XiaoMi-AI文件搜索系统
World File Search System场下
磁力机械双层超材料与全球区域...
2D超材料具有巨大的声音，光学和电磁应用，因为它们的独特特性和符合弯曲底物的能力。主动的超材料吸引了显着的研究注意力，因为它们的按需调谐特性和表现通过形状的重新配置。2D主动超材料通常通过内部结构变形实现活动性能，从而导致整体维度的变化。这需要对构象基材的相应更改，或者超材料无法提供完整的区域覆盖范围，这可能是其实际应用的显着限制。迄今为止，以不同形状的重新配置来实现具有区别的活跃2D超材料仍然是一个巨大的挑战。在本文中，介绍了磁机械双层超材料，以证明具有区域保护能力的面积密度可调性。双层超材料由两个具有不同磁化分布的磁性软材料组成。在磁场下，每一层的表现都不同，这使超材料可以将其形状重新构成多种模式，并显着调整其面积密度而不改变其整体尺寸。保护区域的多模式形状重新构造被进一步利用为主动声波调节剂，以调整带隙和波传播。因此，双层方法为更广泛的应用提供了保护区域主动超材料的新概念。
GAAS太阳能电池的损伤效应和机制...
摘要单连接和三个结构GAAS太阳能电池的二维热电模型分别利用Sentaurus-TCAD建立，以研究由HPMS引起的损害效应。模拟结果表明，GAAS太阳能电池有两种倦怠机制：高电场下的焦油热量造成的损害，以及由于雪崩造成的温度飙升而导致的失败。此外，拟合的经验公式还表明，在阴极前表面的反射点焦海积累引起的倦怠发生时，当注射频率高于3 GHz时，损伤能量随频率的增加而降低。相反，当频率低于3 GHz时，可以触发后表面场附近的反向偏置空间电荷区域的雪崩乘法效应，并且随着频率的上升而损坏能量上升。此外，由于散热耗散的增强和雪崩电离速率的下降，多开关的GAAS太阳能电池变得比在同一HPM干扰下的单连接太阳能电池更加困难。此外，重建了等效的模型（基于注射HPMS信号未达到倦怠阈值时的载流子迁移率分布），以研究由HPMS注入所致的GAAS太阳能电池性能的软损伤对GAAS太阳能电池的性能的影响。关键字：GAAS太阳能电池，多结，HPM，注射频率，软损伤分类：电子设备，电路和模块（硅，com-compound com-pound，有机和新型材料）
石墨烯梯度分布复合材料及其各向异性电磁反射
传统的制备方法通常采用多步组装不同活性填料含量的复合材料切片18,20或耗时的超临界二氧化碳技术19。与多层结构相比，连续变化活性填料含量可以更有效地降低反射，从而实现连续变化的阻抗。据我们所知，基于石墨烯含量连续变化的石墨烯复合材料的电磁吸波材料尚未见报道。本文提出了一种高效的电化学方法来制备石墨烯含量连续变化的还原氧化石墨烯/聚氨酯（rGO / PU）复合泡沫。该方法利用GO纳米颗粒的尺寸与其在电场中的迁移速度之间的负相关性。通过控制电泳时间来优化分布，梯度石墨烯复合材料表现出明显的电磁波各向异性反射。此外，当电磁波入射到石墨烯含量较低的表面时，整个 X 波段的反射率较低（< 30 dB），吸收率较高（> 99.5％）。 氧化石墨烯/聚氨酯 (GO/PU) 复合泡沫的制备电泳过程如方案 1 所示，设备的光学图像如图 S1 所示。将填充有氧化石墨烯溶液的 PU 泡沫放置在两个石墨电极之间，并在电极上施加 30 V 的直流电压一段时间。对于 GO 片上羧酸和酚羟基的电离，24 带负电的 GO 纳米片在外部电场下迁移到阳极。根据胶体理论，GO 的迁移速度 v 可以通过施加的电场 E
3 国际辐射物理和化学大会...
3 NNSA，华盛顿特区，美国 LTD 技术方法可产生非常紧凑的设备，可直接从腔体输出非常快的高电流和高电压脉冲，而无需任何复杂的脉冲形成和脉冲压缩网络。由于输出脉冲上升时间和宽度可以轻松定制（脉冲整形）以满足特定应用需求，因此负载可能是真空电子二极管、z 型收缩线阵列、气体喷射器、衬套、等熵压缩负载（ICE）以研究材料在非常高的磁场下的行为，或聚变能（IFE）目标。根据桑迪亚实验室的合同，俄罗斯托木斯克的高电流电子研究所（HCEI）设计和建造了十个 1-MA LTD 腔体。这些腔体最初设计用于在真空或磁绝缘传输线（MITL）电压加法器配置中运行。在这种模式下成功运行后，我们正在逐步对其进行修改，使其能够在去离子水绝缘电压加法器中组装运行。特别注意通过过滤进行清洁，去除溶解和自由水，并除去腔体油中的空气。除了去离子和去除气泡外，还对电压加法器的水进行了类似的处理。为此，设计和建造了两个连续运行的水和油再循环系统。最重要的 LTD 驱动器应用之一 (IFE) 将需要不间断地进行数万次射击。目前，我们正在运行两个经过修改的腔体，这些腔体具有更坚固的组件，并且专门为水而设计
3 国际辐射物理和化学大会...
3 NNSA，华盛顿特区，美国 LTD 技术方法可产生非常紧凑的设备，可直接从腔体输出非常快的高电流和高电压脉冲，而无需任何复杂的脉冲形成和脉冲压缩网络。由于输出脉冲上升时间和宽度可以轻松定制（脉冲整形）以满足特定应用需求，因此负载可能是真空电子二极管、z 型收缩线阵列、气体喷射器、衬套、等熵压缩负载（ICE）以研究材料在非常高的磁场下的行为，或聚变能（IFE）目标。根据桑迪亚实验室的合同，俄罗斯托木斯克的高电流电子研究所（HCEI）设计和建造了十个 1-MA LTD 腔体。这些腔体最初设计用于在真空或磁绝缘传输线（MITL）电压加法器配置中运行。在这种模式下成功运行后，我们正在逐步对其进行修改，使其能够在去离子水绝缘电压加法器中组装运行。特别注意通过过滤进行清洁，去除溶解和自由水，并除去腔体油中的空气。除了去离子和去除气泡外，还对电压加法器的水进行了类似的处理。为此，设计和建造了两个连续运行的水和油再循环系统。最重要的 LTD 驱动器应用之一 (IFE) 将需要不间断地进行数万次射击。目前，我们正在运行两个经过修改的腔体，这些腔体具有更坚固的组件，并且专门为水而设计
材料物理化学
晶格和晶胞。布拉维晶格。晶面和方向。米勒指数。堆积能和结构。共价晶体和离子晶体。分子晶体。晶体结构中的缺陷。点缺陷和扩展缺陷。缺陷热力学。- 晶体结构：测定和分析干涉和衍射：一般概念。晶相衍射。劳厄定律和布拉格定律。傅里叶变换和互易晶格。单晶、多晶和纳米晶体。非晶相中的衍射。- 固态电子系统电场和磁场下的电荷载体和传输。自由电子和束缚电子。布洛赫定理和能带结构。电子的色散关系。态密度。费米-狄拉克分布。金属、半导体、绝缘体。纳米材料的应用。- 半导体和应用半导体中的电荷载体。电子、空穴及其运动。载流子浓度和质量作用定律。直接和间接带隙半导体。掺杂。一些半导体器件：pn结和二极管、晶体管。在光子学和电子学中的应用。- 晶格振动和热性质 晶格和分子振动：比较。振动色散关系。声学和光学分支。声子。振动态密度和德拜频率。固体中的振动光谱。固体中的比热。杜隆珀蒂定律。低温。- 介电和光学性质 极化率和介电函数。对电磁辐射的宏观响应。边界处的吸收、反射、弹性和非弹性扩散。洛伦兹模型。复折射率和介电函数。自由电子和等离子体。在能量学、催化和环境中的应用。激光在化学和材料科学中的应用。
3 国际辐射物理和化学大会...
3 NNSA，华盛顿特区，美国 LTD 技术方法可产生非常紧凑的设备，可直接从腔体输出非常快的高电流和高电压脉冲，而无需任何复杂的脉冲形成和脉冲压缩网络。由于输出脉冲上升时间和宽度可以轻松定制（脉冲整形）以满足特定应用需求，因此负载可能是真空电子二极管、z 型收缩线阵列、气体喷射器、衬套、等熵压缩负载（ICE）以研究材料在非常高的磁场下的行为，或聚变能（IFE）目标。根据桑迪亚实验室的合同，俄罗斯托木斯克的高电流电子研究所（HCEI）设计和建造了十个 1-MA LTD 腔体。这些腔体最初设计用于在真空或磁绝缘传输线（MITL）电压加法器配置中运行。在这种模式下成功运行后，我们正在逐步对其进行修改，使其能够在去离子水绝缘电压加法器中组装运行。特别注意通过过滤进行清洁，去除溶解和自由水，并除去腔体油中的空气。除了去离子和去除气泡外，还对电压加法器的水进行了类似的处理。为此，设计和建造了两个连续运行的水和油再循环系统。最重要的 LTD 驱动器应用之一 (IFE) 将需要不间断地进行数万次射击。目前，我们正在运行两个经过修改的腔体，这些腔体具有更坚固的组件，并且专门为水而设计
3 国际辐射物理和化学大会...
3 NNSA，华盛顿特区，美国 LTD 技术方法可产生非常紧凑的设备，可直接从腔体输出非常快的高电流和高电压脉冲，而无需任何复杂的脉冲形成和脉冲压缩网络。由于输出脉冲上升时间和宽度可以轻松定制（脉冲整形）以满足特定应用需求，因此负载可能是真空电子二极管、z 型收缩线阵列、气体喷射器、衬套、等熵压缩负载（ICE）以研究材料在非常高的磁场下的行为，或聚变能（IFE）目标。根据桑迪亚实验室的合同，俄罗斯托木斯克的高电流电子研究所（HCEI）设计和建造了十个 1-MA LTD 腔体。这些腔体最初设计用于在真空或磁绝缘传输线（MITL）电压加法器配置中运行。在这种模式下成功运行后，我们正在逐步对其进行修改，使其能够在去离子水绝缘电压加法器中组装运行。特别注意通过过滤进行清洁，去除溶解和自由水，并除去腔体油中的空气。除了去离子和去除气泡外，还对电压加法器的水进行了类似的处理。为此，设计和建造了两个连续运行的水和油再循环系统。最重要的 LTD 驱动器应用之一 (IFE) 将需要不间断地进行数万次射击。目前，我们正在运行两个经过修改的腔体，这些腔体具有更坚固的组件，并且专门为水而设计
电荷密度波在$ {\ rm UPT} _2 {\ rm si} _2 $
在密切相关的5 f-电子系统中，由于波函数的扩展，与可比强度的相互作用竞争。这场竞争导致了各种各样的外来状态，这几乎无法用D - 或4 F-电子物理学的常规模型来理解[1]。在基于金属U的重型费米化合物中，周围配体具有强大的杂交作用，异常阶段的异常共存发生为例如，例如，在隐藏的阶超导体URU 2 SI 2中。发现热量异常的“隐藏顺序”参数的性质仍在辩论之后，在发现后30年以上[2]。UPT 2 Si 2是U T 2 M 2（T =过渡金属; M = SI或GE）家族的紧密相关的金属间化合物，其PT-5 D电子与U-5 F状态杂交。UPT 2 Si 2采用CABE 2 GE 2晶体结构，并在t n = 35 k处磁性下命令，带有波矢量q m =（1 0 0 0），其中铁磁AB平面沿C轴堆叠了抗磁力（AFM），沿C轴堆叠，并具有≈2μb[3-5]。因此，长期以来，UPT 2 Si 2被认为是铀间金属化合物具有局部5 F电子的罕见例子，在简单的晶体领域水平方案中可以解释磁性[4]。然而，最近的一些研究[6-9]质疑该系统中电子定位程度。高场测量结果表明，应根据费米表面效应来理解应用磁场下的相变[6]。最近的一项无弹性中子散发研究揭示了双重性质，两者都巡回通过密度功能理论（DFT）计算进一步支持这种方法，该计算有利于5 f电子大部分巡回的情况[7]。
Dy 同位素的超精细和四极矩相互作用...
摘要。核自旋能级在理解镧系元素单分子磁体中的磁化动力学以及量子比特的实现和控制方面起着重要作用。我们使用包括自旋轨道相互作用在内的多配置从头算方法（超越密度泛函理论）研究了阴离子 DyPc 2（Pc=酞菁）单分子磁体中 161 Dy 和 163 Dy 核的超精细和核四极相互作用。之所以选择 Dy 的两种同位素，是因为其他同位素的核自旋为零。这两种同位素的核自旋 I = 5 / 2，尽管核磁矩的大小和符号彼此不同。电子基态和第一激发的 Kramers 双线之间的巨大能隙使我们能够将微观超精细和四极相互作用汉密尔顿量映射到电子伪自旋 S eeff = 1 / 2 的有效汉密尔顿量上，这对应于基态 Kramers 双线。我们的从头算表明，核自旋和电子轨道角动量之间的耦合对超精细相互作用贡献最大，并且 161 Dy 和 163 Dy 核的超精细和核四极子相互作用都比 TbPc 2 单分子磁体中的 159 Tb 核的要小得多。计算出的电子-核能级分离与 163 DyPc 2 的实验数据相当。我们证明 Dy Kramers 离子的超精细相互作用会导致零场下的隧道分裂（或磁化的量子隧穿）。这种效应不会发生在 TbPc 2 单分子磁体中。发现 161 DyPc 2 和 163 DyPc 2 避免的能级交叉的磁场值明显不同，这可以从实验中观察到。