,* , H. Hussin b a School of Physics and Material Studies, Faculty of Applied Sciences, Universiti Teknologi MARA, 40450 Shah Alam, Selangor, Malaysia b School of Electrical Engineering, College of Engineering, Universiti Teknologi MARA, 40450 Shah阿拉姆（Alam），马来西亚雪兰莪（Selangor），在这项研究中，我们使用PC1D模拟器来证明基于硝酸盐（GAN）的太阳能电池模型的性能分析。已经发现，当GAN底物的层厚度生长时，太阳能电池的效率会降低。这是通过比较GAN和硅底物上的掺杂浓度和层厚度来发现的。随着P掺杂SI层的厚度升高，细胞效率恰好增加。GAN和P -Silicon的最佳掺杂浓度分别为1x10 18 cm -3和1x10 17 cm -3。与其他设计相比，GAN/P-Silicon太阳能电池的效率最高25.26％。（2023年6月21日收到； 2023年9月1日接受）关键字：太阳能电池，甘恩，氮化碳，硅，硅，pc1d1。简介硝酸盐（GAN）设备自然会获得市场份额。gan收入将以75％的累积年增长率扩大。电力电子专家目前面临与电路设计技术，被动组件选择，热管理和实验测试有关的问题，这是由于其高开关速度和操作开关频率[2]。gan合金具有可调的直接间隙，这就是光伏使用它们的原因。用于光电和微电子学中的应用，III-V硝酸盐（如氮化岩（GAN），氮化铝（ALN）和硝酸铝（Innride）及其合金及其合金都特别吸引人。他们的带盖是最初[3]最诱人的地方之一。si还旨在在低温血浆增强化学蒸气沉积（PECVD）方法中作为N型掺杂剂掺入，因为它是高温GAN中的众所周知的供体掺杂剂[4]。由于其直接带隙（例如〜3.4 eV），整个可见光谱中的透射率超过82％，高电子迁移率（〜1,000 cm2/vs）[5] [5]，高导热率和出色的化学稳定性和出色的化学稳定性[6]，氮化物（GAN）具有出色的光学和电气性能。Ingan材料系统的带隙现在跨越了红外线到紫外线。INGAN材料系统对于光伏应用是有利的，因为它可用于制造第三代设备，例如中型太阳能电池，除了高效的多官方太阳能电池外，由于其直接和宽的带隙范围[7]。氮化物具有有利的光伏特性，例如低有效的载体，高迁移率，高峰值和饱和速度，高吸收系数和辐射耐受性，除了宽带间隙范围[8]。IIII-V硝酸盐技术能够生长高质量的晶体结构并创建光电设备的能力证实了其高效光伏的潜力[9]。上述情况使我们能够控制费米水平显然随着gan厚度的上升而向上移动，并减少传导带最小值（CBM）值和价值最大（VBM）值[10]。压缩应力的松弛和较厚的GAN层的载体浓度增加是依赖厚度依赖性带结构的初步解释[11]。
厚度依赖性的seebeck系数在混合2- ...
摘要 - 单个分子中的Seebeck系数取决于费米水平的电荷载体的传输概率的斜率，这可能会导致高塞贝克系数。但是，由于单分子只能为热电应用产生有限的功率。因此，必须开发较大规模的系统，以便为实际应用提供足够的功率。在这项工作中，我们检查了维数对分子/Au纳米颗粒2D阵列的塞贝克系数的影响，该阵列在网络系统内具有大量分子连接。此方法随着系统尺寸尺度而增加组件之间的复杂性和相互作用。在这项工作中，我们观察到，与具有相同分子接头的单层结构相比，2D混合阵列的多层结构可提供更高的seebeck系数。尤其是，含油胺（OAM）和硫醇的蒽醌衍生物（5AQ5）用作结构中金纳米颗粒之间的分子交流器。实验结果表明，OAM/AU 2D阵列的四层结构可在单层结构（s = 3.36 µV/K）的Seebeck系数（s = 38.21 µV/K）方面提高约11倍，这在电导率的改善中可以提高6335次的电力系数。另一组结果表明，基于蒽醌的依子基桥（5AQ5）/AU 2D阵列的三层结构可在Seebeck系数（S = -3254 µV/K）上提高约26倍（S = -3254 µV/K），而单层结构（S = -127 µV/K）和A 177 Quelt time and 177 Quilties and 177。这些发现表明，可以通过控制层数来改善工程纳米结构的热电性能。
薄膜系统的厚度相关拉曼散射
摘要：由于薄膜内激发光和拉曼散射光的干扰，薄膜多层膜的拉曼信号强度随薄膜层厚度非单调变化。这一现象不仅可用于增强拉曼信号，还可用于研究薄膜厚度和光学特性。本文，我们对几种薄膜材料系统的拉曼信号厚度依赖性进行了实验研究，包括蓝宝石上硅 (SOS) 和 SOS 上的氮化硅薄膜，以及在硅基板上制备的多层 MoS 2。将适当缩放的测得强度与从传输矩阵法开发的分析模型进行比较。当激光光斑尺寸足够大于薄膜厚度时，SOS 薄膜具有很好的拟合效果。对于多层 MoS 2，发现来自底层 Si 基板的拉曼信号强度具有极好的拟合效果，而 MoS 2 特征拉曼位移的强度受激光参数和样品方向的影响。这些结果对薄膜计量和光学特性表征具有重要意义。