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掺铒 GaN (Er:GaN) 准块状晶体正成为一种有前途的新型增益介质，用于在 1.5 μ m 的视网膜安全波长窗口发射高能激光器。我们报告了偏振分辨光致发光 (PL) 发射光谱研究，结果表明，激发偏振平行于 GaN c 轴 (EQ jj c Q) 的泵浦效率明显高于激发偏振垂直于 GaN c 轴 (EQ ? c Q) 的泵浦效率。这一现象是固有极性纤锌矿 GaN 晶格的直接结果，沿 GaN 的 c 轴在每个 Er 离子周围产生一个净局部场。 PL 发射光谱的温度依赖性行为可以用 GaN 中 Er 3+ 的 4 I 15/2 基态和 4 I 13/2 第一激发态子能级之间的玻尔兹曼分布来解释，从而更好地理解 1.5 μ m 附近观察到的主要发射线的起源。结果表明，可以利用 GaN 中的极化场，通过操纵激发光源的极化来增强有效 Er 激发截面。
掺铒 GaN 块体晶体中偏振分辨的铒发射
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