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使用反应膜进行电子应用的快速局部焊接
摘要 — 快速局部加热技术允许连接对温度敏感的材料和组件，而不会出现高温焊料回流工艺中常见的热损伤。这对于制造热膨胀系数差异较大的材料组件也很有利，不会产生弯曲或开裂。使用夹在焊料预制件之间的放热反应箔是一种很有前途的局部快速焊接工艺，因为它不需要任何外部热源。反应箔由交替堆叠的 Ni 和 Al 纳米层形成，直到达到总膜厚度。一旦使用外部电源激活薄膜，就会发生反应并释放出一定量的能量，这些能量会转移到焊料预制件上。如果这个能量足够高，焊料预制件就会熔化并确保组件材料之间的粘合。研究了施加的压力、反应膜 (RF) 厚度以及焊料和附着材料的化学成分和厚度的影响。结果表明，工艺过程中施加的压力对接头初始质量有很大影响，当压力值在 0.5 到 100 kPa 之间时，空洞率从 64% 降至 26%。这可以通过在较高压力下焊料流动性改善从而带来更好的表面润湿性并消除空洞来解释。另外，一旦焊料熔化时间增加，接头质量就会改善。当反应箔的厚度增加（额外的感应能量）或焊料、Cu 和/或 Si 的厚度减少（更少的能量消耗）时可以观察到这种关系。由于冷却速度高，与在炉中使用传统焊料回流工艺获得的结构相比，使用 RF 实现的 AuSn 接头的微观结构显示出非常细的相分布。在 100 kPa 压力下，对组装在活性金属钎焊基板上的 350 mm 厚硅二极管进行剪切试验，以评估接头的机械性能。RF 厚 60 mm，夹在两个 25 mm 厚的 96.5 Sn 3 Ag .5 Cu (SAC) 预制件之间。测试样品的空隙率约为 37%，剪切强度值超过 9.5 MPa，远高于 MIL-STD-883H 要求。最后，将工艺对组装二极管电气性能的影响与常用的焊料回流组件进行了比较，结果显示变化可以忽略不计。
谷轮涡旋® (36 pt.) - 气候技术
可靠性 - 将久经考验的 Copeland Scroll ™ 压缩机可靠性与先进的电子控制器和诊断相结合，大大提高了设备的可靠性。故障代码警报和故障代码检索功能提供信息，帮助提高系统诊断的速度和准确性。集成电子设备可防止过流、过热、相位旋转不正确、压缩机循环、高压复位、低压切断。当发生液体回流时，它还可以向操作员发出警告信息，从而防止设备受到严重损坏。
故障分析——使用离子色谱和……
简介 在过去的三十年中，技术和电子组装技术发生了巨大的变化。从二十世纪五十年代到二十世纪九十年代，低可靠性和高可靠性硬件的电子组装使用非常相似的材料和工艺：含卤化物活化剂的松香基助焊剂与锡铅焊料结合使用，用于波峰焊、回流焊或手工焊接工艺，随后用溶剂清洗（Freon™ 或 1,1,1-三氯乙烷）。这种方法在高可靠性技术上运行了几十年，但 1987 年《清洁空气法》禁止使用大多数溶剂清洁剂。这对行业造成了巨大的冲击，使技术驱动因素（大批量制造商）得以创造新方法。最初推出的无松香免清洗助焊剂以及不含松香的水溶性助焊剂与历史上可靠的锡铅系统一起使用，回流温度约为 184 °C，效果良好。随后发生了更大的变化：通过从焊料系统中去除铅，回流温度可以超过 230°C。与热应力增加相结合，绝缘松香的缺乏为性能下降提供了大量机会。在几十年的松香助焊剂/溶剂清洁过程中，因污染或腐蚀问题而导致的大规模召回很少见。在 20 世纪 80 年代和 90 年代初期，高
水管工，WG-4749-09，每小时 31.09-36.25 美元 开放
职位。6) 在室内和室外工作，接触泥土和水，容易受到不卫生工作场所的感染。7) 此职位可能会被召回，包括周末和节假日，以执行紧急维修工作。8) 任职者必须获得（入职 6 个月内）并保持回流认证。通过电子邮件将您的简历发送至 usarmy.leavenworth.id-training.mbx.dpw- boid@army.mil，准备加入我们优秀的团队。**请将此链接直接复制并粘贴到您的电子邮件中** 有关此职位的更多信息，请联系 Shawn Rogers，电话：913-684-7796。
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注意：ANPEC 无铅产品包含模塑料/芯片粘接材料和 100% 哑光锡板端接表面；完全符合 RoHS 规定。ANPEC 无铅产品符合或超过 IPC/JEDEC J - STD-020C 对无铅峰值回流温度下 MSL 分类的无铅要求。ANPEC 将“绿色”定义为无铅（符合 RoHS 规定）和无卤素（均质材料中溴或氯的重量不超过 900ppm，溴和氯的总重量不超过 1500ppm）。
泄压和减压系统
5 确定单个泄压速率.....................................................................................................................22 5.1 过压的主要来源....................................................................................................................22 5.2 过压来源....................................................................................................................................24 5.3 压力、温度和成分的影响......................................................................................................24 5.4 操作员响应的影响.......................................................................................................................24 5.5 出口封闭.......................................................................................................................................24 5.6 冷却或回流故障....................................................................................................................25 5.7 吸收剂流动故障....................................................................................................................26 5.8 不凝性物质的积累....................................................................................................................26 5.9 挥发性物质进入系统....................................................................................................26 5.10 工艺流自动控制故障.....................................................................................................
705872.pdf
A试剂和条件：（i）1）3F，40％甲醇KOH，反流，3 h;然后h 2 o，回流，过夜； 0.5 n HCl/et 2 o; 2）粗羧酸（1等），clco 2 et（1 equiv），et 3 n（5 equiv），ch 2 cl 2，0ºC，30分钟；然后，4·hcl（1 equiv）或6（1 equiv），Ch 2 Cl 2，Rt，3天，33％（5F，从3F和4），81％（7，从3F和6）总体上； （ii）1 m tbaf/thf，thf，rt，4 h，94％（76％的总收益率为5F通过7）。
气候变化对科莫罗河洪水的影响...
科莫罗河是贯穿帝摩尔斯帝国首府迪利市的主要河流。Timor-Leste灾难数据库（BDDTL）包含过去20年中严重洪水的记录，DILI受到影响最大（表1）。洪水是帝汶迪利的科莫罗集水区的一个严重问题。每年，洪水会损害公共基础设施和财产。调查气候变化对包括城市地区在内的科莫罗河流域洪水的频率和严重程度的影响。使用全球循环模型（GCM）对过去和未来的降雨进行分析，以预测未来的气候条件，三种模型的GCM模型表明，平均年度降水量增加了4％至19％，预计这会加剧洪水的风险，并导致25岁和50年回流期间河流内部积累地区的频繁和严重淹没事件。频率分析的结果表明，25年和50年的回流期分别增加了1.40和1.54次，并且受到Comoro河流域的构建影响，Timor-Leste，Timor-Leste在1.62 sq km和1.88 sqm的影响下，从淹没深度为0.5 m至1.0 m的事件中，这些事件并不是散发出流行的事件。我们建议实施对策，例如在城市地区建造或修复排水系统，并清理排水通道，以最大程度地减少未来的洪水并保护这些集水区的社区。
柔性基板上薄硅片的倒装芯片组装
减薄硅芯片在柔性基板上的倒装芯片组装 Tan Zhang、Zhenwei Hou 和 R. Wayne Johnson 奥本大学 阿拉巴马州奥本 Alina Moussessian 和 Linda Del Castillo 喷气推进实验室 加利福尼亚州帕萨迪纳 Charles Banda 物理科学实验室 摘要 将减薄硅芯片（25-100 µ m）组装到柔性基板上为从智能卡到太空雷达等各种应用提供了超薄柔性电子产品的选择。对于高密度应用，可以通过堆叠和层压预组装和测试的柔性层然后处理垂直互连来制造 3-D 模块。本文介绍了将减薄芯片倒装芯片组装到聚酰亚胺和液晶聚合物 (LCP) 柔性基板上的工艺。已经开发出两种用于聚酰亚胺和 LCP 柔性基板的组装方法。在第一种方法中，将焊料凸块芯片回流焊接到图案化柔性基板上。需要使用夹具在回流期间保持柔性基板平整。回流之后是底部填充分配和固化。底部填充分配工艺对于避免底部填充流到薄硅片顶部至关重要，我们将在下文中讨论这一工艺。在第二种方法中，通孔通过聚酰亚胺或 LCP 蚀刻，露出接触垫的底面。将焊膏挤入通孔，回流并清洗，在通孔中形成焊料“凸块”。对浸焊产生的具有低轮廓焊料凸块的芯片进行焊剂处理、放置和回流。然后对芯片进行底部填充。这种方法可降低总组装厚度。简介为了满足单芯片和堆叠芯片封装中不断降低的轮廓要求，正在开发薄芯片的组装工艺。1-4 柔性基板（25-50 µ m）提供了一种进一步减小封装厚度的方法。减薄的 Si-on-flex 结构也有利于太空应用。减薄的 Si 虽然易碎，但也很灵活。减薄的 Si-on-flex 可以卷成管状进行发射，并在太空中展开，从而形成带有集成电子设备的大面积天线。组装减薄的 Si-on-flex 必须解决的问题包括：基板设计和制造、减薄后的凸块、芯片处理、回流期间的基板平整度和底部填充分配。这些将在以下章节中讨论。基板本工作中使用了两种柔性基板材料：聚酰亚胺和液晶聚合物 (LCP)。LCP 特性包括 100GHz 下的良好介电性能、低吸湿性和极低的透湿性。5-13 LCP 的热膨胀系数 (CTE) 可以在 LCP 薄膜的双轴挤出过程中控制。市售薄膜的 CTE 为 8 和 17ppm/o C。在本工作中使用 8ppm/o C LCP 薄膜。在用于倒装芯片组装的传统柔性基板设计中，铜芯片连接点的图案化位置与芯片组装位置在柔性薄膜的同一侧（图 1）。阻焊层用于定义可焊焊盘区域（顶面设计）。另一种方法是蚀刻聚酰亚胺或 LCP 通孔，露出铜焊盘的底面（背面设计）。通孔通过激光钻孔或反应离子蚀刻 (RIE) 制成。倒装芯片从铜图案的对面组装（图 2），从而无需阻焊层并减小了总厚度。这种方法的另一个优点（低轮廓凸块）将在后面介绍。顶面聚酰亚胺基板由约翰霍普金斯大学应用物理实验室制造，而激光钻孔背面 LCP 设计由 STS ATL 公司制造。背面 (RIE) LCP 和聚酰亚胺基板由奥本大学制造。只需一层金属即可布线菊花链芯片互连图案。
数据表 SDP3x-Digital - Sensirion AG
SDP3x 传感器系列是 Sensirion 的小型差压传感器系列，专为尺寸是关键要求的大批量应用而设计。它基于下一代 CMOSens® 传感器芯片，该芯片是 Sensirion 新型差压和流量传感平台的核心。数字 SDP3x 传感器具有快速测量速度、出色的精度和长期稳定性，并且没有零点漂移。此外，它可回流焊接并提供扩展功能，例如智能平均、多种温度补偿模式、可配置的 I 2 C 地址和中断。Sensirion CMOSens ® 技术的优势