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掺铒 GaN 块体晶体中偏振分辨的铒发射
掺铒 GaN (Er:GaN) 准块状晶体正成为一种有前途的新型增益介质，用于在 1.5 μ m 的视网膜安全波长窗口发射高能激光器。我们报告了偏振分辨光致发光 (PL) 发射光谱研究，结果表明，激发偏振平行于 GaN c 轴 (EQ jj c Q) 的泵浦效率明显高于激发偏振垂直于 GaN c 轴 (EQ ? c Q) 的泵浦效率。这一现象是固有极性纤锌矿 GaN 晶格的直接结果，沿 GaN 的 c 轴在每个 Er 离子周围产生一个净局部场。 PL 发射光谱的温度依赖性行为可以用 GaN 中 Er 3+ 的 4 I 15/2 基态和 4 I 13/2 第一激发态子能级之间的玻尔兹曼分布来解释，从而更好地理解 1.5 μ m 附近观察到的主要发射线的起源。结果表明，可以利用 GaN 中的极化场，通过操纵激发光源的极化来增强有效 Er 激发截面。
AP® 物理 1：基于代数的 2022 年评分指南
碰撞前粘土-块体和球体-块体系统的动量在两种情况下都是相同的，因为动量在碰撞中不会改变；碰撞后也一样。情况 B 中的球体从块体上弹起，因此碰撞后的动量小于情况 A 中的粘土（或为负）。为了使两种情况下的系统在碰撞后具有相同的动量，块体 B 的动量必须大于块体 A，因此速度也更大。块体下落所需的时间相同，因此块体 B 行进的水平距离（发射速度 x 下落时间）大于 d A 。
激光浮区法生长的磁性韦尔半金属候选材料 NdAlGe 的块体物理性质
摘要：本研究报告了空间群为I 4 1 md 的磁性外尔半金属候选材料NdAlGe单晶的成功生长。该晶体采用浮区技术生长，该技术使用五个激光二极管（总功率为2 kW）作为热源。为了确保在生长过程中稳定形成熔融区，我们采用了钟形分布的垂直辐射强度曲线。将电弧熔炼锭粉碎后的标称粉末在静水压力下成型，然后在由氧化钇稳定的氧化锆制成的氧气泵产生的超低氧分压（<10 − 26 atm）的氩气气氛中烧结进料棒和种子棒，加热至873 K。成功生长出长度为50 mm 的NdAlGe单晶。生长的晶体在 13.5 K 时表现出块状磁序。基本物理特性通过磁化率、磁化强度、比热、热膨胀和电阻率测量来表征。这项研究表明，磁序在 NdAlGe 中诱导各向异性磁弹性、磁熵和电荷传输。
热界面材料：一、分类、...
散热器：固有块体材料特性 – 通常为铝或铜（散热器、液冷板、蒸气室） TIM2：半导体封装外部；θ T2 由材料电阻决定，该电阻包括块体值加上 (2) 接触电阻（外壳表面、散热器） 外壳（或盖子）：固有块体材料特性 – 通常为镀镍铜* TIM1：半导体封装内部；θ T1-C 由材料电阻决定，该电阻包括块体值加上 (2) 接触电阻（芯片表面、盖子内表面）；或者， TIM0：无盖半导体封装（“裸片”封装） 芯片：固有块体材料特性（Si、SiC、GaN、GaAs 等）
撤回：通过增材制造开发块体金属玻璃及其复合材料 - 进展、挑战和拟议的新解决方案
摘要。块体复合材料已融合其和（BMG）金属玻璃摘要。块体（BMGMC）具有竞争性的强度、硬度以及非常大的弹性应变极限。然而，它们缺乏延展性和随后的低韧性，这是由于玻璃结构固有的脆性，这使得它们具有良好的强度、硬度以及非常大的弹性应变极限。然而，它们缺乏延展性和随后的低韧性，这是由于玻璃结构固有的脆性，这使得它们具有良好的强度、硬度以及非常大的弹性应变极限。然而，它们缺乏延展性，随后的韧性较低，这是由于玻璃结构固有的脆性使它们容易屈服。然而，它们缺乏延展性，随后的韧性较低，这是由于玻璃结构固有的脆性使它们容易屈服。已经提出了各种可行的机制，最近，增材制造以抵消这种影响引起了广泛关注。有人提出，增材制造可以一步克服这些困难，因为该过程中固有的非常高的冷却速率对于玻璃形成至关重要。再加上精心选择的合金化学成分，这被认为是最好的方法，引起了广泛关注。有人提出，增材制造可以一步克服这些困难，因为在玻璃形成所必需的过程中，冷却速度非常高。这与精心选择的合金化学相结合，被认为是获得广泛关注的最佳方法。有人提出，增材制造可以一步克服这些困难，因为在玻璃形成所必需的过程中，冷却速度非常高。这与精心选择的合金化学相结合，被认为是获得广泛关注的最佳方法。有人提出，增材制造可以一步克服这些困难，因为在玻璃形成所必需的过程中，冷却速度非常高。这与精心选择的合金化学相结合，被认为是获得广泛关注的最佳方法。有人提出，增材制造可以一步克服这些困难，因为在玻璃形成所必需的过程中，冷却速度非常高。这与精心选择的合金化学相结合，被认为是获得广泛关注的最佳方法。有人提出，增材制造可以一步克服这些困难，因为在玻璃形成所必需的过程中，冷却速度非常高。这与精心选择的合金化学相结合，被认为是获得广泛关注的最佳方法。与精心选择的合金化学成分相结合被认为是最佳解决方案，引起了广泛关注。有人提出，增材制造可以一步克服这些困难，因为该过程中存在非常高的冷却速率，而这对于玻璃形成至关重要。与精心选择的合金化学成分相结合被认为是在单个步骤中制造具有优异性能的零件的最佳净形状解决方案。在本报告中，我们对此进行了描述。提出采用基于边到边匹配技术的精心选择的孕育剂以及精心控制的孕育程序的凝固处理来反映增强的机械性能。假设延展性结晶相的数量密度、尺寸和分布最能改善微观结构，从而改善性能。这意味着通过操纵孕育剂的类型、尺寸和数量来控制。据称，所提出的方法可以实现这一目标。提出采用基于边到边匹配技术的精心选择的孕育剂以及精心控制的孕育程序的凝固处理来反映增强的机械性能。据推测，延展性结晶相的数量密度、尺寸和分布最能改善微观结构，从而改善性能。这意味着通过操纵孕育剂的类型、尺寸和数量来控制。所提出的方法据称就是这样。提出采用基于边到边匹配技术的精心选择的孕育剂以及精心控制的孕育程序的凝固处理来反映增强的机械性能。据推测，延展性结晶相的数量密度、尺寸和分布最能改善微观结构，从而改善性能。这意味着通过操纵孕育剂的类型、尺寸和数量来控制。所提出的方法据称就是这样。凝固工艺采用基于边对边匹配技术的精心选择的孕育剂以及精心控制的孕育程序，旨在提高机械性能。据推测，延展性结晶相的数量密度、大小和分布最能改善微观结构，从而改善性能。这可以通过操纵孕育剂的类型、大小和数量来控制。所提出的方法就是针对这一点。凝固工艺采用基于边对边匹配技术的精心选择的孕育剂以及精心控制的孕育程序，旨在提高机械性能。据推测，延展性结晶相的数量密度、大小和分布最能改善微观结构，从而改善性能。这可以通过操纵孕育剂的类型、大小和数量来控制。所提出的方法就是针对这一点。延展结晶相的尺寸和分布最能改善微观结构，从而改善性能。这可以通过控制孕育剂的类型、尺寸和数量来控制。所提出的方法就是针对这一点。提出采用基于边对边匹配技术的精心选择的孕育剂以及精心控制的孕育程序的凝固处理来反映增强的机械性能。据推测，延展结晶相的数量密度、尺寸和分布最能改善微观结构，从而改善性能。这可以通过控制孕育剂的类型、尺寸和数量来控制。所提出的方法就是针对这一点。提出采用基于边对边匹配技术的精心选择的孕育剂以及精心控制的孕育程序的凝固处理来反映增强的机械性能。据推测，延展结晶相的数量密度、尺寸和分布最能改善微观结构，从而改善性能。这可以通过控制孕育剂的类型、尺寸和数量来控制。所提出的方法就是针对这一点。提出了一种凝固处理方法，该方法基于边到边匹配技术，采用精心选择的孕育剂以及精心控制的孕育程序，可以提高机械性能。据推测，延展性结晶相的数量密度、大小和分布最能改善微观结构，从而提高性能。这可以通过控制孕育剂的类型、大小和数量来控制。所提出的方法就是针对这一点。提出了一种凝固处理方法，该方法基于边到边匹配技术，采用精心选择的孕育剂以及精心控制的孕育程序，可以提高机械性能。据推测，延展性结晶相的数量密度、大小和分布最能改善微观结构，从而提高性能。这可以通过控制孕育剂的类型、大小和数量来控制。所提出的方法就是针对这一点。提出了一种凝固处理方法，该方法基于边到边匹配技术，采用精心选择的孕育剂以及精心控制的孕育程序，可以提高机械性能。假设延展性结晶相的数量密度、大小和分布最能改善微观结构，进而改善性能。这意味着可以通过控制孕育剂的类型、大小和数量来控制。所提出的方法论就是针对这一点的。提出了采用基于边对边匹配技术的精心选择的孕育剂以及精心控制的孕育程序的凝固工艺，以反映增强的机械性能。据推测，延展性结晶相的数量密度、尺寸和分布最能改善微观结构，从而改善性能。这意味着通过操纵孕育剂的类型、尺寸和数量来控制。据称，所提出的方法具有最大的潜力。
从对称性角度研究块体、缺陷、二维和零维金属卤化物钙钛矿半导体的物理特性
摘要 金属卤化物钙钛矿基纳米结构、纳米片和纳米颗粒处于最前沿，具有吸引人的光电特性，适用于光伏和发光应用。因此，全面了解这些基本的电子和光学特性是充分利用此类半导体技术的关键一步。迅速发展的化学工程及其不同寻常的结构多样性令人着迷，但对于与传统半导体相媲美的合理描述也具有挑战性。从这个意义上说，基于群论的对称性分析提供了一种通用而严格的方法来理解各种块体钙钛矿和钙钛矿基纳米结构的性质。在本文中，我们使用群论中的对称性分析回顾了金属卤化物钙钛矿半导体的电子和光学响应，回顾了 AMX 3 块体钙钛矿的典型立方 Pm-3m 晶格的主要结果（其中 A 为阳离子，M 为金属，X 为卤化物），然后将分析扩展到三种技术感兴趣的情况：AMX 3 纳米粒子、A 4 MX 6 孤立八面体、A 2 MX 4 层状系统和最近引入的缺陷卤化物钙钛矿 (d-HP)。基于对称性论证，我们将强调这些材料的电子和光学特性的相似性和差异性，这是由空间限制和维数引起的。同时，我们将利用这种分析来讨论文献中的最新结果和争论，如钙钛矿纳米粒子和纳米片的带边激子精细结构中暗/亮态的能量学。从目前的工作中，我们还预测 d-HP 的带边激子精细结构不会呈现光学暗状态，与 AMX 3 纳米粒子和层状钙钛矿形成鲜明对比，这一事实可能对这些新型钙钛矿的光物理产生重要影响。
通过气态氢工程恢复块状 La-Ni 金属间化合物的氧析出电催化
: 对于经济有效地驱动OER，研制出耐用的电催化剂至关重要。[5–9] 为了应对这一挑战，最近，基于非贵重过渡金属（TM：Fe、Co、Ni、Mn）的金属间化合物由于其低电阻率、可调的成分和独特的晶体结构而受到了特别的关注。[10–15] 目前对基于金属间化合物的OER电催化剂的研究集中在合金化TM和准金属（例如，B、Si、Ge、As）或贫金属（例如，Al、Ga、Sn、Bi）。[16–25] 在这些金属间化合物中，TM物质严格地原位转化为活性TM（氧）氢氧化物，而非金属在碱性OER过程中大部分从结构中浸出，导致活性纳米域的形成，从而增强催化活性。 [17,18] 此外，在大多数情况下，虽然块体金属间化合物的表面会经历重构，但其内部仍能很好地保留，从而形成具有高导电性的独特核壳结构。[21] 另外，金属间化合物也可以根据结构中非金属的尺寸和类型在施加的OER电位下完全转变，形成多孔的块体活性催化剂。[15] 尽管已经取得了令人瞩目的进展，但块体金属间化合物的转变速度比块体金属间化合物快得多。
![arXiv:2105.07686v2 [cond-mat.mtrl-sci] 2021 年 7 月 6 日](/simg/g:\will\search\icon\source\a\a1fe0971113e25c0b34fb23c77d73422d9073bfb.webp)
arXiv:2105.07686v2 [cond-mat.mtrl-sci] 2021 年 7 月 6 日
卤素空位的迁移是铅卤化物钙钛矿中相分离和材料降解的主要原因之一。在这里，我们使用第一性原理密度泛函理论来比较立方 CsPbBr 3 的块体和 (001) 表面溴空位的迁移能垒和路径。我们的计算表明，由于表面的软结构允许键长变化大于块体，因此表面可能促进溴空位在这些钙钛矿中的迁移。我们计算出表面轴向到轴向溴空位迁移的迁移能仅为块体值的一半。此外，我们研究了用四种不同的碱金属卤化物单层改性表面的效果，发现对于 NaCl 钝化系统，迁移势垒几乎增加到块体值。发现迁移势垒与 CsPbBr 3 表面和碱金属卤化物单层之间的晶格失配有关。我们的计算表明，表面可能在介导卤化物钙钛矿中的空位迁移方面发挥重要作用，这一结果与具有大表面体积比的钙钛矿纳米晶体有关。此外，我们提出了通过使用碱金属卤化物盐钝化来抑制这一不良过程的可行方法。