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World File Search System反向恢复
调查SIC MOSFET身体二极管反向恢复和快速恢复条件
益生菌近年来由于其潜在的健康益处及其在促进平衡的肠道微生物组中的作用而引起了显着关注。该主题旨在研究益生菌的应用及其对人类健康的广泛影响。20世纪见证了益生菌研究的重大转变，从科学家Elie Metchnikoff的开创性工作开始。他假设在发酵乳制品中通常发现的乳酸细菌的消耗可以通过调节肠道菌群来赋予健康受益。他的开创性思想为进一步的科学询问铺平了道路。最近，已经开发了创新方法来发现可能对人类和牲畜动物都有利益的菌株[1-3]。可以使用表型测试来评估被视为益生菌的菌株的必要特征，例如对胆汁盐的抗性，对氧化应激的细胞保护作用以及对病原体的抑制[4-7]。此外，似乎人工智能算法可以通过确定tRNA序列中的信息含量作为益生菌表征的关键基因组特征来识别新益生菌，并将其与人类肠道中的病原体区分开来[8]。此外，事实证明，转录组分析对于评估某些益生菌菌株（如rhamnosus rhamnosus scb0119）所表现出的潜在抗菌机制非常有价值[9]。益生菌最吸引人的方面之一是它们调节象征系统的潜力。cremoris和L. paracasei subsp。研究表明，某些益生菌菌株可以增强先天和适应性免疫反应。这种调节可能对从过敏到自身免疫性疾病的状况具有深远的影响，为治疗干预提供了有前途的途径。例如，用L. reuteri治疗可以调节肠道微生物组成并增强色氨酸代谢，从而导致芳基烃受体配体的产生，包括吲哚乳酸和吲哚 - 丙酸。这些配体激活AHR信号，有效地降低了异常的Th2型反应，并被证明是减轻特应性皮炎的有效替代方法[10]。此外，乳腺乳酸亚生成菌的热杀死混合物的给药。paracasei证明了免疫T细胞平衡的调节和带有家用尘螨提取物引起的特应性皮炎的小鼠的IgE产生的抑制，从而减少了相关症状[11]。几项研究表明，不仅细菌细胞本身，而且它们的上清液产物，还通过刺激巨噬细胞中的吞噬细胞来诱导免疫调节活性，从而增强免疫调节剂的表达，例如NO，TNF-Alpha，TNF-Alpha，IL-6，Inos和Cox-2 [12] [12]。此外，已经证明某些益生菌菌株能够在粘膜部位施加其免疫调节特性，包括生命和灭活时。例如，看来MBF蛋白与这些菌株诱导的免疫生物效应并不涉及，从而提供了相等的保护侵害症状[13]。益生菌在管理各种胃肠道疾病方面表现出了巨大的希望。诸如肠易激综合征，炎症性肠病等疾病，
APT2x61DQ60J、APT2X60DQ60J FRED DQ 600 V...
-di F /dt，电流变化率 (A/µ s) -di F /dt，电流变化率 (A/µ s) 图 4. 反向恢复电荷与电流变化率 图 5. 反向恢复电流与电流变化率
4H-SiC 合并 PIN 肖特基二极管，带浮动背对...
4H-SiC功率器件具有独特的高压、高频、高温特性，有着巨大的应用潜力。[1 – 3 ] 4H-SiC肖特基势垒二极管（SBD）由于其单极导电模式，广泛应用于高频领域。然而，较大的漏电流限制了它的击穿性能和高压应用。[4 – 6 ] 4H-SiC P–I–N二极管由于其双极导电模式，广泛应用于大功率场合。[7 – 9 ] 然而，较差的反向恢复特性限制了它在高频领域的应用。4H-SiC合并P–I–N肖特基（MPS）二极管是一种很有前途的器件，它将肖特基和PN结集成在一个芯片上，实现了优异的击穿性能和快速的反向恢复特性。[10 – 14 ]
戒烟对糖尿病的影响 - ...
摘要：本文研究了SIC MOSFETS身体二极管反向恢复的行为，这是不同工作条件的函数。对其效果的了解对于基于SIC设备的正确设计和驱动电源转换器至关重要，以优化旨在提高效率的MOSFET通勤。的确，反向恢复是切换瞬态的一部分，但由于其对恢复能量和电荷的影响，它具有重要作用。已正确选择了不同操作条件的集合，以防止或强迫测试设备的快速恢复。实验结果和特定的软件模拟揭示了文献中未知的现象。更具体地说，对反向恢复电荷Q RR的分析显示，在高温下，两种意外现象：随着栅极电压的增加，它会降低；设备阈值越高，Q RR越高。TCAD-SILVACO（ATLASv。5.29.0.c）模拟表明，这是由于换向过程中输出电容电压变化而导致漂移区域流动的位移电流引起的。从对快速恢复的分析中，它已经出现了最小的正向电流斜率，即使在高电流水平上，反向恢复也不是活跃的。达到此电流斜率后，Q RR仅随正流电流而变化。
GaN功率器件及应用可靠性
• 每个设备都有需要理解和设计的故障机制 • 高电场导致时间相关击穿 (TDB) • 高电场和热载流子导致电荷捕获 • 切换会导致反向恢复、高压摆率和热载流子磨损带来的应力 • 已知的 GaN 故障模式是切换时间尺度上的 Rds-on 增加。这种动态 Rds-on 增加是由于电荷捕获造成的。 • 可靠性工程包括使 FET 能够可靠地承受应用中的应力
80 V -200 V 和 700 V 的 BCD 技术
+ 通过埋入绝缘层实现垂直隔离 相邻器件之间的干扰极低 速度快（适用于二极管和 LIGBT 等双极器件） 面积消耗小 二极管反向恢复速度快 灵活集成各种高压器件（LIGBT、二极管、晶闸管、高压 BJT）。 允许在 IC 中集成多个 HV 开关。 受高压侧或波纹管手柄晶圆操作的影响较小 无闩锁 基板和 BOX 可以形成背场板，从而显着降低 Ron。
TDG650E602TSP 空间 GaN E-mode 晶体管
• 一类/一级生产筛选 • 提供批次验收测试选项 • 650 V 增强型功率晶体管 • 顶部冷却、低电感 GaNPX ® 封装 • RDS(on) = 25 mΩ • IDS(max) = 60 A • 超低 FOM • 简单的栅极驱动要求（0 V 至 6 V） • 瞬态耐受栅极驱动（-20 V/+10 V） • 非常高的开关频率（> 10 MHz） • 快速且可控的下降和上升时间 • 反向传导能力 • 零反向恢复损耗 • 小型 9 x 7.6 mm 2 PCB 占用空间 • 双栅极焊盘可实现最佳电路板布局
基于 GaN 晶体管的 LLC 转换器变压器的特性和 SPICE 建模
谐振转换器是电动汽车车载充电器和储能应用的理想选择。它能够有效控制能源、电池或高功率负载之间的功率流动。简单的 LLC 转换器可以扩展为双向 CLLLC 转换器，从而实现智能功率控制并提高器件效率 [1]。为了减少开关损耗并减小尺寸，必须使用高频开关器件，例如 GaN 晶体管。与硅或碳化硅等效晶体管相比，GaN 晶体管的 R DS(ON) 参数较低，因此传导损耗较小 [2]。零反向恢复、快速开关速度和较低的死区时间使 GaN 晶体管成为转换设计的理想选择 [3]。此类转换器的设计在 [4、5] 中进行了描述。除了由晶体管制成的 H 桥开关外，变压器对功能和功率效率也具有至关重要的影响。设计中必须考虑变压器的实际参数 - 即自谐振频率，因为它会影响转换器的最大工作频率 [6]。本文介绍了
插电式电动汽车二级车载充电器设计...
摘要——本文介绍了采用先进功率转换技术的电动汽车 (EV) 车载充电器的设计和分析。所提出的系统具有使用图腾柱功率因数校正 (PFC) 转换器的 AC-DC 转换级和使用 LLC 谐振转换器的 DC-DC 转换级，并使用自适应神经模糊推理系统 (ANFIS) 控制器进行优化。所提出的 OBC 系统旨在提高 EV 充电系统的效率、功率密度和可靠性。图腾柱 AC-DC 转换器用于以最小的开关损耗整流交流输入，利用其固有的连续导通模式 (CCM) 运行能力并减少二极管中的反向恢复问题。整流后，LLC 谐振 DC-DC 转换器有效地将直流电压升压到适当的电池充电水平，提供零电压开关 (ZVS) 和零电流开关 (ZCS) 以提高整体效率。ANFIS 控制器结合了模糊逻辑和神经网络的优势，在不同的运行条件下提供卓越的适应性和控制精度。仿真结果表明，使用 ANFIS 后，效率、功率因数和瞬态响应显著改善。实验验证证实了基于 ANFIS 的系统的优越性，使其成为当代电动汽车充电应用的可行解决方案。索引术语 - 车载充电器 (OBC)、功率因数校正 (PFC)、电动汽车 (EV)、自适应神经模糊推理系统 (ANFIS)。