电容去离子化是一种新兴的工业用海水淡化技术。电极设计和系统开发方面的最新进展已导致超高盐吸附性能的报道,有利于其在农业水处理中以低成本的潜在应用。在本研究中,我们全面总结了实现超高离子吸附性能的多孔电极设计策略,考虑了实验参数、化学调节的材料特性、氧化还原化学和智能纳米结构等因素,以供未来的电极设计使用。此外,我们努力建立电容去离子化 (CDI) 技术与其在农业领域的适用性之间的关联,特别是专注于水处理,重点是与盐度、硬度和重金属相关的不良离子,以实现无害灌溉。此外,为了确保 CDI 系统在农业中的高效和经济应用,我们对 CDI 成本分析的文献进行了全面概述。通过解决这些方面,我们预计超高盐吸附 CDI 系统在未来的农业应用中将大有可为。
摘要:我们最近证明了在共价供体 - 受体 - 自由基(d - a -r•)系统中电子自旋状态的光电量量子传送。在R•带有微波脉冲的特定自旋态制备后,对两步电子传输产生d• + - a-r - 的光激发,其中r•上的旋转状态被传送到d• +。这项研究研究了自旋状态制备和光启发性传送之间变化时间(τd)的影响。使用脉冲电子顺磁共振光谱法,传送导致的D• +的自旋回波显示了使用密度矩阵模型模拟的阻尼振荡,该振荡是对回声行为的基本了解。远程遗传性计算还显示出振荡行为随τD的函数,这是由于⟨s x x和s y⟩之间的相位因子的积累。理解分子系统中量子传送固有的实验参数对于利用这种现象的量子信息应用至关重要。
摘要 具有里德堡介导相互作用的单个原子组装阵列为多体自旋哈密顿量的模拟以及基于通用门的量子信息处理的实现提供了强大的平台。我们展示了在微透镜产生的可重构几何多点陷阱阵列中首次实现里德堡激发和受控相互作用。我们利用原子逐个组装来确定性地制备预定义的铷里德堡原子二维结构,这些结构具有精确已知的相互分离和可选择的相互作用强度。通过调整几何形状和所讨论的里德堡状态,可以访问从弱相互作用到强耦合的参数范围。我们表征了 57D 5 / 2 状态下非相互作用原子簇的同时相干激发,并分析了实验参数和局限性。对于利用 87D 5 / 2 状态优化的里德堡阻塞配置,我们观察到集体增强的拉比振荡。
本研究采用材料挤出 (MEX) 技术,特别是多材料单挤出系统,通过混合 PLA 和 TPU 材料来制造功能梯度材料 (FGM)。该过程引入了旨在增强材料界面的梯度过渡。在拉伸和疲劳载荷条件下,对一系列浓度模式(按体积计从 20% 到 80% 的 FGM)进行系统评估。在制造过程中,对实验参数进行细致的控制,包括应力水平、应力比和频率。表征过程需要对 FGM 界面进行比较分析。结果显示,无论材料浓度如何梯度变化,界面强度都有显著增强。这种增强在从较软到较硬的材料成分过渡期间尤为明显。本研究的主要目标有两个:阐明材料在拉伸-拉伸载荷情况下的行为,并全面了解 FGM 界面的复杂性。
自 1967 年 SediGraph 被应用于商业仪器以来,它已广泛应用于各种工业领域。要确认它在世界各地各种应用中的广泛使用,只需在任何互联网搜索引擎中输入“sedigraph”作为搜索键即可。自推出以来,该仪器在速度、样品处理、数据缩减和报告方面经历了许多改进。然而,基本的分析技术仍然基于两个完善且易于理解的物理现象——沉降和光子吸收。斯托克斯定律用于通过测量不同大小的样品颗粒的终端沉降速度来确定粒度。每个尺寸类别的相对质量浓度是通过将比尔-朗伯-布格定律应用于测量投射穿过悬浮液中剩余样品部分的低功率 X 射线束的吸收率来确定的。斯托克斯定律和比尔-朗伯-布格定律非常简单,意味着对原始数据的解释非常简单;分析人员可以轻松理解基本测量值与报告的尺寸分布之间的关系。所有实验参数都很容易确定,数据缩减既简单又快速,并且不需要将数据缩减软件“偏向”特定的分布模式。
moir e物理学在表征功能材料和物理特性的工程中起着重要作用,从应变驱动的运输现象到超导性。在这里,我们报告了在模型铁电ER(MN,TI)O 3上获得的导电原子力显微镜(CAFM)中Moir E条纹的观察。通过进行系统的研究,对关键实验参数对诸如扫描角度和像素密度等新兴的Moir e Fringes的影响,我们证明,观察到的条纹由于应用的栅格扫描和样本互动性的叠加而产生,并将测量的调节型对电导率进行分类,从而在扫描的Moir e vistanning scanning Moir e效应中分类。我们的发现对于CAFM对Moir E工程材料中当地运输现象的研究至关重要,这为将外在的和固有的Moir E效应区分开提供了一般指南。此外,这些实验提供了一种可能提高灵敏度的途径,通过通过更长期的MOIR E模式在空间分辨率限制下探测电导量的变化来推动局部运输测量的分辨率限制。
多量子比特 Toffili 门具有实现可扩展量子计算机的潜力,是量子信息处理的核心。在本文中,我们展示了一种原子排列成三维球形阵列的多量子比特阻塞门。通过进化算法优化球面上控制量子比特的分布,大大提高了门的性能,从而增强了非对称里德堡阻塞。这种球形配置不仅可以在任意控制目标对之间很好地保留偶极子阻塞能量,将非对称阻塞误差保持在非常低的水平,而且还表现出对空间位置变化的前所未有的稳健性,导致位置误差可以忽略不计。考虑到固有误差并使用典型的实验参数,我们通过数值方法表明可以创建保真度为 0.992 的 C 6 NOT 里德堡门,这仅受里德堡态衰变的限制。我们的协议为实现多量子比特中性原子量子计算开辟了一个高维原子阵列平台。
摘要:提出了一种多尺度计算方法,用于预测具有高玻璃过渡温度的纠缠均聚物熔体的粘弹性特性。从聚合物的原子模型开始,引入了两个更粗糙的表示粗粒模型和一个滑弹性表示,该模型在更长的时间和长度尺度上连续运行。三个模型通过重新归一化的时间和模量尺度来统一,这是通过分别匹配其归一化链平方平方和应力松弛模量来实现的。为了促进纠缠链的松弛,在比实验中可访问的链条上进行模拟。时间 - 温度叠加施加以推断在高温下计算出的粘弹性特性,以实验可及的较低温度。这种提出的方法可以从原子模型开始预测熔体的线性流变性,并且不需要实验参数作为输入。在这里,这是针对集团和静态聚苯乙烯的证明,与实验测量相吻合。■简介
摘要。高维量子态的实验工程是几种量子信息协议的关键任务。然而,应用现有的量子态工程协议需要对噪声实验装置进行高精度的表征。这在实际场景中往往是缺乏的,影响了工程状态的质量。我们通过实验实现了一个自动自适应优化协议来设计光子轨道角动量 (OAM) 状态。该协议在给定目标输出状态的情况下,根据输出测量统计数据对当前产生的状态的质量进行在线估计,并确定如何调整实验参数以优化状态生成。为了实现这一点,该算法不需要包含生成设备本身的描述。相反,它在完全黑盒的场景中运行,使该方案适用于各种各样的情况。该算法控制的手柄是一系列波片的旋转角度,可用于概率地生成任意四维 OAM 状态。我们在经典和量子领域展示了不同目标状态下的方案,并证明了其对控制参数外部扰动的鲁棒性。这种方法代表了一种强大的工具,可用于自动优化量子信息协议和技术的嘈杂实验任务。
薄膜................................................ .薄膜形成.................................... 6 凝聚和成核........................... 7 薄膜生长.................... ■ ................... 13 岛状阶段................................... 14 聚结阶段................................... 14 通道阶段.................... 即连续膜................................... , 1 6 生长模式........................................ 17 外延生长........................................ 19 薄膜分析技术................................... 2 0 X 射线衍射................................ 20 衍射仪方法................................... 22 薄层电阻................................... 23 四点探针法....... ' .............. 23 扫描电子显微镜.......................................2 6 俄歇电子能谱................................... 2 9 薄膜厚度测量....................... ..34 化学气相沉积.............'.................... 37 CVD 的基本步骤 .............................. 3 8 CVD 的实验参数 .................... 39 沉积温度 ........ 39 气体流速 .............................. 44 晶体取向 .............................. 47 基材位置 .............................. 48 反应物分压。................... 49 表面积 .............................. 49 化学气相沉积反应器 ................ 49 热壁反应器 ............................. 50 冷壁反应器 ............................. 50 大气压反应器 ............................. 50 低压 CVD 反应器。..'................. 52 等离子体增强 CVD 反应器 ............................. 54 光子诱导 CVD 反应器。.................. 55 钨的化学气相沉积 ................. .56 钨的 CVD 反应 .......................... 59 WF 6 的 Si 还原 ................................ 61