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World File Search System发射极
多晶硅发射极双极晶体管
由于高发射极掺杂的影响，传统发射极双极晶体管的电流增益受到限制。理论上，通过使用非常小的基极宽度和高发射极掺杂密度，传统发射极晶体管可以获得更高的增益。然而，增加发射极掺杂会降低带隙并增加少数载流子复合 [1]。结果是发射极注入效率降低，电流增益没有实际改善 [2]。增加发射极掺杂还会产生有害影响，降低发射极-基极击穿电压 (BVebo) 并增加发射极-基极结电容 [3]。与传统发射极相关的另一个问题是缩放。当发射极结深度低于 0.2 微米时，少数载流子扩散长度变得大于发射极，这进一步降低了电流增益 [4]。使用多晶硅作为发射极是避免这些问题的一种方法。
超级发射极程序信息网络研讨会
您从交易合作伙伴完成了生成交易或成功购买RIN的RIN，RIN Holdings网格现在将显示您的RIN（示例请参见图10）。RIN Holdings网格中的每一行代表燃料（D代码），RIN年，分配和QAP服务类型的独特组合。对于每一行，可用，待处理，预留和锁定列中的RIN的总和应等于总列中的RIN数量。可用列中的RIN是可用的RIN，可用于交易。待处理列中的RIN是您启动的销售交易中涉及的RIN（请参阅“交易RINS”部分）。保留列中的RIN是与交易箱中交易相关的RIN（请参阅“管理交易箱”部分）。最后，锁定列中的RIN是由您的组织或EPA锁定的RIN。各种排序和过滤功能使您可以使用此RIN数据。例如，您可以安排数据以比较您帐户中的RINS总数已处理的RINS总数与您自己的离线交易记录。这些数据也可以以各种格式下载。
动态光子光子相互作用由量子发射极
单光子构成量子科学和技术的主要平台：它们在未来的量子互联网1中携带量子信息在延长的距离上，并且可以在高级光子电路中操纵，从而实现可伸缩的光子量子计算2，3。量子光子学的主要挑战是如何生成先进的纠缠资源状态和有效的光 - 物质接口构成路径4、5。在这里，我们利用单个量子发射极与纳米量波导的效率和相干耦合，以实现单光子波键盘之间的量子非线性相互作用。这种固有的多模量子系统构成了量子光学的新研究边界6。我们证明了用另一个光子对光子的控制，并在实验上揭示了由量子发射极介导的两光子相互作用的动力响应，并表明诱导的量子相关性由脉冲持续时间控制。这项工作将为调整复杂的光子量子资源状态开放新途径。
基于接近确定的光子发射极界面
我们提出了一种基于光子树簇状态的新型单向量子中继器结构。编码光子树群集中的量子群可保护信息免受传输损失的影响，并通过一系列中继器站启用远程量子通信。与受双向通信时间限制的常规方法相反，当前量子中继器协议的总体传输速率取决于可以实现非常高通信率的本地处理时间。我们进一步表明，每个中继器站都可以用两个固定量子置量和一个量子发射器来构建这样的中继器，这大大提高了实验性可行性。我们讨论了有效耦合到光子纳米结构的钻石缺陷中心和半导体量子点的潜在实现，并概述了如何将这种系统集成到中继器站中。
超范围的光致变色分子荧光发射极
可控制发光颜色的可光控发光分子开关被认为是智能和发光材料之间的理想整合。剩余的挑战是将良好的发光特性与多种波长转化相结合，尤其是当在形成良好固定纳米构造的单个分子系统中构建时。在这里，我们报告了一个π扩展的光成色分子光电开关，该开关允许全面成就，包括广泛的发射波长变化（宽240 nm，400 - 640 nm），高光相异构范围（95％）和纯发射颜色（纯最高宽度）。我们采用调节合成和构造中分子内电荷转移的有利机制，并进一步通过简单的光控制实现了全颜色的发射。基于此，均具有光活化的抗相互作用功能和自我搜索的Photriting Fimm。这项工作将为智能光学材料的设计提供深入的了解。
带 CoSi2 栅极的 MOS 隧道发射极
带有 CoSi 2 栅极电极的高性能 MOS 隧道阴极 T. Sadoh、Y. Zhang、H. Yasunaga、A. Kenjo、T. Tsurushima 和 M. Miyao 九州大学电子系 6-10-1 Hakozaki，福冈 812-8581，日本 电话：+81-92-642-3952 传真：+81-92-642-3974 电子邮件：sadoh@ed.kyushu-u.ac.jp 1. 简介 高稳定性低电压工作的微阴极是真空微电子学和先进平板显示技术中不可或缺的一部分。到目前为止，已经对具有金属-绝缘体-金属 (MIM) 结构 [1] 和金属氧化物半导体 (MOS) 结构 [2-4] 的隧道阴极进行了研究。Yokoo 等人。报道了具有 Al 或 n + 非晶硅 (a-Si) 栅极的 MOS 隧道阴极的工作特性 [2, 3]。具有 Al 栅极的阴极的发射效率高，但 Al/SiO 2 界面不稳定。另一方面，具有 a-Si 栅极的阴极的 a-Si/SiO 2 界面稳定。然而，a-Si 栅极的电阻相对较高，发射效率较低。因此，迫切需要提高阴极的发射效率和寿命。为了提高它们，需要具有低电阻和稳定电极/氧化物界面的高质量薄栅极电极。CoSi 2 是电阻最低的硅化物之一，具有化学和热稳定性。因此，预计采用 CoSi 2 作为栅极材料将提高阴极的性能。在这项研究中，研究了具有 CoSi 2 栅极的隧道阴极的工作特性，并证明了薄 CoSi 2 膜可以提高发射效率和寿命。这是关于具有 CoSi 2 栅电极的 MOS 隧道阴极的首次报道。2. 实验步骤所用衬底是电阻率为 10 Ωcm 的 n 型 Si。通过湿法氧化生长 160nm 厚的场氧化物。去除具有 0.3mm 2 的圆形栅极图案的氧化物后，通过干氧化在 900 ℃持续 22 分钟生长 10nm 厚的栅极氧化物。为了改善栅极氧化物，将样品在 Ar 中以 1100℃退火 90 分钟。栅极氧化后，使用固体源 MBE 系统在基底温度为 400℃下通过共沉积 Co 和 Si 形成 5-10nm 的 CoSi 2 栅电极，基底压力为 5x10 -11 Torr。最后，通过沉积 Al 形成接触。样品的示意图和能带图分别如图 1 和图 2 所示。测量了二极管电流 Id 和发射电流 Ie 与栅极偏压的关系。3. 结果与讨论图 3 显示了二极管和发射电流密度与电场的典型依赖关系。在 7 MV cm -1 以上的电场下，可以观察到电子的发射。图 4 显示了图 3 中数据的 Fowler-Nordheim 图。发现二极管和发射
1,024 x 1,024 电阻发射极阵列设计与制造现状
圣巴巴拉红外公司 (SBIR) 正在生产高性能 1,024 x 1,024 大尺寸电阻发射阵列 (LFRA)，用于下一代红外场景投影仪 (IRSP)。LFRA 要求是通过与三军红外场景投影仪工作组的密切合作以及通过 OSD 中央 T&E 投资计划 (CTEIP) 和第一阶段美国海军小型企业创新研究 (SBIR) 合同赞助的详细贸易研究而制定的。CMOS 读入集成电路 (RIIC) 由 SBIR 和 Indigo Systems 根据小型企业创新研究 (SBIR) 合同设计。性能和功能包括 750 K MWIR 最大表观温度、5 毫秒 (10-90%) 辐射上升时间、200 Hz 全帧更新和 400 Hz 窗口模式操作。 2002 年中期将制造并分析 10 个 8 英寸 CMOS 晶圆，随后在 2002 年末制造发射器。本文讨论了阵列性能、要求流程、阵列设计、2 x 2 英寸 CMOS 设备的制造以及后续 RIIC 晶圆测试和发射器像素制造的计划。
1,024 x 1,024 电阻发射极阵列设计与制造...
圣巴巴拉红外公司 (SBIR) 正在生产高性能 1,024 x 1,024 大尺寸电阻发射器阵列 (LFRA)，用于下一代红外场景投影仪 (IRSP)。LFRA 要求是通过与三军红外场景投影仪工作组的密切合作以及通过 OSD 中央 T&E 投资计划 (CTEIP) 和第一阶段美国海军小型企业创新研究 (SBIR) 合同赞助的详细贸易研究而制定的。CMOS 读入集成电路 (RIIC) 由 SBIR 和 Indigo Systems 根据小型企业创新研究 (SBIR) 合同设计。性能和功能包括 750 K MWIR 最大表观温度、5 毫秒 (10-90%) 辐射上升时间、200 Hz 全帧更新和 400 Hz 窗口模式操作。2002 年中期将制造并分析 10 个 8 英寸 CMOS 晶圆，随后在 2002 年末制造发射器。本文讨论了阵列性能、要求流程、阵列设计、2 x 2 英寸 CMOS 器件的制造以及后续 RIIC 晶圆测试和发射器像素制造的计划。
在金属膜上的单个量子发射极和等离子纳米反胶之间的强耦合
摘要：单量子发射器与共振光学/纳米腔之间的强耦合对理解光和物质相互作用是有益的。在这里，我们提出了放置在金属膜上的等离子体纳米annana，以实现纳米类动物中的超高电场增强功能和超小的光学模式。通过数值模拟和理论计算详细研究了单个量子点（QD）和设计结构之间的强耦合。当将单个QD插入银纳米annna的纳米含量中时，散射光谱显示出真空狂犬分裂的分裂和抗骨骼的表现非常大，可以在散射光谱中通过优化纳米坦纳的厚度来实现。我们的工作显示了在单个量子发射极限制下增强光/物质相互作用的另一种方法，这对于许多纳米量和量子应用可能很有用。
负电子亲和势发射极热电子能量转换器的空间电荷限制理论
推导了采用负电子亲和力 NEA 金刚石发射极电极的真空热电子能量转换装置 TEC 的空间电荷限制输出电流模式的理论。该理论通过假设电子表现为无碰撞气体并自洽地求解 Vlaslov 方程和泊松方程而发展。讨论了该理论的特殊情况。执行计算以在各种条件下模拟具有氮掺杂金刚石发射极材料的 TEC。结果表明，NEA 材料在输出功率和效率方面优于类似的正电子亲和力材料，因为 NEA 降低了发射极的静电边界条件，从而减轻了负空间电荷效应。© 2009 美国真空学会。DOI：10.1116/1.3125282