XiaoMi-AI文件搜索系统
World File Search System器件
InSb量子阱器件中的量子传输
摘要 InSb 是一种窄带 III-V 族半导体，具有带隙小、电子有效质量小、电子迁移率高、有效 g 因子大、自旋轨道相互作用强等特点，这些独特性质使 InSb 在工业应用和量子信息处理方面都具有广阔的应用前景。本文综述了 InSb 量子阱器件量子输运研究的最新进展。随着高质量异质结构生长和微纳制造技术的进步，基于 InSb 量子阱的低维体系中已经开展了量子输运实验。此外，在未掺杂的 InSb 量子阱中已经实现了双极操作，从而可以系统地研究 p 型窄带半导体的能带结构和量子特性。此外，作为对更窄带隙半导体物理探索的延续，我们介绍了对 InAsSb 量子阱的最新研究成果。
有机电致变色储能材料及器件设计
在不影响储能器件电化学性能的同时，将电致变色等多功能特性集成到储能器件中，可以有效促进器件多功能化的发展。与无机电致变色材料相比，有机材料具有制备简便、成本低、颜色对比度大等显著优势，其中大部分聚合物材料表现出优异的电化学性能，可广泛应用于储能器件的设计和开发。本文重点介绍有机电致变色材料在储能器件中的应用，详细讨论了不同类型有机物的作用机理、电化学性能以及有机电致变色材料在相关器件中的不足之处。
微/纳米器件和系统的制造 - UF ECE
地点：拉森 239 学期：2022 年秋季 讲师：杰克·朱迪 jack.judy@ufl.edu M：352-672-1787 办公时间：有待 助教/同伴导师/指导教学 学生：无 课程描述（3 个学分）：微系统和纳米系统制造简介，例如微机电系统 (MEMS) 和纳米机电系统 (NEMS)，它们用于许多不同的应用（物联网、生物医学、航空航天、汽车、环境、国防、生物识别网络安全等）。主题包括缩放定律、用于生产 MEMS/NEMS 的许多微/纳米加工工艺、工艺集成、封装和其他制造问题。课程先决条件/共同必修课程初等微分方程、大学物理和普通化学 1，或经讲师许可。课程目标 由于微系统和纳米系统有广泛的应用（例如，电子、机械、生物医学、环境等的传感和驱动），本课程旨在教授来自不同背景的学生如何通过整合各种不同的微/纳米加工方法来制造微系统和纳米系统。将详细描述微系统和纳米系统生产所特有的许多不同的微/纳米制造步骤。 材料和供应费用 无。 必修教科书和软件
什么是表面贴装器件或 SMD 元件封装？
1、SMT组装密度高，电子产品可以设计得更小、更轻，因此电路板的体积也会变小，SMT元件的体积和重量只有传统普遍使用的插件元件的十分之一左右，电子产品经过SMT后体积缩小40%~60%，重量减轻60%~80%。2、可靠性高，抗震能力强，焊点不良率低。3、高频特性优良，减少电磁和射频干扰。4、易于实现自动化，提高生产效率，节省材料、能源、设备、人力、时间等，降低成本30%~50%。5、利用SMT技术，可以设计出更高端的产品，让电子产品应用到更多的领域，比如CPU、智能手机等。
软有源矩阵电子材料和器件技术的最新进展
完整作者列表： Shim, Hyunseok；休斯顿大学 Sim, Kyoseung；休斯顿大学，机械工程 Ershad, Faheem；休斯顿大学，生物医学工程 Jang, Seonmin；休斯顿大学 Yu, Cunjiang；休斯顿大学，机械工程
封装器件 SiC 结的参数纳米电分析
摘要 — 在晶圆级上对电力电子器件芯片结构进行精确而准确的电气特性分析对于将器件操作与设计进行比较以及对可靠性问题进行建模至关重要。本文介绍了一种分立封装商用碳化硅 MOSFET 的二维局部电气特性参数分析。在横截面样品上，使用扫描电子显微镜 (SEM) 中的电子束感应电流 (EBIC) 来定位体二极管的 pn 结，评估电子束能量对该区域成像的影响。采用基于原子力显微镜 (AFM) 的扫描电容显微镜 (SCM) 分析封装碳化硅 MOSFET 器件的结区。提出了一种参数方法来揭示 MOSFET 中所有层的局部电气特性（n 型、p 型、掺杂 SiC 外延层的低、中、高掺杂水平以及 SiC 衬底和硅栅极）。本文的目的是揭示 EBIC 和 SCM 对 SiC 封装器件进行全面特性分析的潜力。研究了 SCM 采集期间施加的电压（V DC 和 V AC ）的影响，以量化它们对 MOSFET SiC 掺杂层分析的影响。尖端/样品纳米 MOS 接触的 TCAD 模拟支持纳米电气实验，以确认碳化硅芯片 AFM 图的掺杂水平解释。
基于有机光电突触晶体管的储池计算网络
图 1 有机光电突触器件 . (a) 人类视网膜和大脑系统示意图 ; (b) 储池计算结构 ; (c) 提拉法制备有机薄膜示意图 ; (d) C 8 -BTBT 薄膜的光学显微镜图像 ( 标尺 : 100 μm); (e) PDIF-CN 2 薄膜的光学显微镜图像 ( 标尺 : 100 μm); (f) C 8 -BTBT 薄膜的 AFM 图像 ( 标 尺 : 1.6 μm); (g) PDIF-CN 2 薄膜的 AFM 图像 ( 标尺 : 1.6 μm); (h) 具有非对称金属电极的有机光电突触晶体管器件结构 ; (i) 器件 配置为光感知型突触 ; (j) 器件配置为计算型晶体管 ( 网络版彩图 ) Figure 1 Organic optoelectronic synaptic devices. (a) The schematic diagram of human retina and brain system. (b) The architecture of a reservoir computing. (c) The preparation of organic thin films by dip coating method. (d) The optical microscope image of C 8 -BTBT film. Scale bar: 100 μm. (e) The optical microscope image of PDIF-CN 2 film. Scale bar: 100 μm. (f) The AFM image of C 8 -BTBT film. Scale bar: 1.6 μm. (g) The AFM image of PDIF-CN 2 film. Scale bar: 1.6 μm. (h) The schematic diagram of organic optoelectronic synaptic transistor with asymmetric metal electrodes. (i) The device is configured as a light-aware synapse. (j) The device is configured as a computational transistor (color online).