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理解 MoS2 基面活化的物理模型
本报告是由美国政府某个机构资助的工作报告。美国政府或其任何机构、其雇员、承包商、分包商或其雇员均不对所披露信息、设备、产品或流程的准确性、完整性或任何第三方的使用或此类使用结果做任何明示或暗示的保证，或承担任何法律责任或义务，或表示其使用不会侵犯私有权利。本文以商品名、商标、制造商或其他方式提及任何特定商业产品、流程或服务，并不一定构成或暗示美国政府或其任何机构、其承包商或分包商对其的认可、推荐或支持。本文表达的作者的观点和意见不一定代表或反映美国政府或其任何机构的观点和意见。
降压药诱导的口面血管性水肿
由ACE抑制剂或ARB引起的AE通常涉及头部和颈部，并被定义为一种无痛，非炎症，非刺激性，非质体，非对称水肿，可涉及皮肤，皮下组织和粘膜。AE如果发展到气道阻塞，可能会致命。[1-11]据报道，AE具有AE抑制剂的发生率在0.1％至0.7％，[1,8,12-16]范围内，但当开处方ARB时，AE的发生率范围为[1,8,12-16]。[5,10,16-18] AE的发作可能在药物摄入后的几个小时或几周内开始，或者在长时间使用药物后可能会延迟多年的出现。[14-21]剂量似乎不是AE发展的因素。[5]这些药物造成的肿胀区域，按照频率的顺序，是口腔粘膜，舌头，嘴唇，脸颊和颈部。[7,12]最初，水肿是轻度的，可以迅速解决。可以发展多个瞬态复发，并且随着时间的推移，严重程度会增加一些趋势。[2,16]即使是轻微的肿胀也应该被认为是潜在严重问题的早期迹象。据报道，AE发作的平均年龄为52至62岁，其中65％的患者是女性。[16-21]非裔美国人被认为比高加索人更容易受到这种疾病。
图纸搜索 AI - 解决无法注意到过去缺陷信息的问题
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宽屏面板进军商务航空领域
有人可能会说这是意料之外的，而且似乎很少有人对此消息感到震惊。Garmin 是一家航空电子设备和集成驾驶舱的主要供应商，其产品范围从轻型运动飞机到轻型商务喷气机，它向新领域发起了进攻：“大型”飞机市场（起飞重量超过 12,500 磅的飞机）从轻型喷气机部分的高端向上延伸，因此必须根据第 25 部分进行认证。由于认证规则被认为比第 23 部分（该公司此前专注于航空领域）更为严格，Garmin 的新款 G5000 将在 2012 年获得认证并投入使用后，完成 Garmin 在航空领域各个领域的扩张。如果 2012 年看起来特别雄心勃勃或突然，那么值得注意的是，该公司表示已经完成了开发和认证的一半。 Garmin 高管承认，该公司不会停止开拓新市场——第 25 部分市场既是新市场，又具有潜在的利润空间。经过二十年的努力，这家 GPS 打造的公司已成为第 23 部分飞机通用航空电子设备领域的主导者，现在正将其业务范围扩大到长期由两大航空电子设备巨头主导的领域：罗克韦尔柯林斯，很久以前就退出了活塞单引擎和双引擎飞机的生产；以及霍尼韦尔，它已经与 Garmin 在第 23 部分市场（直至 LSA 领域）展开正面竞争。行业观察家和行业传闻将 Garmin 称为
超维计算的自适应模型位宽
摘要 — 受大脑启发的超维 (HD) 计算是一种模拟高维空间中神经元活动的新型计算范式。HD 计算的第一步是将每个数据点映射到高维空间（例如 10,000）。这带来了几个问题。例如，数据量可能会激增，所有后续操作都需要在 D = 10,000 维中并行执行。先前的工作通过模型量化缓解了这个问题。然后可以将 HV 存储在比原始数据更小的空间中，并且可以使用较低位宽的操作来节省能源。然而，先前的工作将所有样本量化为相同的位宽。我们提出了 AdaptBit-HD，一种用于加速 HD 计算的自适应模型位宽架构。当可以使用更少的位来找到正确的类时，AdaptBit-HD 一次一位地对量化模型的位进行操作以节省能源。借助 AdaptBit-HD，我们可以在必要时利用所有位来实现高精度，并在设计对输出有信心时终止较低位的执行，从而实现高能效。我们还为 AdaptBit-HD 设计了一个端到端 FPGA 加速器。与 16 位模型相比，AdaptBit-HD 的能效提高了 14 倍；与二进制模型相比，AdaptBit-HD 的精度提高了 1.1%，与 16 位模型的精度相当。这表明 AdaptBit-HD 能够实现全精度模型的精度，同时具有二进制模型的能效。
及基于GaN的DC-DC宽输入电压范围降压转换器...
摘要 — 本文旨在比较具有宽输入电压范围的 DC/DC 拓扑。研究还解释了 GaN E-HEMT 晶体管的实现如何影响转换器的整体效率。本文介绍了选择最有效拓扑的过程，以将电池存储电压（9 V – 36 V）稳定在 24 V 水平，从而能够在自动电动汽车等广泛应用中使用超级电容器储能。为了选择最合适的拓扑，进行了模拟和实验室研究。选择了两种最有前途的拓扑在实验模型中进行验证。每个转换器都以两种版本构建：使用 Si 和 GaN E-HEMT 晶体管。本文介绍了实验研究结果，包括精确的功率损耗测量和热分析。还检查了转换器开关频率增加时的性能。
等离子体诱导充电效果的宽范围检测器...
近年来，半导体过程技术的演变继续缩小大型集成电路中的临界维度[1-3]。高级芬费逻辑过程已经变得更加复杂，可以在多功能和更强大的SI芯片中实现更紧密的晶体管。反应性离子蚀刻步骤通过等离子体增强[4-5]在高级纳米级过程中不可避免地实现高纵横比结构，这对于高包装密度电路至关重要[6]。对于超过45nm的CMOS技术节点，晶体管门从带有二氧化硅的常规聚硅门变为高K金属栅极堆栈[7-8]。这种变化不仅使设备更容易受到血浆诱导的损害的影响，而且可能导致对高K介电层的潜在潜在损害[9]。在最先进的FinFET制造过程中，不可避免地会产生较高的等离子诱导充电事件的RF等离子体步骤，例如蚀刻，沉积和清洁过程，这会产生较高的频率[10]。可能会在金属结构上进行正充电和负电荷。随着这些电荷经过预先存在的金属线和触点制成的导电路径，通过电路的脆弱部分进行了不良放电，尤其是通过晶体管栅极介电介电出现可能会带来重大的可靠性问题。例如，在干燥的蚀刻步骤中，散射在反应表面上撞击离子和溅射材料会导致散装鳍中更多的缺陷[11-12]。为了避免等离子充电事件导致电路不可逆转的损害，给出了限制金属结构尺寸的设计规则。减轻PID的另一个例子包括使用保护二极管，这可能会使血浆充电电流从敏感电路中移开[13]。引入原位蒸汽产生（ISSG）氧化门报道，据报道提高其对血浆损伤的耐受性[14]。此外，还发现修剪腔室和修饰PECVD-TI沉积过程可减轻血浆诱导的损伤[15]。这些方法中的大多数会导致电路设计灵活性或处理权衡的不良限制。
国家咨询牙科和颅面研究委员会
Marit Aure博士，Dir。 Lorena Baccaglini，Der，CCR Alison Boyce博士，Dir。我也是布朗，Der，Research＆Research＆Carory Development Branch（RTCDB）Christopher Brown博士，DEA，Scientific Review Branch（SRB）Christopher Campbell博士，DEA，SRB Preethi Chander博士，DER，Integraftive Biogy＆Intectious Isology＆Instectious Isises and Instectious Isases Branch（IBIDB）Jingshan Chen Chen，Dea，Dea，Srb srb srb MS。 Tiffany Chen，OD，通信与健康教育办公室（OCHE），DER，DEA，DEA，SRB MS的Ibidb Aiwu Cheng博士，Der，Der chen博士。 Jennifer Chi，OD，Octom MS。 Der的Alicia Chou，翻译基因组学研究部（TGRB）Kevin Chu先生，OD，OIT，OIT Michelle Cortes博士，Der，Ibidb，Ibidb Brett Dean先生，OD Financial Management Branch（FMB）Jimmy Do，OD，OD，OD，FBM Olga Epifano博士（OSD）Dena Fischer博士，Der，CCR，Melissa Ghim博士，Der，Ibidb，Ibidb博士Margaret Grisius，der，CCR，CCR，Joel Guzman先生，Der，OD MS。 April Harrison，DEA，GMB Belinda Hauser博士，DIR，OSD MS。杰西卡·亨利（Jessica Henry），OSPA，GABRIEL HIDALGO先生，DEA，GMB MS。 Yu-Ling Huang，OSPA，OSPA Timothy Iafolla博士，OSPA，OSPA Hiroko Eid博士，Der，CCR Tomoko Ikeuchi博士，Dir，Osd，OSD Dara Kessler博士，OD Leila Khaki博士，Der，Der，der，BSSRB，BSSRB，BSSRB Wendy Knosp博士Wendy Knosp，Ospa，OSPA OSPA博士Jamie Kugler，Dirl，dir，dir，dir。 Payal Rajender Kumar，OD Robert Kuska先生，OD，Oche Bikash Lamichhane博士，DI，OD Shuang Li博士，Der，Der，OD，Jiwon Lim博士，Jiwon Lim博士，Dir Orlando Lopez，Der，Der，Ibidb，Ibidb William Martin先生Susan Medve，DEA，GMB Yun Mei博士，DEA，SRBMarit Aure博士，Dir。 Lorena Baccaglini，Der，CCR Alison Boyce博士，Dir。我也是布朗，Der，Research＆Research＆Carory Development Branch（RTCDB）Christopher Brown博士，DEA，Scientific Review Branch（SRB）Christopher Campbell博士，DEA，SRB Preethi Chander博士，DER，Integraftive Biogy＆Intectious Isology＆Instectious Isises and Instectious Isases Branch（IBIDB）Jingshan Chen Chen，Dea，Dea，Srb srb srb MS。 Tiffany Chen，OD，通信与健康教育办公室（OCHE），DER，DEA，DEA，SRB MS的Ibidb Aiwu Cheng博士，Der，Der chen博士。 Jennifer Chi，OD，Octom MS。 Der的Alicia Chou，翻译基因组学研究部（TGRB）Kevin Chu先生，OD，OIT，OIT Michelle Cortes博士，Der，Ibidb，Ibidb Brett Dean先生，OD Financial Management Branch（FMB）Jimmy Do，OD，OD，OD，FBM Olga Epifano博士（OSD）Dena Fischer博士，Der，CCR，Melissa Ghim博士，Der，Ibidb，Ibidb博士Margaret Grisius，der，CCR，CCR，Joel Guzman先生，Der，OD MS。 April Harrison，DEA，GMB Belinda Hauser博士，DIR，OSD MS。杰西卡·亨利（Jessica Henry），OSPA，GABRIEL HIDALGO先生，DEA，GMB MS。 Yu-Ling Huang，OSPA，OSPA Timothy Iafolla博士，OSPA，OSPA Hiroko Eid博士，Der，CCR Tomoko Ikeuchi博士，Dir，Osd，OSD Dara Kessler博士，OD Leila Khaki博士，Der，Der，der，BSSRB，BSSRB，BSSRB Wendy Knosp博士Wendy Knosp，Ospa，OSPA OSPA博士Jamie Kugler，Dirl，dir，dir，dir。 Payal Rajender Kumar，OD Robert Kuska先生，OD，Oche Bikash Lamichhane博士，DI，OD Shuang Li博士，Der，Der，OD，Jiwon Lim博士，Jiwon Lim博士，Dir Orlando Lopez，Der，Der，Ibidb，Ibidb William Martin先生Susan Medve，DEA，GMB Yun Mei博士，DEA，SRB