目前用于传统船舶钢的火焰矫直方法是否适用于高强度船舶钢值得怀疑。本报告讨论了研究该主题时需要评估的一些潜在问题领域。根据对相关文献的调查,结果表明,只有有限的数据可用于该主题。数据分析涵盖了变形的性质、火焰矫直技术以及单一和组合热循环和塑性应变循环对材料性能的影响。提出了一个实验程序,旨在生成与火焰矫直直接相关的传统钢和几种高强度钢的背景数据。随后将评估这些数据,以确定火焰矫直程序是否适用于各种船舶钢。
摘要 1 型或 2 型糖尿病 (T1DM 或 T2DM) 患者经常会出现认知障碍。我们对死后人脑组织中的 Meynert 基底核 (NBM) 中的细胞进行了分析,以研究神经病理学变化。71 个死后 NBM 样本按 Braak 分期 0-2 或 3-6 分为 T1DM、T2DM 和非糖尿病对照。T1DM 受试者只有 Braak 分期 0-2,因此仅与具有相似 Braak 分期的对照进行比较,而不与 Braak 分期 3-6 的受试者进行比较。我们用各自的标志物分析了表达胆碱乙酰转移酶 (ChAT)、磷酸化 Tau、神经胶质细胞和血管的神经元。我们发现与 Braak 分期 0-2 的对照和 T2DM 相比,T1DM 中 ChAT 的神经元表达明显减少。与 Braak 分期 3-6 的对照相比,T2DM 中后期过度磷酸化 Tau 水平更高。我们的结果表明,NBM 神经元乙酰胆碱生成减少可能是 1 型糖尿病患者认知功能不佳的原因。相反,2 型糖尿病可能会加剧与阿尔茨海默病样改变相关的神经病理学变化。
。CC-BY 4.0 国际许可证 永久可用。是作者/资助者,已授予 medRxiv 许可以显示预印本(未经同行评审认证)预印本 此版本的版权持有者于 2025 年 1 月 9 日发布。 ;https://doi.org/10.1101/2025.01.07.25320164 doi:medRxiv 预印本
基底细胞癌 (BCC) 是一种非常常见的上皮癌,其肿瘤生长依赖于 Hedgehog 通路。传统疗法(如手术切除)对大多数散发性 BCC 患者有效;然而,对于美容敏感或晚期和转移性 BCC,需要更好的治疗方案。首个获批的靶向膜受体 Smoothened 的 Hedgehog 拮抗剂 vismodegib 对综合征型和非综合征型 BCC 均表现出显著疗效。然而,经常会出现耐药性肿瘤,这说明需要开发靶向 Smoothened 下游通路成分的下一代 Hedgehog 拮抗剂。在本文中,我们将总结可用的 BCC 治疗方案并讨论下一代拮抗剂的开发。
•经济竞争的解决方案:已经能够与灰氢竞争20兆瓦及以上的装置 - 这是替代技术可实现的壮举。•基于低成本生物量能量的经济模型:生物质热解的氢比初级能源成本低(<30€/MWH,通常<20欧元/MWH,与> 70欧元/MWH的含水)相比,与水电解的氢相比,与水的电解相比,与> 70欧元/MWH的氢相比,与含量> 70欧元/MWH相比,脱氧电力的能量和最佳能量效率(通常是70%)。•与电网独立:与电解不同,热解的最低限制取决于电力可用性和成本,从而确保稳定且可预测的产生。•负碳足迹:这项技术通过生物炭共同生产隔离生物碳,在考虑完整的LCA时达到了负碳足迹。3•灵活的采购:这种生物质 - 敏捷技术能够利用各种残留生物量,尤其是农业,确保对原料市场波动的更大自治和弹性,同时显着扩大了可用的资源。
金纳米粒子通常用湿化学还原法生产,而金纳米团簇则通过团簇束沉积制备。尽管块体金是惰性的,但它在纳米晶体形式下具有催化活性。[7] 金团簇是研究最广泛的过渡金属团簇之一,因为它们在微电子、纳米技术和生物医学中有着潜在的应用。[4,8 – 10] 所谓“魔法”尺寸的金纳米粒子可以看作是规则原子晶格平面的堆叠,人们预测它们会特别稳定,尽管 Petkov 等人 [3] 指出,不应忽视失去秩序的可能性,而且金确实已被证明有形成无定形结构的趋势。[11] 值得注意的是,不对称纳米粒子的能量通常与对称的闭壳层纳米粒子相似,这增加了纳米粒子丰富的能量景观。
石墨烯的生产是在金属基底上用化学气相沉积 (CVD) 方法进行的,因为该方法可重复、可扩展,且能获得具有大畴尺寸的高质量层。到目前为止,各种过渡金属已作为基底进行了测试 [4–10],其中铜箔由于碳溶解度低,已被证明是控制单层和双层生长的合适基底。[11–14] 通常,铜箔上石墨烯畴的成核以随机取向发生,从而形成多晶单层石墨烯片 [15] 甚至扭曲的双层石墨烯。[16] 相邻畴合并后会引入晶界,从而限制载流子迁移率。[17] 使用六边形 Cu(111) 表面作为基底,结果表明石墨烯成核发生在与基底晶格对准的位置,从而有效减少晶界。 [18,19] 在实际应用中,需要将石墨烯从金属基底转移到非金属目标基底(如 SiO 2 、SiC)。在许多情况下,转移层的质量不如原生石墨烯。众所周知,基底的选择可能会影响石墨烯的特性。[20–22] 一方面,Kraus 等人早些时候提出,铜基底的刻面可能会压印在石墨烯上,即使在平坦的基底上,转移后也会导致层起波纹。[23] 另一方面,研究表明,在 SiO 2 上转移的单晶石墨烯中的纳米波纹会降低电子迁移率。[24] 此外,在 Bernal 堆叠双层石墨烯中,在不同基底上都观察到了应变诱导的位错线[25–27],这可能会限制载流子迁移率。即使在目标基底上转移后,这些位错也可能存在。了解这些位错的形成和生长衬底的影响将为设计双层石墨烯和其他堆叠二维材料的特性开辟一条道路。我们利用低能电子显微镜 (LEEM) 和衍射 (LEED) 研究了在 Cu(111) 衬底上以及转移到外延缓冲层后 CVD 生长的石墨烯的厚度和晶体度。我们发现,在石墨烯生长过程中,衬底表面会重新构建为小平面,即使在单层石墨烯中也会留下波纹结构。LEEM 暗场测量揭示了衬底小平面在双层(和三层)石墨烯中堆叠域形成过程中的作用,这些堆叠域在转移过程中得以保留。