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Si 表面处理对 CoSi2 形成和团聚的影响
在微电子领域，尽管钴硅化物 CoSi 2 在小尺寸内成核困难，但对于采用 65 nm 技术设计的一些特定器件，基于 CoSi 2 的触点仍然很有趣。因此，为了促进 65 nm 技术中 CoSi 2 的形成，可以干扰 RTA1 期间发生的 CoSi 的形成。为此，在 Co 沉积之前对 Si 基板的表面处理可能会影响钴硅化物相的形成。在这项工作中，在 Co 和 TiN 层沉积之前，在 Si(100) 晶片上应用了不同的表面处理（SiCoNi、HF，然后是 SC1 和仅 HF）以及几种软溅射蚀刻 (SSE) 工艺。根据表面处理的不同，通过 XRD 和/或 EBSD 观察到的 Co 硅化物相（包括 CoSi 2 ）的形成温度和/或晶体取向是不同的。四点探针测量还表明，CoSi 2 团聚与表面处理方案有很大关系。这些结果突出了表面处理对 Co 硅化物形成和团聚的影响，以及其对于将 CoSi 2 膜集成到 65 nm CMOS 技术中的重要性。
材料设计的裂纹挠度分析
沿木材颗粒（0°）沿最艰难的方向定向的裂纹倾向于在90°偏转到倒影，而不是沿0°方向延伸。骨折韧性数据很难解释。研究了用聚合物代替木孔空间的裂纹生长机制和影响。使用应变场测量值和有限元分析（FEA）（FEA），在桦木的四点弯曲断裂力学和两种不同聚合物填充的桦木复合材料中分析裂纹生长。校准裂纹和90°领域中的凝聚区模型描述了正极性FEA模型中断裂过程区的性质。0◦裂纹渗透与90◦基于凝聚区特性分析裂纹挠度的条件。稳定的亚临界裂纹挠度在低负载下发生，减少裂纹尖端应力浓度，并有助于高结构韧性，前提是90◦韧性不太低。聚合物填充的整洁桦木复合材料在本研究中具有最佳的结构韧性特性，因为任何化学处理都不会损害90◦韧性。
技术增强学习对尼日利亚阿南布拉州立物理学的高中生学术成绩的影响
收到：15-06-2024;修订：29-09-2024;接受：12-12-2024;发表：28-12-2024摘要：该研究评估了技术增强学习对Anambra State学生学习成绩的影响。由四个研究目标指导的研究采用了描述性调查研究设计。使用多阶段抽样程序，以获取来自Anambra州1586个物理SS2学生的200名高级第二年（SS2）学生的样本。一份20个项目的结构化问卷，具有四点李克特式回答选项，由文献综述的研究人员开发，并使用ICT工具的多年教学经验来收集数据。由科学教育，测量和评估部门的三位课程专家验证的仪器，均在Nnamdi Azikiwe大学，AWKA使用Cronbach Alpha formula进行了试点测试，可靠性协调能够获得0.81的可靠性协调能力。平均值和宏伟的平均值被用来回答研究目标。获得的结果同意，技术增强的学习对学生在物理学领域的学习成绩产生了重大影响。
经济发展实施计划-2023-2025
牛顿经济发展实施计划-2023-2025经济定位/愿景：牛顿市中心坐落在夏洛特和阿什维尔之间的山麓丘陵中，是牛顿市中心的历史悠久的牛顿市中心，是牛顿市的充满活力，大胆的民间和表演艺术中心，也是牛顿市，以及最富有商业友好的城市，是歇斯奇特的城市中最友善的城市。使命：牛顿开发协会市中心培养企业家精神和混合用途开发，在保留牛顿的魅力和历史的同时，采用文化，视觉和表演艺术，从而创造了一种包容，创造性和活跃的家庭生活方式。实施策略：牛顿是指定的NC Main Street社区。牛顿市中心开发协会已被指控在当地一级的主街计划管理。该机构使用Main Street American™模型来建立经济发展策略并将主要街道四点攻学®应用于市中心的振兴：组织，促进，设计和经济活力，以实现一项可衡量结果的计划。
重新审视金融化：吸血乌贼经济的经济学和政治经济学
本文以马特·泰比的吸血乌贼比喻来描述金融化，探讨金融化的经济学和政治经济学。本文有四点创新。首先，它关注“吸血乌贼”过程的机制，即金融化在经济中轮换，使部门资产负债表上充斥着债务。其次，它确定了中央银行的关键作用，中央银行是该体系的关键，现在实际上是私营部门债务价值和流动性的担保人。如果没有他们的支持，经济体系很可能早就在 1929 年大萧条中崩溃了。第三，本文认为金融化强加了一种政策锁定。第四，它认为金融化改变了大众的态度和理解，从而尽管经济结果不佳，但仍获得了政治支持。实际上，金融化的政治与经济相辅相成。本文最后总结了一些观点，即为什么主流宏观经济学没有与金融化相当的构造，并讨论了经济目前所处的未知领域。关键词：金融化、债务、中央银行、锁定。JEL 参考文献：E10、E44、E58、G18。
顶层组装工艺及电气性能...
摘要 — 碳纳米材料、石墨烯和碳纳米管 (CNT) 已成为未来先进封装技术集成的有前途的材料。碳纳米材料的主要优点包括出色的电性能、热性能和机械性能。在本文中，成功实现了顶部石墨烯层到原生 CNT 束的转移过程，界面处直接实现石墨烯与 CNT 接触。四点探针 (4PP) I – V 特性表明石墨烯和 CNT 之间实现了欧姆接触。在 90 000 μ m 2 CNT 面积（包括 CNT-石墨烯接触电阻）中获得了 2.1 的低 CNT 凸块电阻，表明在相同的制造和测量条件下 CNT 和 Au 之间的接触电阻降低。这项工作展示了顶部转移石墨烯在碳纳米管上的组装过程以及碳纳米管-石墨烯直接接触的电学特性的初步结果，为实现全碳基三维（3-D）互连铺平了道路。
文章结构，氮化钛电极的氧气含量和电性能X /LA：HFO 2 /TIN X堆叠在Sio 2 /si 2 /si < /div>
TRON能量损失光谱被彻底考虑。研究表明，在底部电极中的氧气浓度较高（约14.2±0.1 at。％）与顶部电极相比（约11.4±0.5 at。％）。以下平均化学计量公式为锡0。52 o 0。20上衣和锡0。54 O 0。 26底部和底部电极的底部。 由于血浆中的氧杂质与SIO 2和HFO 2的扩散相比，血浆中的氧气量不足。 这种不对称性，以及在Si底物上生长的样品的结果表明，与从SIO 2底物和PEALD生长过程中从SIO 2底物和HFO 2介电介质的扩散相比，与血浆本身的氧杂质相比是一个较小的部分。 我们观察到HF氧化物层和Ti nitride Electrodes以及SIO 2界面之间的界面上的TIO 2存在。 EELS分析导致底部锡X O Y的带隙范围为2.2至2.5 eV，而顶部锡X O Y的带隙范围为1.7-2.2 eV，使用光吸收光谱与顶部Tin X电极（1.6±01 eV）上的结果公平吻合。 测量板电阻，电阻率和温度系数通过在20到100°C的顶部锡x o y电极上的四点探头的电阻系数对应于半导体的典型值。54 O 0。26底部和底部电极的底部。由于血浆中的氧杂质与SIO 2和HFO 2的扩散相比，血浆中的氧气量不足。这种不对称性，以及在Si底物上生长的样品的结果表明，与从SIO 2底物和PEALD生长过程中从SIO 2底物和HFO 2介电介质的扩散相比，与血浆本身的氧杂质相比是一个较小的部分。我们观察到HF氧化物层和Ti nitride Electrodes以及SIO 2界面之间的界面上的TIO 2存在。EELS分析导致底部锡X O Y的带隙范围为2.2至2.5 eV，而顶部锡X O Y的带隙范围为1.7-2.2 eV，使用光吸收光谱与顶部Tin X电极（1.6±01 eV）上的结果公平吻合。测量板电阻，电阻率和温度系数通过在20到100°C的顶部锡x o y电极上的四点探头的电阻系数对应于半导体的典型值。
通过激光诱导的额叶聚合的多点启动AndrésL。Cook 1，Mason A. Dearborn 2，Trevor M. Anderberg 1，
图1：多点额叶聚合的概述。（a）从上方带有近红外激光器的碳黑掺杂的DCPD会引起快速加热，然后引起FP的启动。（b）光学设备的示意图，用于在样品上转向聚焦激光束。梁首先通过半波板（HWP）和偏振器（POL），根据波板角度降低其功率。然后可以将其定向到功率计，也可以通过镜头（焦距500毫米），然后将其定向到一对可移动的电动机镜（Galvos）中。然后将激光器用高架镜将其定向到样品上。（c）Galvos的梁时共享的插图。左：输入电压信号作为X和Y Galvo镜的时间的函数。右：梁的路径是X-Y平面中的参数曲线，由左侧的时间依赖电压信号产生。（d）从四点聚合的热视频中帧，显示前部相互传播和碰撞。极右的面板随时间显示每个像素的最高温度，表明该接缝在比大体的温度更高的温度下进行聚合。
对融合沉积建模材料的审查，分析关键过程参数对机械性能的影响
抽象融合沉积建模（FDM）也称为融合细丝制造（FFF）是最常用的添加剂制造（AM）技术。AM的影响不断增长，这是由于其各种优势及其对许多领域的适用性。许多研究工作集中在FDM技术的改进和机械性能的优化上，以制造可用于领域工业应用的部分。在本工作中，提出了对FDM过程中使用的材料的综述，并分析影响其机械行为的关键参数。在此框架中，FDM材料已分为三组：标准，复合材料和智能材料。先前的作品清楚地表明，该过程参数对用标准材料制成的零件的影响要比对复合材料制成的部分具有更大的影响。在机械征信方面讨论了过程参数的影响，例如气隙，层厚度，构建方向，栅格方向和轮廓数：拉伸和压缩，三分或四点弯曲测试和疲劳。还分析了这些过程参数对不同材料类别的影响。这揭示了与每个材料组相关的特殊性。这项工作可以将其视为理解该过程（结构 - 机械性fdm材料机械性属性关系）的全球见解。提出了综合备注和建议，以供将来的研究。
无连接电脉冲响应分析...
传统上，混凝土中钢筋的腐蚀速率是使用极化方法（例如恒电位、恒电流或动电位技术）来确定的。这些技术相当慢，并且都需要与钢筋进行电连接，而这又需要损坏混凝土保护层。因此，尽管精度令人满意，但这些技术很少用于土木工程结构。最近开发的无连接电脉冲响应分析 (CEPRA) 方法消除了钢筋连接的需要，并允许在每次测量不到 10 秒的时间内确定腐蚀速率。这使用户能够以对混凝土元件的最小干扰进行腐蚀调查，并减少检查大型结构所需的时间。该方法基于沿所考虑的钢筋使用 Wenner 阵列探头（四点探头），并在从外部探头施加阶跃电压后监测两个内部探头之间的电位差。利用两个内部探头之间的电位差，可以使用本文档中概述的电路模型确定系统的特性，包括混凝土电阻率和极化电阻/腐蚀率。该技术已作为手持设备 (iCOR®) 商业化，并已在多个实验室和现场研究中使用，其中发现其准确性与其他成熟方法相似。