XiaoMi-AI文件搜索系统
World File Search System垂直于
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为了解决这一限制，太阳跟踪系统的发展已成为太阳能技术的关键进步。这些系统旨在连续调整太阳能电池板的方向，从而确保它们在天空中移动时垂直于太阳射线。这样做，太阳跟踪系统可以显着增加捕获的太阳能的数量，从而提高太阳能装置的总体效率和输出。该项目中介绍的自动太阳跟踪太阳系是一种复杂的解决方案，该解决方案利用双轴跟踪以最大程度地捕获能量捕获。该系统配备了旋转编码器和直流电动机驱动程序，可控制水平（方位角）和垂直（高程）平面中太阳能电池板的运动。这些组件由微控制器单元（MCU）管理，该单元（MCU）从传感器和实时时钟（RTC）处理数据，以确保对太阳能电池板位置的精确和及时调整。
电热超表面的设计与分析
摘要 电热超表面因能够动态控制热红外辐射而受到广泛关注。虽然以前的研究主要集中在具有无限单元格的超表面，但有限尺寸效应是实际开发具有快速响应和广泛温度均匀性的热超表面的关键设计因素。在这里，我们研究了由有限阵列尺寸的金纳米棒组成的热超表面，其仅需几个周期就能实现接近无限情况的共振。更重要的是，由于阵列尺寸有限，占用空间如此之小，导致响应时间降至纳秒级。此外，发现垂直于纳米棒轴线方向上的单元格数量对共振和响应时间不敏感，从而提供了长宽比的可调谐性，可以将温度均匀性提高到亚开尔文水平。
LXR 系列
波长 1030nm* 脉冲持续时间 900±100fs 额定功率范围 0-50W 0-120W 脉冲重复频率 单次 – 40MHz 最大额定脉冲能量 100μJ 120μJ 快速突发模式下的脉冲周期 25ns 每个突发的可用脉冲数 2-10** 最大突发能量 250μJ 600μJ 功率稳定性 1%rms 光束直径 3.0±0.25mm -1/e 2 在激光输出孔径处 光束质量因数 M 2 < 1.3 发散度（全角，远场）< 600μrad 指向稳定性 < ± 50μrad 偏振 线性（垂直于底座），纯度>100:1 电源要求 230V±10％，单相50/60Hz 1.2kW 最大输入功率 2.3kW 重量 110kg（激光器头）35kg（DC PSU，控制器DC PSU）***
NiCo2O4 薄膜中的异常 Nernst 和 Seebeck 效应
我们研究了 NiCo 2 O 4 (001) 外延膜中的塞贝克效应和异常能斯特效应，其中优先磁化方向垂直于薄膜平面。由于热电信号极小，我们定制了一个测量系统来检测微弱的电压信号。为了抑制来自测量电路中电触点的杂散电压信号，我们采取了以下措施。我们减少了带有超导磁体的商用低温恒温器输出与纳伏表之间的电触点数量。我们在制作电触点时采用银焊以降低剩余触点处的热电动势电压。通过采用这些措施，我们成功检测到小至 5 nV 的热电电压。与传统的铁磁金属相比，NiCo 2 O 4 的观测热电效率非常小。
用深神经网络在MRI上对胎儿大脑的自动线性测量
在胎儿脑MRI的常规临床评估中使用的三个关键生物识别线性测量值是脑双发直径（CBD），骨双发性直径（BBD）和跨小脑直径（TCD）。这些措施是根据既定指南[3,4]手动对临床医生进行的单独MRI参考切片进行的，这与基于US的基于US的测量指南不同，指定了如何建立扫描成像平面，如何在每个测量中选择此卷中的参考切片，以及如何识别两个解剖学测量值以识别线性测量值。CBD和BBD测量值是在同一切片上进行的，并垂直于中间线（MSL）绘制。通过在胎儿脑小脑轮廓上选择两个抗斑点地标点，在不同的参考切片上测量TCD，从而给出小脑的直径。
多层超导与层间配对的分解
我们证明，与层间配对的多层超导性可以自然分解为一系列弱耦合的双层和三层超导块，以最大程度地减少其总自由能。我们的工作是由层间配对的最新提案，这是由层间互相交换在双层和三层镍超导体中的近半填充D Z 2轨道的相互作用所引起的。我们探讨了层间配对超导性的一般特性，并对有效的多层模型进行系统的Ginzburg-Landau分析。对于实际材料，我们的结果意味着强大的超导级参数调制和沿Z轴（垂直于层）的短相干长度。这揭示了多层超导与中间配对的独特特征，并为将来的实验和理论研究提供了一个基本框架。
变幅疲劳、建模和测试
虽然使用寿命可以像沃勒图一样简单地描述，但是弯曲疲劳的微观损伤效应是由材料不同阶段发生的不同机制组成的？整个生命周期。在光的开始处发生了一种机制，即洒水。在第三阶段，载荷的变化将引起位错运动，最终导致裂纹的形成。这开始了疲劳寿命的第二阶段，即裂纹扩展。此时，成核裂纹将随着每个加载循环而增长，直到应力强度变得如此之大以至于出现残余桥。裂纹扩展阶段可分为两个不同的子阶段：“阶段 I”中裂纹在最大剪应力平面上扩展，“阶段 II”中裂纹在垂直于拉应力方向的平面上扩展。 “阶段 I” 阶段适用于几种晶粒尺寸的顺序（见图 3）。
技术说明 - 复合材料制造技术中心
问题/目标：高位紧固件是 F-35 的一个关键问题，尤其是如果直到制造过程的后期阶段才发现的话。必须对 F-35 紧固件特征进行测量，以测量埋头深度、安装的紧固件齐平度以及填充材料后的最终紧固件齐平度。当前用于检查制造过程中各个阶段的紧固件特征的方法依赖于手持式仪表，这些仪表已被证明不可靠且不可重复。我们在洛克希德的合作伙伴也对单线激光扫描仪进行了评估，但被拒绝了，因为这些系统无法检测垂直于测量方向的紧固件倾斜度，也无法表征飞机面板的曲率。洛克希德马丁公司和诺斯罗普格鲁曼公司的 F-35 团队需要一种便携式检查设备，可以精确、快速且经济地测量这些特征。
支持信息：
图S2。 原子力显微镜（AFM）图像分析了新的化学去角质MOS 2。 （a）Si底物表面上自旋涂层SL-MOS 2的AFM图像和（b）垂直于C轴的2-H MOS 2结构的模型，100片薄片在0.6-0.7nm之间扫描。 此SL-MOS 2纳米片的横向尺寸约为20-40 nm。 （c）可以看出，单个层的台阶高度为0.6-0.7 nm，可与Ca相当。 单层S-MO-S构建块的0.65 nm。 对锂去角质方法产生的100片片的统计分析表明，有56％的薄片为单层，其中两层中有28％，三层中的13％等等。 平均地形高度约为1.04 nm，与SL-MOS 2的典型高度相符，并且存在水分子（在0.6至1.0 nm之间）[9]。图S2。原子力显微镜（AFM）图像分析了新的化学去角质MOS 2。（a）Si底物表面上自旋涂层SL-MOS 2的AFM图像和（b）垂直于C轴的2-H MOS 2结构的模型，100片薄片在0.6-0.7nm之间扫描。此SL-MOS 2纳米片的横向尺寸约为20-40 nm。（c）可以看出，单个层的台阶高度为0.6-0.7 nm，可与Ca相当。单层S-MO-S构建块的0.65 nm。 对锂去角质方法产生的100片片的统计分析表明，有56％的薄片为单层，其中两层中有28％，三层中的13％等等。 平均地形高度约为1.04 nm，与SL-MOS 2的典型高度相符，并且存在水分子（在0.6至1.0 nm之间）[9]。单层S-MO-S构建块的0.65 nm。对锂去角质方法产生的100片片的统计分析表明，有56％的薄片为单层，其中两层中有28％，三层中的13％等等。平均地形高度约为1.04 nm，与SL-MOS 2的典型高度相符，并且存在水分子（在0.6至1.0 nm之间）[9]。