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World File Search System去角质
液体基准的机械能源诱导的二氧化碳转换
我们报告了一种绿色碳捕获和转换技术，可为CO 2排放提供可扩展性和经济可行性。该技术利用镀至液体金属的悬浮液将CO 2降低到碳质固体产品中，在近室温下将O 2减少到O 2中。液体镀和式易碎的性质允许固体产物即时去角质，从而使主动位点可访问。银色棒的固体共同构件可确保循环可持续过程。总体过程依赖于机械能作为输入，从而驱动了纳米尺寸的落下底润纤维化学反应。使用以7：1的质量比以7：1的质量比例来创建反应材料时，在230 kW h的低输入能量下获得了92％的效率，以捕获和转化一吨CO 2。这项绿色技术为CO 2排放提供了一种经济的解决方案。
金纳米风险的扭曲外观二硫化钼层之间生长的金纳米虫
我们将外延的概念扩展到了“扭曲外观”的制度，并在两个受相对方向影响的两个底物之间的表层晶体取向。，我们在两个去角质的六角钼二硫化物（MOS 2）的两个底物之间退火纳米厚的金（AU）纳米颗粒，其基础平面的不同方向具有相互扭曲的角度，范围为0°至60°。透射电子显微镜研究表明，当双层的扭曲角度很小（<〜7°）时，AU在顶部和底部MOS 2之间对齐。对于较大的扭曲角，Au只有一个小的不良对象，而底部MOS 2则与双层MOS 2的扭曲角差异大致变化。四维扫描透射电子显微镜分析进一步揭示了与扭曲的外交相关的au纳米虫的周期性应变变化（<|±0.5％|），与两个MOS 2扭曲层的Moiré注册表一致。e
石墨的溶解度及其溶解的功效...
电池，电容器和传感器（2）。石墨烯非常坚固，灵活且轻巧，因此为研究人员而设计的有效生产方法至关重要（3）。一种这样的方法称为基于溶剂的去角质。此过程需要使用溶剂（通常是有机的）与侵略性超声处理，以从散装石墨中剪掉石墨烯薄片（4）。该实验的目的是利用基于溶剂的去角质方法来生成石墨烯层，而是确定使用石墨粉（一种相对常见物质）的功效来创建导电涂层或糊状。具有这些导电性能的糊状物可能具有许多可能的应用，从基础架构中的导电混凝土或用作3D打印和设计中的材料。在此调查的情况下，使用处理后的石墨解决方案是为了使可自定义的电路板不使用诸如酸蚀刻之类的技术 - 这种情况不仅具有现实世界的用途，而且可以通过构造简单的原型来进行测试。将“溶解”一词应用于石墨烯或石墨有些困难，因为它是共价网络。试图在水中释放单个碳原子以形成糊状物将非常困难，即使不是不可能，因为共价碳键非常牢固，并且水中的极性不足以将其分开并增加溶质的表面积（5）。相反，石墨层被去除，以通过溶剂将其散布的目的，因此在这种情况下溶解将包括破坏层之间的分子间力（6）。具体而言，我们以超声化和不同的有机溶剂形式探讨了物理搅拌对石墨溶解度及其电导率的影响。我们假设使用这些技术将石墨分散到溶液中会增加石墨的溶解度和溶液的总体电导率。我们根据以下预测得出了这个结论：超声处理会干扰层之间的某些π-π堆积相互作用，增加了溶液的表面积和电导率（也许也可以释放一些电子以通过结构运动）。我们还认为，有机溶剂将允许比水更好地分散石墨层，因为石墨的疏水性不会阻止溶剂 - 溶质相互作用（并且可能防止形成任何形式的疏水性clathrate结构）。由于其极性的性质极高，溶剂之类的水可能很容易鼓励重新融合。我们得出的结论是，将丙酮用作溶剂与超声处理是创建石墨糊的最成功的方法。创建的糊
陶瓷国际
在这项工作中，基于石墨烯的纳米结构（GBN）的纵横比的影响以及含量对3 mol％Yttria tetragonia Zirconia polycrystalline 3y-TZP基质复合材料的机械性能的影响。研究了分散法和烧结参数对复合材料的弯曲强度和弹性模量的影响，并将断裂表面表征以确定发生的断裂机制。结果表明，少量的去角质石墨烯纳米片，横向尺寸降低，较少的层石墨烯，最高为1.0和2.5 vol％，略微增加了3y-tzp的弯曲强度。这归因于裂纹传播途径和加强机制的曲折性。较高的含量会导致弯曲强度和刚度的降低，这可以促进裂纹传播。在具有非剥落石墨烯纳米片的复合材料中，GBN的拉出更为显着，在该复合材料中，未测量弯曲或双轴强度的增加。
主题：分析人类DNA作为结直肠癌筛查技术
几种遗传改变与结直肠癌（CRC）有关。在拟议的癌变多步型模型中，肿瘤抑制基因p53和原始癌基因KRAS最常改变。的腺瘤性息肉病中的变体和表观遗传标记（例如，特定基因的高甲基化）。CRC还与Lynch综合征（以前称为遗传性非型CRC）和偶发性结肠癌患者亚组的lynch综合征患者（称为微卫星不稳定性）中的DNA复制误差（称为微卫星不稳定性）有关。在粪便标本中的去角质肠细胞中可以检测到与肿瘤相关的基因变异和表观遗传标记。由于癌细胞被脱落成粪便，因此已经开发了测试来检测从粪便样品中分离出的CRC细胞中DNA中的这些遗传改变。
血浆诱导的六角硼硝化硼的光活性缺陷
六角硼硝酸盐（HBN）在过去十年中一直是众多研究工作的主题。是在HBN中产生光学活性缺陷，因为它们易于整合，例如在范德华（Van der Waals）异质结构及其室温光子发射。在HBN中创建此类缺陷的许多方法仍在研究中。在这项工作中，我们介绍了使用具有不同等离子体物种的远程等离子体在HBN中创建单个缺陷发射器的方法，并从统计上报告了结果。我们使用了氩气，氮和氧等离子体，并报告了由不同气体物种及其光学特性产生的发射器的统计数据。特别是，我们检查了血浆过程前后的去角质片的发射，而无需退火步骤，以避免产生不受血浆暴露引起的发射器。我们的发现表明，纯物理氩等离子体治疗是通过血浆暴露在HBN中创建光学活性缺陷发射器的最有希望的途径。
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通过TAUC图获得的样品的带隙能量值为4.38 eV，具有半导体特性。1。简介石墨烯是一种令人兴奋的材料，具有不常见的两维骨骼，其SP2-杂交碳原子的单个单分子层的六边形结构[1，2]。石墨烯由于其独特的特性[3]（例如优秀的电子[4，5，6]，热力学和机械性能[7，8]，因此引起了许多科学和技术领域的浓厚兴趣。石墨烯具有广泛的应用，例如透明导电？lms，？ELD效应晶体管（FET），水puri？阳离子，储能设备和传感器由于其出色的物理和化学特性而引起的[9、10、11、12、13]。？首先制造单层石墨烯纳米片是通过一种称为Scotch-tape方法的剥落技术[14]和外在化学蒸气沉积。但是，这些方法的缺点是它们不适用于工业生产中的植物制造[15]。使用机械去角质方法合成graphene纳米片，不适用于大规模生产。因此，从结构上与石墨烯结构相似的材料的大规模合成方法的发展吸引了越来越多的研究注意力[16]。GO是一种碳材料，显示出类似于石墨烯的化学，光学和电性能，因为它基于晶烯框架[18]。在1958年，Hummers和Offerman开发了一种合成GO的方法[23]。大规模的石墨去角质的最普遍，最有趣的方法之一是在化学反应中使用活性氧化剂来产生氧化石墨烯（GO），这是具有非导导性亲水性特性的碳材料[17]。然而，GO与石墨烯有所不同，因为牛基官能团（例如环氧基和氧基团）位于GO的基础平面上，少量的羧基和羧基存在于其薄片边缘[19，20，21]。go可以通过几种方法合成[22]； 1859年报道的Brodie方法是？r的第一个方法，其中烟雾3和kClo 3分别用作互嵌剂和氧化剂[1]。此方法使用h 2 so 4用纳米3和kmno 4作为石墨的氧化剂去除角质石墨。与Brodie和Staudenmaier的方法相比，Hummers方法具有一些优势。首先，kmno4作为强氧化剂有助于
原子高品质的货车德巴尔材料生产技术具有刺激性的地板数量
[1] Akinwande，Deji等。“石墨烯和硅技术的二维材料”。自然573，507-518（2019）[2] Novoselov，Kostya S.等。“原子薄膜中的电场效应”。Science 306，666-669（2004）[3] Pham，Phuong V.等。 “无处不在电子和光电学的2D异质结构：原理，机遇和挑战。” 化学评论。 122，6514-6613（2022）[4] Liang，Shi-Jun等。 “用于高性能设备应用程序的范德华异质结构：挑战和机遇。” 高级材料32，27（2020）[5] Kwon，Oh Seok等。 “使用天然受体进行纳米材料传感器”。 化学评论119，36-93（2018）[6] Li，Xuesong等。 “铜箔上高品质和均匀石墨烯膜的大面积合成。” Science 324，1312-1314（2009）[7] Lee，Jae-Hyun等。 “单晶单层石墨烯在可重复使用的氢末端锗上的晶圆尺度生长。” Science 344，286-289（2014）[8] Moon，Ji-Yun等。 “石墨烯的层工程大区块去角质。” 科学进步6，4（2020）[9] Moon，Ji-Yun等。 “层工程的原子尺度散布2D范德华晶体。” 物质5，3935-3946（2022）[10] Moon，Ji-Yun等。 “通过原子剥落制备层工程范德华材料的方案。” 星形方案4，2（2023）[11] Kim，Sein等。 “非金属介导的大面积单层过渡金属二北核化物的原子剥落”。Science 306，666-669（2004）[3] Pham，Phuong V.等。“无处不在电子和光电学的2D异质结构：原理，机遇和挑战。”化学评论。122，6514-6613（2022）[4] Liang，Shi-Jun等。“用于高性能设备应用程序的范德华异质结构：挑战和机遇。”高级材料32，27（2020）[5] Kwon，Oh Seok等。“使用天然受体进行纳米材料传感器”。化学评论119，36-93（2018）[6] Li，Xuesong等。“铜箔上高品质和均匀石墨烯膜的大面积合成。”Science 324，1312-1314（2009）[7] Lee，Jae-Hyun等。 “单晶单层石墨烯在可重复使用的氢末端锗上的晶圆尺度生长。” Science 344，286-289（2014）[8] Moon，Ji-Yun等。 “石墨烯的层工程大区块去角质。” 科学进步6，4（2020）[9] Moon，Ji-Yun等。 “层工程的原子尺度散布2D范德华晶体。” 物质5，3935-3946（2022）[10] Moon，Ji-Yun等。 “通过原子剥落制备层工程范德华材料的方案。” 星形方案4，2（2023）[11] Kim，Sein等。 “非金属介导的大面积单层过渡金属二北核化物的原子剥落”。Science 324，1312-1314（2009）[7] Lee，Jae-Hyun等。“单晶单层石墨烯在可重复使用的氢末端锗上的晶圆尺度生长。”Science 344，286-289（2014）[8] Moon，Ji-Yun等。 “石墨烯的层工程大区块去角质。” 科学进步6，4（2020）[9] Moon，Ji-Yun等。 “层工程的原子尺度散布2D范德华晶体。” 物质5，3935-3946（2022）[10] Moon，Ji-Yun等。 “通过原子剥落制备层工程范德华材料的方案。” 星形方案4，2（2023）[11] Kim，Sein等。 “非金属介导的大面积单层过渡金属二北核化物的原子剥落”。Science 344，286-289（2014）[8] Moon，Ji-Yun等。“石墨烯的层工程大区块去角质。”科学进步6，4（2020）[9] Moon，Ji-Yun等。“层工程的原子尺度散布2D范德华晶体。”物质5，3935-3946（2022）[10] Moon，Ji-Yun等。“通过原子剥落制备层工程范德华材料的方案。”星形方案4，2（2023）[11] Kim，Sein等。“非金属介导的大面积单层过渡金属二北核化物的原子剥落”。小科学3，9（2023）[12] Shim，Jaewoo等。“用于原子精度处理晶片尺度二维材料的控制裂纹繁殖。”Science 362，665-670（2018）[13] Lee，Yong Hwan等。“通过受控的剥落者的si-50μm-thick-thick-thick-thick-thick-thick-thick-thick si wafers的原子层 - 沉积（ALD）AL2O3-papsivected（ALD）。电子材料信件14，363-369（2018）[14] J.和Hutchison和T. Wu。 “应用机制的进步。 卷。 27。 学术出版社，1990年。 [15] Bedell，Stephen W.等。 “通过受控的剥落来转移层。” 物理学杂志D：应用物理学46，15（2013）[16] Li，Ning等。 “通过3D剥落启用的单晶柔性电子设备。” 高级材料29，18（2017）和Hutchison和T. Wu。“应用机制的进步。卷。27。学术出版社，1990年。[15] Bedell，Stephen W.等。“通过受控的剥落来转移层。”物理学杂志D：应用物理学46，15（2013）[16] Li，Ning等。“通过3D剥落启用的单晶柔性电子设备。”高级材料29，18（2017）
对固态电池和电极材料中化学机械耦合的实验研究
摘要：由于电动汽车的迅速开发和广泛使用，人们对电池的安全性和效率提高了越来越多的关注。固态电池具有良好安全性，高能量密度和强大的周期性能的优势，并被认为是下一代电池。然而，由于循环过程中电极材料的体积变化，固态电池会产生巨大的应力变化，从而导致活性材料的粉碎和去角质，固体电解质界面的断裂以及固体电解质中内部裂缝的发展。因此，电池的周期性能会降解，甚至可能发生短路。因此，研究循环过程中固态电池或电极材料的应力变化很重要。本评论介绍了应用于固态电池和实验设置的化学机械特性技术的当前概述。此外，还总结了通过更改电极材料的组成或结构来改善机械性能的一些方法。本评论旨在强调固态电池内产生的应力的影响，并总结用于研究固态电池应力的一部分研究方法，这有助于提高固态电池的设计水平，从而提高电池性能和安全性。
课程 - 阿米尔伊斯兰教
|手机：+917978186746 | * islam@tih.iitg.ac.in |职业摘要：具有8年以上实验室和行业研究经验的材料研究人员（石墨，石墨烯，MOS 2等）材料及其在各种应用中的应用，例如过滤，超级电容器，矩阵材料中的加固等在创建工作声明，工厂设置开发，竞争性招标和谈判方面的广泛专业知识。我热衷于为工业和社会的新技术的发展做出贡献。教育：2017-2023博士学博士学位，印度理工学院（IIT）Patna，冶金和材料工程。专业：热喷涂，复合涂料，超出了传统涂料。论文：超越传统涂料：等离子体喷雾去角质石墨烯增强了陶瓷膜。CGPA = 8.4/10。2013 - 2015年纳米科学技术的M.Tech，印度本迪切里大学，论文：通过电子束蒸发的锰掺杂氧化锆薄膜的制造，CGPA = 8.2/10。2008-2012电子和通信工程学院，东北山大学 - 印度，CGPA = 7.2/10。研究经验：