[1] Akinwande，Deji等。“石墨烯和硅技术的二维材料”。自然573，507-518（2019）[2] Novoselov，Kostya S.等。“原子薄膜中的电场效应”。Science 306，666-669（2004）[3] Pham，Phuong V.等。 “无处不在电子和光电学的2D异质结构：原理，机遇和挑战。” 化学评论。 122，6514-6613（2022）[4] Liang，Shi-Jun等。 “用于高性能设备应用程序的范德华异质结构：挑战和机遇。” 高级材料32，27（2020）[5] Kwon，Oh Seok等。 “使用天然受体进行纳米材料传感器”。 化学评论119，36-93（2018）[6] Li，Xuesong等。 “铜箔上高品质和均匀石墨烯膜的大面积合成。” Science 324，1312-1314（2009）[7] Lee，Jae-Hyun等。 “单晶单层石墨烯在可重复使用的氢末端锗上的晶圆尺度生长。” Science 344，286-289（2014）[8] Moon，Ji-Yun等。 “石墨烯的层工程大区块去角质。” 科学进步6，4（2020）[9] Moon，Ji-Yun等。 “层工程的原子尺度散布2D范德华晶体。” 物质5，3935-3946（2022）[10] Moon，Ji-Yun等。 “通过原子剥落制备层工程范德华材料的方案。” 星形方案4，2（2023）[11] Kim，Sein等。 “非金属介导的大面积单层过渡金属二北核化物的原子剥落”。Science 306，666-669（2004）[3] Pham，Phuong V.等。“无处不在电子和光电学的2D异质结构：原理，机遇和挑战。”化学评论。122，6514-6613（2022）[4] Liang，Shi-Jun等。“用于高性能设备应用程序的范德华异质结构：挑战和机遇。”高级材料32，27（2020）[5] Kwon，Oh Seok等。“使用天然受体进行纳米材料传感器”。化学评论119，36-93（2018）[6] Li，Xuesong等。“铜箔上高品质和均匀石墨烯膜的大面积合成。”Science 324，1312-1314（2009）[7] Lee，Jae-Hyun等。 “单晶单层石墨烯在可重复使用的氢末端锗上的晶圆尺度生长。” Science 344，286-289（2014）[8] Moon，Ji-Yun等。 “石墨烯的层工程大区块去角质。” 科学进步6，4（2020）[9] Moon，Ji-Yun等。 “层工程的原子尺度散布2D范德华晶体。” 物质5，3935-3946（2022）[10] Moon，Ji-Yun等。 “通过原子剥落制备层工程范德华材料的方案。” 星形方案4，2（2023）[11] Kim，Sein等。 “非金属介导的大面积单层过渡金属二北核化物的原子剥落”。Science 324，1312-1314（2009）[7] Lee，Jae-Hyun等。“单晶单层石墨烯在可重复使用的氢末端锗上的晶圆尺度生长。”Science 344，286-289（2014）[8] Moon，Ji-Yun等。 “石墨烯的层工程大区块去角质。” 科学进步6，4（2020）[9] Moon，Ji-Yun等。 “层工程的原子尺度散布2D范德华晶体。” 物质5，3935-3946（2022）[10] Moon，Ji-Yun等。 “通过原子剥落制备层工程范德华材料的方案。” 星形方案4，2（2023）[11] Kim，Sein等。 “非金属介导的大面积单层过渡金属二北核化物的原子剥落”。Science 344，286-289（2014）[8] Moon，Ji-Yun等。“石墨烯的层工程大区块去角质。”科学进步6，4（2020）[9] Moon，Ji-Yun等。“层工程的原子尺度散布2D范德华晶体。”物质5，3935-3946（2022）[10] Moon，Ji-Yun等。“通过原子剥落制备层工程范德华材料的方案。”星形方案4，2（2023）[11] Kim，Sein等。“非金属介导的大面积单层过渡金属二北核化物的原子剥落”。小科学3，9（2023）[12] Shim，Jaewoo等。“用于原子精度处理晶片尺度二维材料的控制裂纹繁殖。”Science 362，665-670（2018）[13] Lee，Yong Hwan等。“通过受控的剥落者的si-50μm-thick-thick-thick-thick-thick-thick-thick-thick si wafers的原子层 - 沉积（ALD）AL2O3-papsivected（ALD）。电子材料信件14，363-369（2018）[14] J.和Hutchison和T. Wu。 “应用机制的进步。 卷。 27。 学术出版社，1990年。 [15] Bedell，Stephen W.等。 “通过受控的剥落来转移层。” 物理学杂志D：应用物理学46，15（2013）[16] Li，Ning等。 “通过3D剥落启用的单晶柔性电子设备。” 高级材料29，18（2017）和Hutchison和T. Wu。“应用机制的进步。卷。27。学术出版社，1990年。[15] Bedell，Stephen W.等。“通过受控的剥落来转移层。”物理学杂志D：应用物理学46，15（2013）[16] Li，Ning等。“通过3D剥落启用的单晶柔性电子设备。”高级材料29，18（2017）