摘要。通过等离子体增强化学气相沉积 (PECVD) 方法沉积薄膜是制造 MEMS 或半导体器件的关键工艺。本文全面概述了 PECVD 工艺。在简要介绍 PECVD 反应器的主要层及其应用(例如氧化硅、TEOS、氮化硅、氮氧化硅、碳化硅、非晶硅、类金刚石碳)之后,介绍了这些层。分析了工艺参数(例如腔体压力、衬底温度、质量流速、RF 功率和 RF 功率模式)对沉积速率、膜厚度均匀性、折射率均匀性和膜应力的影响。微机电系统 (MEMS) 和半导体器件的薄膜 PECVD 沉积的主要挑战是优化沉积参数,以实现高沉积速率和低膜应力,这在低沉积温度下是可能的。
药物-靶标结合亲和力预测在药物发现的早期阶段起着重要作用,可以推断新药与新靶标之间相互作用的强度。然而,以前的计算模型的性能受到以下缺点的限制。药物表示的学习仅依赖于监督数据,而没有考虑分子图本身所包含的信息。此外,大多数以前的研究倾向于设计复杂的表示学习模块,而忽略了用于衡量表示质量的均匀性。在本研究中,我们提出了GraphCL-DTA,一种用于药物-靶标结合亲和力预测的具有分子语义的图对比学习。在GraphCL-DTA中,我们设计了一个针对分子图的图对比学习框架来学习药物表示,从而保留了分子图的语义。通过该图对比框架,可以在不需要额外监督数据的情况下学习更本质、更有效的药物表示。接下来,我们设计了一个新的损失函数,可直接用于平滑地调整药物和靶标表示的均匀性。通过直接优化表示的均匀性,可以提高药物和靶标的表示质量。在KIBA和Davis两个真实数据集上验证了上述创新元素的有效性。GraphCL-DTA在上述数据集上的优异表现表明了其优于当前最佳模型。
摘要 电热超表面因能够动态控制热红外辐射而受到广泛关注。虽然以前的研究主要集中在具有无限单元格的超表面,但有限尺寸效应是实际开发具有快速响应和广泛温度均匀性的热超表面的关键设计因素。在这里,我们研究了由有限阵列尺寸的金纳米棒组成的热超表面,其仅需几个周期就能实现接近无限情况的共振。更重要的是,由于阵列尺寸有限,占用空间如此之小,导致响应时间降至纳秒级。此外,发现垂直于纳米棒轴线方向上的单元格数量对共振和响应时间不敏感,从而提供了长宽比的可调谐性,可以将温度均匀性提高到亚开尔文水平。
抽象目的 - 本文的目的是研究使用激光粉末床融合(LPBF)制造的镍含量(NITI)部分对镍含量(NITI)部分的均匀性的影响。此外,已经研究了制造参数和不同的熔融策略的影响,包括多个重新粘贴周期,可打印性和宏缺陷,例如孔隙和裂纹形成。设计/方法/方法 - 使用LPBF工艺来制造元混合粉末的NITI合金,并通过使用重新制定的扫描策略来评估改善制造标本的均匀性。此外,还使用了单一熔体和最多两个遥控器。发现 - 结果表明,重新升压可能对改善密度以及化学和相组成均匀化是有益的。扫描电子显微镜中的反向散射电子模式显示,在没有粘合的Ni和Ti元素粉末的情况下,响应增加了遥远的数量。所研究熔体的NITI零件的微值值相似,范围为487至495 HV。尽管如此,观察到的测量误差会随着遥控器的增加而降低,表明化学和相组成均匀性的增加。然而,X射线衍射分析揭示了多个阶段的存在,而与熔体运行的数量无关。独创性/价值 - 首次使用了作者的知识,使用重新放置扫描策略,通过LPBF制造了基本混合的NITI粉末。
摘要:提出并演示了一种基于拓扑光子晶体(TPC)的单片硅光子平台上的片上1×N功率分配器。得益于具有不同拓扑相位的TPC界面处的谷底锁定传播模式,所提出的功率分配器在急弯处具有可忽略的后向散射,并且对制造缺陷具有良好的稳健性,因此与传统设计相比,插入损耗更低、均匀性更好、占用空间更紧凑。对于制备的1×2(8)功率分配器,输出端口之间的均匀性低于0.35(0.65)dB,最大插入损耗为0.38(0.58)dB,紧凑占用空间为5×5 µm 2(10×12 µm 2 ),带宽为70 nm。此外,拓扑功率分配器仅需要具有不同拓扑相位的TPC的简单配置,与传统设计相比,设计和制造更可靠。
1.1 超大(16 加仑)水套 - 每个腔室 不锈钢外壁衬有太空时代隔热材料,可提供 R5.0 等级,最大限度地减少热量损失。大型 16 加仑(60.56 升)水套利用水,这是大自然最好的“散热器”之一。其高保温能力使其成为环绕腔室以获得温度均匀性的理想介质。事实上,材料保温能力(称为比热)以水为比较标准。环绕腔室的大型水套允许水在夹套内循环,产生 i0.2'C 的温度均匀性。质量越大,腔室内受外界环境波动的影响越小。它还增加了机柜稳定性,以促进振动敏感细胞的生长。
与图相关的自然过渡矩阵的混合(或准随机)属性可以通过其与完全图的距离来量化。不同的混合属性对应于测量此距离的不同范数。对于密集图,Chung、Graham 和 Wilson 在 1989 年的开创性工作中证明了两个这样的属性(称为谱扩展和均匀性)是等价的。最近,Conlon 和 Zhao 使用著名的 Grothendieck 不等式将这种等价性扩展到稀疏顶点传递图的情况。在这里,我们将这些结果推广到非交换或“量子”情况,其中过渡矩阵成为量子信道。特别是,我们表明,对于不可约协变量子信道,扩展等同于图的均匀性的自然类似物,推广了 Conlon 和 Zhao 的结果。此外,我们表明,在这些结果中,非交换和交换的格罗滕迪克不等式产生了最佳常数。
摘要:双曲超材料的未来应用需要具有替代超薄导电/电介质膜的材料堆栈,这些薄膜具有良好的厚度均匀性和降低的粗糙度。在这项工作中,使用田口方法优化了铝的脉冲直流磁控溅射技术,以制造具有改进的粗糙度水平的铝膜。进行的结构表征证明了较小的铝畴和更好的表面均匀性。优化的工艺用于制造 Al / HfO x 多层结构作为超材料介质。在紫外/可见光范围内对所制造的结构进行了光学表征。所提出的发现证明了所检查堆栈的有效反射率的可调谐性效应。所提出的结果对于未来基于双曲超材料的新型光子装置中的多层结构的应用很有希望。