电阻开关器件由于其出色的性能、简单性和可扩展性而成为下一代非易失性存储器的有希望的候选者。其中,开发多级电阻开关因其在显著提高信息存储密度且不消耗额外能量的潜力而引起了广泛关注。尽管在许多金属氧化物和有机材料中已经观察到连续多级电阻开关 (CMRS),但实际应用仍然迫切需要实现高速和可靠的随机存取多级非易失性存储器 (RAMNM)。在这里,我们成功地制造了一种基于高性能脉冲宽度调制忆阻铁电隧道结 (FTJ) 的 RAMNM,其 Pt/La 0.1 Bi 0.9 FeO 3 /Nb:SrTiO 3 在室温下具有超过 4 × 10 5 的巨大开关比。
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1 𝑔 𝑚5 ⁄ 和 [1 + (𝑔 𝑚4 + 𝑔 𝑚𝑏4 )𝑟 𝑜4 ]𝑟 𝑜2 + 𝑟 𝑜4 ≫ 1 𝑔 𝑚5 ⁄ ,低频下的方程 (5)、(6) 和 (10)
摘要 — 本文讨论了一种基于三级改进型反相器结构的多级互阻抗放大器 (TIA)。通过添加两个级联晶体管,传统反相器结构的性能得到了改善。与传统反相器相比,这种新结构的优点是消除了米勒电容,可以提供更高的速度和更宽的频率带宽。除了使用 G m / ID 技术外,本文还权衡了带宽、增益和功耗之间的平衡,介绍了一种用于光通信接收机系统中高比特率的低功耗互阻抗放大器。此外,还使用了有源电感器来减少占用面积并增加频率带宽。将改进电路的极点转移到更高的频率意味着在固定带宽范围内所需的直流电流更少,从而实现低功耗特性
摘要:3D NAND闪存作为存储器计算的有力候选者,因其高计算效率而备受关注,其性能优于传统的冯·诺依曼体系结构。为确保3D NAND闪存真正融入存储器芯片的计算中,急需一种具有高密度和大开关电流比的候选者。本文,我们首次报道在双层Si量子点浮栅MOS结构中实现高密度多级存储的3D NAND闪存。最大的电容电压(CV)存储窗口为6.6 V,是单层nc-Si量子点器件的两倍。此外,在10 5 s的保持时间后可以保持5.5 V的稳定存储窗口。在充电过程中观察到明显的电导电压(GV)峰,进一步证实了双层Si量子点可以实现多级存储。此外,采用nc-Si浮栅的3D NAND闪存的开/关比可以达到10 4 ,表现出N型沟道耗尽工作模式的特征。经过10 5 次P/E循环后,存储窗口可以维持在3 V。在+7 V和-7 V偏压下,编程和擦除速度可以达到100 µs。我们将双层Si量子点引入3D NAND浮栅存储器,为实现存储器中的计算提供了一种新途径。
高分辨率日间卫星图像已成为研究经济活动的有希望的来源。这些图像显示了大面积的详细地形,并允许放大到较小的社区。然而,现有的方法只利用了单级地理单元中的图像。这项研究提出了一种深度学习模型,通过汇总从多级地理单元观察到的特征来预测经济指标。该模型首先通过有序回归来测量小社区的超本地经济。下一步通过总结超本地经济体之间的互联来提取区级特征。在最后一步,该模型通过汇总超本地和区信息来估算区的经济指标。我们的新多级学习模型在预测人口、购买力和能源消耗等关键指标方面大大优于强大的基线。该模型对数据短缺也很有抵抗力;当使用从马来西亚、菲律宾、泰国和越南收集的数据进行评估时,一个国家的训练特征可以推广到其他国家。我们讨论了多层次模型对衡量不平等的影响,这是关于不平等和贫困的政策和社会科学研究的重要第一步。
随着通过不安全通信渠道传输的数据量不断增加,大数据安全已成为网络安全领域的重要问题之一。为了解决这些问题并确保数据安全,需要一个强大的隐私保护密码系统。这种解决方案依赖于混沌加密算法,而不是标准加密方法,这些算法具有多级加密级别,包括高速、高安全性、低计算开销和程序能力等特点。在本文中,提出了一种使用线性反馈移位寄存器 (LFSR) 和基于混沌的量子混沌映射的安全图像加密方案。该方案的重点主要取决于来自算法输入的密钥。威胁形势、统计测试分析以及与其他方案的关键比较表明,所提出的算法非常安全,并且可以抵抗各种不同的攻击,例如差分攻击和统计攻击。与现有加密算法相比,所提出的方法具有足够高的灵敏度和安全性。几个安全参数验证了所提工作的安全性,例如相邻像素之间的相关系数分析、熵、像素变化率 (NPCR)、统一平均变化强度 (UACI)、均方误差 (MSE)、强力、密钥敏感度和峰值信噪比 (PSNR) 分析。所提技术生成的密码的随机性也通过了 NIST-800-22。NIST 的结果表明,密码具有高度随机性,不会产生任何类型的周期性或模式。
异质结构 (HS) 材料由于其多种微观结构和优异的物理性能而受到广泛研究[1 e 5]。它们由不同性质的软硬异质区组成,不同区域之间的协同效应可改善物理性能。HS 材料根据硬区形状可分为层状结构[6,7]、梯度结构[5,6,8,9]、层压结构[10 e 13]、双相 (或多相) 结构[14 e 19]和核壳结构[20 e 22]。十年来,另一种互连 (或互穿) 结构一直受到人们的关注。这种结构具有双连续的两个不同的区域,其中硬相和软相都是连续的且相互交错。这种独特的结构包括胞状结构(如螺旋状结构)和由旋节线分解形成的空间无序模式。双连续结构的软区和硬区在机械上互相约束。增材制造[23,24]和粉末冶金[25,26]已用于开发互连的HS材料。然而,这些方法在区域大小及其分布方面存在技术限制。纳米级区域和均匀分布对于提高协同效应至关重要。最近,作者提出,通过液态金属脱合金(LMD)合成的3D互连HS材料在克服强度-延展性权衡方面具有巨大潜力[27]。从(FeCr)50Ni50前驱体中,可混溶的Ni选择性地溶解在Mg熔体中。
• 因果关系:事件都有原因,有时简单,有时多方面。 破译因果关系及其介导机制是限制可能的解决方案的一项主要科学与工程活动。 ETS1.A:定义和界定工程问题:设计任务的标准和约束条件定义得越精确,设计解决方案就越有可能成功。约束条件的指定包括考虑科学原理和其他可能限制可能解决方案的相关信息。 • 能量和物质:跟踪流入、流出和流经系统的能量和物质有助于人们理解系统的行为。 • MS-ETS1-3 工程设计:分析测试数据以确定几种设计解决方案之间的相似点和差异点,以确定每种设计解决方案的最佳特性。这些设计解决方案几乎在每一个科学领域都有重要的发现,而且科学发现可以组合成一个新的解决方案,以更好地满足成功的标准。 • 科学、工程和技术的相互依赖性:工程进步导致了整个行业和工程系统的发展。 ETS1.B:开发可能的解决方案:有系统的流程来评估解决方案,看它们如何很好地满足问题的标准和约束。有时可以将不同解决方案的各个部分组合起来,以创建一个比任何前辈都更好的解决方案。 ETS1.C:优化设计解决方案:虽然一个设计可能不会在所有测试中表现最佳,但确定在每项测试中表现最佳的设计的特性可以为重新设计过程提供有用的信息 - 也就是说,其中一些特性可以纳入新的设计中。
本文介绍了一种基于集成 3 开关逆变器拓扑的模块化电池系统,称为电池模块化多级管理 (BM3) 系统。3 开关拓扑可直接应用于电池单元级。与其他电池单元互连时,可在电池模块之间灵活地形成串联和并联连接,以合成任何类型的输出电压。通过这种方式,BM3 拓扑可以用作灵活的 DC/AC 或 DC/DC 转换器。此外,可以绕过单个电池,以便每个电池都可以根据其各自的容量进行充电和放电。因此,任何额外的被动或主动平衡电路都变得过时了。在本文的分析框架内,解释了 BM3 拓扑的基本功能,并使用小规模原型设置验证了其作为 DC/AC 逆变器的可能应用。