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此后，尽管 1970 年首次发布的深度剖析图是 GaAs 薄膜，但 GD-OES 技术在金属行业中得到了发展，现在广泛用于元素体分析和深度剖析，以表征导电金属涂层。然而，在过去十五年中，多种新仪器的发展扩大了 GD-OES 的应用领域，包括对先进材料的涂层和薄膜的表征，使其成为质量控制和工艺优化/监控的重要工具。辉光放电现在能够表征许多不同的材料，包括导电和非导电材料，涵盖从光伏（CIGS、钙钛矿……）到封装、从有机电子到储能（锂电池、燃料电池……）的广泛应用，并且是各种薄膜和厚膜沉积技术（等离子、电镀、阳极氧化等）的表征配套工具。GD-OES 也成为 XPS 和 SEM 的补充技术。
辉光放电发射光谱法
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